Transcript 第五章存储器
第5章 存储系统 本章要点 5.1 存储系统概述 5.2 随机读写存储器（RAM） 5.3 只读存储器（ROM） 5.4 CPU与存储器的连接 5.5 外存储器 本章要点 掌握存储器的分类、性能指标及存储系统的层次结构。 掌握半导体随机存储器的基本组成及各个组成部件（存储体、 地址译码与驱动、数据缓冲器、读／写控制逻辑）的作用及工 作原理，读／写操作的基本过程。 了解SRAM、 DRAM及ROM芯片的基本存储电路、工作过程；典型 芯片的主要引脚信号；了解DRAM刷新的基本概念。 了解新型的半导体存储器技术及芯片类型。 掌握半导体存储器芯片的扩充（包括字扩充和位扩充）。 掌握CPU与半导体存储器间的连接。 了解外存储器的工作原理、应用及现代外存储器技术。 本章重点与难点 重点： 存储器的分类 典型芯片的使用 存储器容量的扩展 难点： 存储器的扩展 存储器与CPU的连接 返回本章首页 5.1 存储系统概述 5.1.1 5.1.2 5.1.3 5.1.4 5.1.5 存储器的分类 存储器的基本性能指标 存储系统的层次结构 半导体存储器的逻辑结构 半导体存储器的分类 返回本章首页 5.1.1 存储器的分类 存储器是用来存储程序和数据的，它是计算机极 其重要的组成部分，有了它的存在，计算机才具有记 忆功能，才能把要计算或加工处理的数据以及程序存 入计算机，使之脱离人的直接干预而自动工作。显然， 存储器的容量越大，记忆的信息也就越多，计算机的 功能也就越强。 5.1.1 存储器的分类 1．按存储介质分类 目前使用的存储介质主要有半导体器件、磁 性材料和光学材料，根据使用的存储介质不同可 分为： 半导体存储器 磁表面存储器：如磁盘存储器和磁带存储器 光表面存储器：如光盘存储器 5.1.1 存储器的分类 2.按信息的可保存性分类 非永久性记忆的存储器：随机存取存储器RAM 属于非永久性存储器。 永久性记忆的存储器：磁性材料和光学材料做 成的存储器属于永久性存储器 5.1.1 存储器的分类 3.按在微机系统中的作用分类 主存储器：又称内存储器，简称内存 辅助存储器：又称外存储器，简称外存 高速缓冲存储器（Cache） 返回本节 5.1.2 存储器的基本性能指标 1．存储容量 存储器可以存储的二进制信息总量称为存储容量。容 量越大，意味着所能存储的二进制信息越多，系统的功能 就越强。 存储器由许多存储单元组成，每个存储单元可存放若 干个二进制位，其位数称为存储单元的长度。存储容量一 般可表示为： 存储容量＝存储器单元数×每单元二进制位数 存储容量通常以字节（B）为单位来表示，对于大容 量存储器还可以用千字节（KB）、兆字节（MB）、吉字节 （GB）、太字节（TB）等表示。 5.1.2 存储器的基本性能指标 2.存取速度 存储器的存取速度可以用存取时间和存取周期来 衡量，存取速度的度量单位通常采用ns。 存取时间：存取时间是指启动一次存储器操作到完 成该操作所用的时间。 存取周期：存取周期是指连续两次独立的存储器操 作之间的最小时间间隔。通常存取周期略大于存取 时间。 5.1.2 存储器的基本性能指标 3.价格 存储器的价格常用每位的价格来衡量。设存储器容 量为S，总价格为C，则每位价格为P=C/S。它不仅包含了 存储元件本身的价格，也包括为该存储器操作服务的外 围电路的价格。 存储器总价格与存储容量成正比，与存取速度也成正 比。一般来说，速度较快的存储器，其价格也较高，容 量也不可能太大。因此，容量、速度、价格三个指标之 间是相互制约的。 5.1.2 存储器的基本性能指标 4.功耗 一般是指每个存储单元的功耗，单位为µW/单元。 也有给出每块芯片的，单位为mW/芯片。它是一个重 要的指标，不仅关系到功耗的大小，也关系到集成度 以及在机器中的组装和散热问题。 返回本节 5.1.3 存储系统的层次结构 所谓存储系统的层次结构，就是把各种不同存储 容量、存取速度和价格的存储器按层次结构组成多层 存储器，并通过管理软件和辅助硬件有机组合成统一 的整体，使所存放的程序和数据按层次分布在各种存 储器中。 目前，在计算机系统中通常采用三级层次结构来 构成存储系统，主要由高速缓冲存储器Cache、主存 储器和辅助存储器组成，如图5-1所示。 5.1.3 存储系统的层次结构 CPU 高速缓存 主存储器 I/O 控制电路 辅存 图5-1 磁盘 光盘 磁带 存储系统的多级层次结构 返回本节 5.1.4 半导体存储器的逻辑结构 半导体存储器是一种记忆部件，可以将它看成是有数以千 万计的存储单元组成的。每一个存储单元能存储一串二进制信 息，一个单元称为存储器的一个字，每一个字有4位、8位或16 位、32位几种。一个单元的位数称为字长。每一位（bit）又 是由一个具有两种稳态的元件比如一个半导体触发器组成。这 样一个元件就是存储器的一个基本存储电路，称为存储元 （cell），它能存一位二进制数。微机中，一个字节作为一个 存储单元，半导体存储器是按存储单元编址的，每一个单元必 须有惟一的地址。存储器的逻辑结构示意图如图5-2所示。 5.1.4 半导体存储器的逻辑结构 地址译码器 地址 内容 0000H 0001H 地址总线 0002H XXXXH 读写控制总线 图5-2 数据总线 存储器的逻辑结构示意图 返回本节 5.1.5 半导体存储器的分类 双极型RAM 随机存取存储器(RAM) MOS型RAM 静态RAM(SRAM) 动态RAM(DRAM) 半导体存储器 掩摸式ROM(MROM) 可编程ROM(PROM) 只读存储器(ROM) 紫外线可擦除ROM(EPROM) 电可擦除PROM(E2PROM) 闪速存储器(Flash Memory) 图5-3 半导体存储器的分类 返回本节 5.2 随机读写存储器（RAM） 5.2.1 静态RAM 5.2.2 动态RAM 5.2.3 新型的RAM技术及芯片类型 返回本章首页 5.2.1 静态RAM 1.基本存储电路单元（六管静态存储电路） • X 地址译 码线 • • A • • T1 VCC （+5V） • T2 T5 • T6 T3 T4 D0 DO T8 T7 (I/O) •B 接 Y 地址译码器 图5-4 六管基本存储电路单元 (I/O) 5.2.1 静态RAM 2.静态RAM的结构 A0 A1 A2 A3 A4 地 址 反 相 器 Ｘ 译 码 器 1 2 31 32 驱 动 器 1 2 32×32﹦1024 存储单元 31 32 1 31 2 32 I/O 电路 输入 输出 驱动 Y 译码器 控制 电路 1 31 2 32 地址反相器 读/写 选片 A5 A6 A7 A8 图5-5 典型的RAM的示意图 A9 5.2.1 静态RAM 3. SRAM芯片实例 常用典型的SRAM芯片有6116（2KB×8位）、 6264（8KB×8位）、62256（32KB×8位）、 628128（128KB×8位）等。 （1）Intel 6116容量为2K×8位，有2048个 存储单元，需要11根地址线,其引脚及功能框 图如图5-6所示。 5.2.1 静态RAM A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 GND — — — — — — — — — — — — 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 14 13 — — — — — — — — — — — — VCC A8 A9 WE OE A10 CS D7 D6 D5 D4 D3 图5-6 6116引脚及功能框图 5.2.1 静态RAM （2） Intel 6264引脚图 NC A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 GND — — — — — — — — — — — — — — 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 — VCC — WE — CS2 — A8 — A9 — A11 — OE — A10 — CS — D7 — D6 — D5 — D4 — D3 图5-7 6264引脚 在Vcc=2V时，该芯片便 进入数据保护状态。根 据这一特点，在电源掉 电检测和切换电路的控 制下，当检测到电源电 压下降到小于芯片的最 低工作电压（CMOS电路 为4.5V),将RAM切换到镍 铬电池或锂电池提供的 备用电源供电，即可实 现断电后的长时间数据 保护。 返回本节 5.2.2 动态RAM 1.动态RAM的存储单元 数据线 图5-8 单管动态存储电路 5.2.2 动态RAM 2.动态RAM实例（Intel 2164A） NC DIN WE RAS A0 A2 A1 GND — — — — — — — — 1 2 3 4 5 6 7 8 16 15 14 13 12 11 10 9 — — — — — — — — 图5-9 2164A引脚 VCC CAS DOUT A6 A3 A4 A5 A7 5.2.2 动态RAM A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 8 位 地 址 锁 存 器 128×128 存储矩阵 1/128 行译码器 128×128 存储矩阵 128 读出放大器 128 读出放大器 1/2(1/128 列译码器) 1/2(1/128 列译码器) 128 读出放大器 128 读出放大器 128×128 存储矩阵 行时钟缓冲器 列时钟缓冲器 1/128 行译码器 1/4 I/O 门 输出 缓冲 器 128×128 存储矩阵 写允许时钟缓冲器 RAS CAS WE DIN 图5-10 2164内部结构示意图 数据输入缓冲器 DOUT 返回本节 5.2.3 新型的RAM技术及芯片类型 1.ECC RAM 2.FPM DRAM 3.EDO DRAM 4.SDRAM（Synchronous RAM,简称SDRAM） 5.RDRAM内存 6.DDR SDRAM 7.DDR2-SDRAM 返回本节 5.3 只读存储器（ROM） 5.3.1 5.3.2 5.3.3 5.3.4 掩膜ROM 可编程ROM(PROM) 紫外线可擦除可编程ROM(EPROM) 电可擦可编程ROM(EEPROM) 返回本章首页 5.3.1 掩膜ROM ROM中一旦存有信息，就不能轻易加以改变， 而且在掉电时信息也不会丢失。它在计算机系 统中是只供读出的存储器，因此它只能用在不 需要经常对信息进行修改和写入的场合，一般 只能存放固定程序，如监控程序、IBM-PC中的 BIOS程序等。 5.3.1 掩膜ROM VCC A1 A0 地 址 译 码 器 单元0 单元1 单元2 单元3 D3 图5-11 D2 D1 D0 掩膜 ROM 示意图 5.3.1 掩膜ROM 表5-1 掩膜ROM的内容 位 D3 D2 D1 D0 0 1 0 1 0 1 1 1 0 1 2 0 1 0 1 3 0 1 1 0 单 元 返回本节 5.3.2 可编程ROM(PROM) VCC 字选线 熔丝 位线 图5-12 熔丝式 PROM 存储电路 返回本节 5.3.3 紫外线可擦除可编程ROM(EPROM) 1．基本存储电路 • 字线 浮空 • Vcc • D S 位线 图5-13 EPROM的结构示意图 5.3.3 紫外线可擦除可编程ROM(EPROM) 2. EPROM实例 Intel 2716是一个16K位（2K×8位）的EPROM，用5V电 源供电。 A0~A10：地址线 D0~D7：数据线 CE ：片选端 OE ：输出允许端 Vpp：编程电压输入 Vcc：电源电压 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 O0 O1 O2 GND — — — — — — — — — — — — 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 14 13 — VCC — A8 — A9 — VPP — OE — A10 — CE — O7 — O6 — O5 — O4 — O3 图5-14 2716引脚 返回本节 5.3.4 电可擦可编程ROM(EEPROM) 用紫外线擦除的EPROM有两个明显缺点：擦除时 间较长，擦除是对芯片全体进行的，因此仍不够方便。 E2PROM较好地解决了上述两问题，它采用金属－氮－ 氧化硅集成工艺(MNOS)，在擦除时只需加高压，对指 定的单元产生电流，形成所谓电子隧道，将该单元的 信息擦除，而其它未通过电流的单元内容保持不变。 E2PROM可实现字擦除和数据块擦除两种方式，且擦除 一个字单元的时间约为10ms。 返回本节 5.4 CPU与存储器的连接 5.4.1 CPU与存储器连接时应注意的问题 5.4.2 存储器容量的形成 5.4.3 存储器片选信号的产生方式和译码电路 返回本章首页 5.4.1 CPU与存储器连接时应注意的问题 1、CPU总线的带负载能力 2、存储器的组织、地址分配与片选问题 3、CPU的时序与存储器的存取速度之间的配合 4、控制信号的连接 返回本节 5.4.2 存储器容量的形成 1. 位扩展 若芯片字数=存贮器单元数，芯片字长<存贮器字 长，则需位扩展。 例如：如果要组成1K×8位主存容量，即1KB，可 采用8片1K×1的存贮芯片拼接而成。如图5-15所示。 存储器容量 1K 8 其中，所需芯片数 （片） 8 芯片容量 1K 1 5.4.2 存储器容量的形成 4 3 地 址 线 A0 ︰ ︰ A9 数 据 线 D0 ︰ ︰ ︰ D7 2 1 1024×1 I/O I/O 5 I/O 6 I/O I/O I/O 图5-15 用1024×1位的芯片组成1K RAM的方框图 7 I/O 8 I/O 5.4.2 存储器容量的形成 位扩展的方法：将多片存贮芯片的地址端、片 选端和读/写端各自全并联在一起，而它们的数据 端分别引出，连到存贮器不同位的数据总线上。 5.4.2 存储器容量的形成 2.字扩展 若芯片字长＝存贮器字长，而芯片字数＜存贮器 单元数，则需进行字扩展。 例如，用Intel 2114（1K×4）芯片构成4K×4位 存贮器，需要进行字扩展。 地址线分配如表5-2所示；系统总线连接如图516所示。 5.4.2 存储器容量的形成 表5-2 地址线分配 A11 A10 A9 A8 A7 ┉ A0 所选芯片 0 0 ××× ┉ × 第一片 0 1 ××× ┉ × 第二片 1 0 ××× ┉ × 第三片 1 1 ××× ┉ × 第四片 5.4.2 存储器容量的形成 图5-16 用1024×1位的芯片组成1K RAM的方框图 5.4.2 存储器容量的形成 字扩展的方法是：将各芯片的地址线、数据线、读/写 线分别并联在一起，片选信号单独联接。用高位地址 （例中为A11、A10）经译码产生片选信号，选中一个 芯片工作；用低位地址(例中A0~A9)作为各芯片的片 内地址，选中对应的一个存贮单元。 5.4.2 存储器容量的形成 3.字位扩展 就单个芯片来说，无论是位方向，还是字方向都 不满足要求，都要进行扩展，即字位扩展。 例如：用256×4位的芯片组成1KB RAM的存贮器。 如图5-17所示。 其中，所需芯片数 存储器容量 1K 8 4 2 （片） 8 芯片容量 256 4 每二片一组进行位扩展构成256×8位容量，4组 进行字扩展构成1K×8位的容量。 5.4.2 存储器容量的形成 译 码 器 A8 A9 A0 CE 地 址 线 数 据 线 A0 ︰ ︰ A7 D0 ︰ ︰ ︰ D7 2 A0 CE 1 256×4 I/O A7 I/O 图5-17 A0 CE A0 CE 3 256×4 I/O A7 I/O 4 A0 CE A0 CE 5 256×4 I/O A7 I/O 6 A0 CE 8 A0 CE 7 256×4 I/O A7 I/O 用256×4位的芯片组成1K RAM的方框图 返回本节 5.4.3 存储器片选信号的产生方式和译码电路 1.74LS138译码器的应用 74LS138是一种三-八译码器， 有三个输入端：A、B、C 8个输出端：Y0~Y7,低电平有效 三个使能端：G1、G2A、G2B 当满足条件G1=1， G2A = G2B =0时， 芯片工作。 A B C G2A G2B G1 Y7 GND — — — — — — — — 1 2 3 4 5 6 7 8 16 15 14 13 12 11 10 9 — VCC — Y0 — Y1 — Y2 — Y3 — Y4 — Y5 — Y6 图5-18 74LS138引脚 5.4.3 存储器片选信号的产生方式和译码电路 表5-3 74LS138的真值表 5.4.3 存储器片选信号的产生方式和译码电路 2.片选信号的产生方式 片选信号是由高位地址线产生的。地址线可分为高位地址 线和低位地址线两部分。低位地址线是直接连接到存储器芯片的 地址引脚，低位地址的根数等于芯片地址引脚数，即A0~An-1，n 的值取决于芯片的单元数。 产生片选信号有以下几种方法： 全译码法 局部译码方式（部分译码法） 线选方式（线选法） 5.4.3 存储器片选信号的产生方式和译码电路 （1）全译码法 将系统地址总线中除存储器芯片本身占用地址线 以外的全部高位地址通过地址译码器进行译码后，产 生片选信号。 全译码的优点：地址唯一，片与片之间的地址是 连续的。 例如：采用全译码法，用8K×8位的芯片组成 32KBRAM的存贮器。如图5-19所示。 5.4.3 存储器片选信号的产生方式和译码电路 图5-19 全译码结构图 5.4.3 存储器片选信号的产生方式和译码电路 每片芯片的地址范围 5.4.3 存储器片选信号的产生方式和译码电路 （2）局部译码方式（部分译码法） 高位地址线的一部分（不是全部）接到地址译码 器的输入端参加译码，把译码器的输出的信号作为各 芯片的片选信号，将它们分别连接到存储器芯片的片 选端，实现片选。 特点：片和片之间是连续的，但地址不是唯一的。 例如：采用部分译码法，用8K×8位的芯片组成 32KBRAM的存贮器。如图5-20所示。 5.4.3 存储器片选信号的产生方式和译码电路 图5-20 部分译码结构图 5.4.3 存储器片选信号的产生方式和译码电路 每片芯片的地址范围 以上A19 A18 都按0计算，实际上它们可以取值：00、01、10、11。 A19 A18取01、10、11值时所得到地址与上面的地址是重叠的。 5.4.3 存储器片选信号的产生方式和译码电路 （3）线选方式（线选法） 用某根高位地址直接作为片选信号线。 特点：片和片之间是不连续的，地址不是唯一的。 例如：采用线选法，用8K×8位的芯片组成32KBRAM 的存贮器。 图5-21 线选法译码结构图 5.4.3 存储器片选信号的产生方式和译码电路 每片芯片的地址范围如下（A19A18 A17都按0计 算的，实际上它们的取值有8种组合，地址是重叠的） 返回本节 5.5 外存储器 5.5.1 5.5.2 5.5.3 5.5.4 5.5.5 5.5.6 5.5.7 概述 IDE/ATA SATA SCSI 硬盘 CD、DVD及驱动器 闪存 返回本章首页 5.5.1 概述 外存储器是CPU不能直接访问的存储器，它需要经 过内存储器与CPU及I/O设备交换信息，用于长久地存 放大量的包括暂不使用的程序和数据。外存储器有三 种基本的存储类型： 磁存储器：Disk,包括硬盘、软盘、磁带、ZIP、Click以及 Microdrive 光存储器：Disc，包括CD和DVD 闪存：广泛应用于各类数码设备，同时也可以作为PC系统中 方便携带的外存储器。 5.5.1 概述 外存储器通过各种不同的接口和PC系统相连，通常磁存储 器和光存储器使用IDE、SATA和SCSI等接口，也可以使用适配 器设备来提供USB、IEEE-1394、并口、PCMCIA、eSATA等接口。 例如，IDE/ATA接口的硬盘可以使用外置硬盘盒和系统的USB或 IEEE-1394接口，甚至是并口相连。闪存盘通常采用USB接口； 各种闪存卡一般都采用专用接口，需要通过适配器才能在PC机 上使用。 5.5.1 概述 硬盘接口是硬盘与主机系统间的连接部件，作用是在硬盘 缓存和主机内存之间传输数据。不同的硬盘接口决定着硬盘与 计算机之间的连接速度，在整个系统中，硬盘接口的优劣直接 影响着程序运行快慢和系统性能好坏。 从整体的角度上，硬盘接口分为： IDE：IDE接口硬盘多用于家用产品中，也部分应用于服务器。 SATA：一种新生的硬盘接口类型，还正处于市场普及阶段， 在家用市场中有着广泛的前景。 SCSI： SCSI接口的硬盘则主要应用于服务器市场。 光纤通道：光纤通道只在高端服务器上，价格昂贵。 返回本节 5.5.2 IDE/ATA 1．IDE与ATA IDE接口类型主要存在以下三种 ATA IDE（16位） XT IDE（8位ISA） MCA IDE（16位微通道） 目前，只有ATA（AT Attachment，AT嵌入式接口） 还在使用。因为ATA接口是一种16位并行接口，可以 同时传输16位数据。所以ATA又被称为并行ATA，也 称为PATA。现在，我们常直接用IDE来称呼ATA。 5.5.2 IDE/ATA 2．ATA版本和传输模式 ATA已开发出的几个标准版本按时间顺序依次是： ATA-1：1986-1994 ATA-2：1996；也称为快速ATA，快速ATA-2或增强型 IDE-EIDE） ATA-3：1997 ATA-4：1998；也称为Ultra-ATA/33 ATA-5：1999至今；也称为Ultra-ATA/66 ATA-6：2000至今；也称为Ultra-ATA/100 ATA有三种不同的传输模式： PIO（Programmed I/O）模式 DMA（Direct Memory Access）模式 Ultra-DMA（UDMA）模式 5.5.2 IDE/ATA 3.ATA接口连接器 图5-22 ATA接口连接器 5.5.2 IDE/ATA 4.ATA数据线 ATA数据线专门用于承载主板ATA适配器电 路和ATA驱动器接口连接器之间的信号。现在 使用的ATA数据线有两种主要类型，一种是40 线，另一种是80线。两者都使用相同的40针 ATA接口连接器，并且都将第1位线缆的颜色标 红。注意：40线数据线并没有颜色标识，而所 有的80线数据线则都有颜色标识。 返回本节 5.5.3 SATA 1.SATA概述 SATA接口：SATA是Serial ATA的缩写，即串行ATA。这 是一种完全不同于并行ATA的新型硬盘接口类型，由于采用 串行方式传输数据而得名。使用SATA（Serial ATA）口的 硬盘又叫串口硬盘，是未来PC机硬盘的趋势。它的优点有： 一对一连接，没有主从盘的烦恼，每个设备都直接与 主板相连，独享150M字节/秒带宽，设备间的速度不会 互相影响。 支持热拔插 数据传输更加可靠 低电压信号 带宽升级潜力大 具备了更强的纠错能力 接线要简单得多，而且容易收放，对机箱内的气流及 散热有明显改善 5.5.3 SATA 2.SATA驱动器连接器及线缆 图5-23 SATA驱动器连接器及线缆 返回本节 5.5.4 SCSI SCSI的英文全称为“Small Computer System Interface”（小型计算机系统接口），使用50针接口， 外观和普通硬盘接口有些相似，但同IDE（ATA）是完 全不同的接口，IDE接口是普通PC的标准接口，而SCSI 并不是专门为硬盘设计的接口，是一种广泛应用于小 型机上的高速数据传输技术，随着电脑技术的发展， 现在它被完全移植到了普通PC上，主要应用于中、高 端服务器和高档工作站中 。 SCSI接口可以连接的硬盘驱动器容量可达100GB， 数据传输速率达10Mbit/s~160Mbit/s。 返回本节 5.5.5 硬盘 1．硬盘概述 图5-24 硬盘结构 5.5.5 硬盘 2.硬盘的性能参数 单碟容量 转速 平均寻道时间 平均潜伏时间 平均访问时间 缓存 数据传输率 连续无故障时间 硬盘表面温度 返回本节 5.5.6 CD、DVD及驱动器 1． DVD概述 DVD代表数字通用光盘（Digital Versatile Disc），简称高容量CD。 正确区分DVD-Video标准和DVD-ROM标准很重要。 DVD-Video只能存储视频程序，并使用DVD播放器连接 到电视机或某种专用音频系统播放；DVD-ROM是一种 数据存储媒体，可以通过PC机或其他类型的计算机访 问。计算机DVD-ROM驱动器可以播放DVD-Video（以 MPEG-2款/硬件编码），但DVD视频播放器却不能访问 DVD-ROM上的数据。 5.5.6 CD、DVD及驱动器 2． CD-ROM技术 CD-ROM，又称为致密盘只读存储器，是一种只读 的光存储介质。它是基于原本用于音频CD的CD-DA （Digital Audio）格式发展起来的。其他的格式， 如CD-R和 CD-RW则通过使得光盘可以写入来扩展它的 能力。 5.5.6 CD、DVD及驱动器 3. 可刻录光盘 目前主要有两种可刻录CD，它们分别是CD-R和CD-RW。 而DVD刻录有DVD-R/RW、DVD+R/RW和DVD-RAM。 4．可刻录驱动器 将DVD-ROM驱动器和可刻录CD驱动器合二为一，这种驱 动器通常被称为COMBO（康宝）。 5. 光雕技术 光雕（LightScribe）技术是一种盘面光刻技术，它 利用可刻录驱动器的激光和带有特殊涂层的光盘，将文本 和图形“蚀刻”到CD或DVD的表面。它需要驱动器、光盘 和软件三方面的支持。 返回本节 5.5.7 闪存 1．闪存的基本概念 闪存的英文名称是flash memory，一般简称 为flash。常见的使用闪存的外存储器设备有闪存 盘和闪存卡。 2．闪存盘 闪存盘通常又被称为U盘或优盘，是目前PC系 统最主要的移动存储设备，一般采用USB接口与PC 机连接。闪存盘的组成包括闪存芯片、USB I/O控 制芯片及接口连接器三大部分。根据应用方面的 特性可以分为很多种类，常见的有：无驱动型、 启动型、加密型。 5.5.7 闪存 3．闪存卡 闪存卡通常应用于各种数码设备，主要有以下几 种类型：CF（Compact Flash）、SM（Smart Media）、 MMC（MultiMedia Card）、记忆棒（Memory Stick）、 SD（Secure Digital）、xD（eXtreme Digital）。 5.5.7 闪存 4．闪存的速度和容量 闪存的容量从早年的8MB、32MB、64MB发展至现 今的1GB、2GB，而且还在朝着更大的方向飞速发展。 闪存盘的接口通常是USB 1.1或USB 2.0，采用USB 2.0接口的速度达到了10MB/s左右。闪存卡的速度除 了采用MB/s表示以外，还会像CD-ROM驱动器一样采用 xx速来表示，其中基准速率也是150KB/s。达到40速 （即6MB/s）的存储卡往往被称为高速卡。随着技术 的发展，60x、80x乃至160x的记忆卡不断涌现，逐渐 成为市场的主流。 5.5.7 闪存 5．适配器设备 用于将各种专有接口的闪存卡接连到PC机的适配 器设备有很多种，它们提供的接口丰富多样，分别可 以提供PCMCIA、IDE、USB接口。 结 束放映 返回本章首页