Transcript Studii si cercetari pentru identificarea de noi metode

Experimentari tehnologice
cu instalatia multifunctionala pentru
depuneri de straturi subtiri in vid din dotarea DFH, pentru
determinarea parametrilor tehnologici in vederea realizarii
straturilor subtiri lubrifiante multiple,
cu grosime superlattice (1-10nm)
nanometrica (10-100nm) si micrometrica (>100nm)
prevazute in cererile de brevet de inventie ale IFIN-HH
inregistrate la OSIM cu nr.
A/00621; A/00622; A/00623 si A/00729/30.06.2011
Program NUCLEU - Proiect PN 09 37 01 03
31.05.2013
Gheorghe Mateescu
Alice Mateescu
Cuprins
1.
Obiectivul fazei – Dry Lubricant Coatings
2.
Prezentarea instalatiei multifunctionale penrru depuneri de straturi
subtiri in vid prin metoda Pulverizarii Magnetron in c.c./ c.c. pulsat/ RF
(IM-DSSV-PM)
3.
Materiale de interes pentru realizarea acoperirilor tribologice prin
metoda Pulverizarii Magnetron Standard/ Reactiv in cc/ cc-pulsat/ RF
4.
Magnetroane de pulverizare – Generalitati
5.
Evaluarea capabilitatilor tehnice ale instalatiei
6.
Experimentari tehnologice in vederea stabilirii domeniului de variatie al
presiunilor de lucru si al ratelor de depunere pentru materialele
utilizate
7.
Depunerea unor materialele lubriafiante uscate
1.
Concluzii
2.
Bibliografie
31.05.2013
PN 09 37 01 03
2
1.1. Obiectul CBI A/00621; A/00622; A/00623; A/00729
1.2. Obiectivul fazei si Modul de realizare
1.
Noi Procedee si Noi Materiale de realizare a acoperirilor tribologice tip
DRY LUBRICANT COATINGS
2-A) Determinarea parametrilor tehnologici ai IM-DSSV-PM din DFH in
vederea realizarii straturilor subtiri lubrifiante multiple, cu grosime:
.
a) superlattice (1-10nm)
b) nanometrica (10-100nm)
c) micrometrica (>100nm)
2-B) Evaluarea capabilitatilor tehnice ale instalatiei pentru realizarea
acoperirilor tribologice cu structura superlattice, nanometrica,
micrometrica, prin Pulverizare Magnetron (PM) Standard/Rectiv in CC si
RF, din urmatoarele materiale: Ti; Al; C si Se
•
•
•
Timp de vidare; vid limita, neetanseitati
Determinarea vidului dinamic de echilibru (cu aport de gaz) si compararea
acestuia cu domeniul de lucru al magnetroanelor
Determinarea parametrilor tehnologici (q/p; Umag si Imag; R) pentru depunerea:
1) Ti; Al; C si Se- prin PM-S in CC (materiale cu conductivitate electrica de tip metalic)
2) TiN – prin PM-R in CC (compusi metalici)
3) C si PTFE – prin PM in RF (materiale semimetalice si izolante)
31.05.2013
PN 09 37 01 03
3
Domenii de utilizare a rezultatelor fazei
1.
Realizarea de acoperiri tribologice nanocompozite monostrat/
multistrat din materiale lubrifiante de top: C; MoS2; WS2; TiSe2;
TaSe2; NbSe2; hBN: PTFE
Acoperirile nanocompozite lubrifiante contin 2 faze nemiscibile: o
faza nanocristalina dintr-un material lubrifiant de top (C; hBN;
MoS2; WS2; TaSe2, etc.) dispersata intr-o matrice nanocristalina
sau amorfa de tip:
a) Ceramic (oxizi, carburi, nitruri, siliciuri)
b) Metalic (Ti, Al, W etc.)
c) Polimeric (PTFE)
1.
Realizarea de acoperiri tribologice monostrat sau multistrat
din materiale cu proprietati complementar-cumulative
3.
Realizarea de acoperiri monostrat cu compozitie graduala
31.05.2013
PN 09 37 01 03
4
Acoperiri tribologice
tip “Dry Lubricant Coatings”
1.
2.
3.
4.
5.
6.
Functie de conditiile de lucru si de mediu si in acord cu revendicarile din CBI
mentionate anterior acoperirile tribologice trebuie sa indeplineasca partial
sau in totalitate urmatoarele caracteristici esentiale (proprietati
complementar-cumulative):
Coeficient de frecare redus
Duritate ridicata
Tenacitate ridicata
Aderenta buna la substrat
Conductivitate termica ridicata
Rezistenta mare la coroziune
Lubrifianti solizi utilizati initial in domeniul aerospatial:
1. Solizi lamelari, precum: “chalcogene” ale metalelor de tranzitie (ca
de ex.: MoS2 si WS2) si Grafit;
2. Metale moi (ca de ex.: Pb; Au; Ag; In);
3. Polimeri (ca de ex.: Poliamide si Polytetrafluorethylene=PTFE)
31.05.2013
PN 09 37 01 03
5
2. Prezentarea IM-DSSV-PM
Figura 2 - IM-DSSV-PM_Incinta
Figura 1 - IM-DSSV-PM
31.05.2013
PN 09 37 01 03
Figura 3 – Ansamblu magnetroane
6
3. Materiale de interes pentru realizarea
acoperirilor tribologice prin metoda Pulverizarii
Magnetron Standard/ Reactiv in c.c./ c.c. pulsat/ RF
Depunere prin
Pulverizare Magnetron (PM)
Standard (S) in:
Nr. Crt.
Materialul tintei
de pulverizare
Temp. de
topire(Tt in 0C)
Greutate
specifica
γ
(in g/cm3)
Rezistivitate ρ
(in Ω.m)
tip Reactiv (R) in:
CC
HPMS
RF/
ccpulsat
CC
HPMS
RF/
ccpulsat
Rezultate de interes
pentru acoperirile
tribologice:
1. co-pulverizarii cu
Se
2. PMR-cu gazul
reactiv
1
Ag
962
10,5
1,59.10-8
x
x
x
x
x
x
2
Al
660
2,70
2,82.10-8
x
x
x
x
x
x
N2 → AlN
CH4
C2H2
C6H6
N2
3
B
2300
2,34
1,06
-
4
C -Grafit
≈3625
1,8-2,1
3.10-3
x
5
Mo
2610
10,2
x
x
6
Nb
2468
8,57
x
1541
4,81
PN
-7
1,2.10
09 37
01
03x
7
Se
31.05.2013
-
→ B4C
→ B 4C
→ B4C
→ BN
x
-
-
x
x
-
-
-
x
x
x
Mo& Se→ MoSe2
x
x
x
x
Nb& Se → NbSe2
x
x
x7
x
Se+Metal
Material lubrifiant
Depunere prin
Pulverizare Magnetron (PM)
Standard (S) in:
Nr.
Crt,
8
Materialul tin
Tintei de
pulverizare
Ta
Temp. de
topire(Tt in 0C)
2996
Greutate
specifica
γ
(in g/cm3)
16,6
9
Ti
1660
4,5
10
V
1890
5,96
11
Zn
420
7,14
12
Zr
1852
13
Y
1522
14
W
31.05.2013
3410
Rezistivitat
e
ρ
(in Ω.m)
4,2.10-7
tip Reactiv (R) in:
CC
HPIMS
RF/
cc-pulsat
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
6,49
x
x
x
4,47
x
x
x
19,35
5,9.10-8
5,6.10-8
x
x
PN 09 37 01 03
CC
x
Rezultate de interes
pentru
acoperirile
tribologice:
HPIMS
RF/
cc-pulsat
x
x
Ta& Se → TaSe2
x
Ti& Se → TiSe2
CH4 → TiC
C2H2 → TiC
C6H6 → TiC
N2 → TiN
O2 → TiO2
-
1. co-pulverizarii cu Se
2. PMR-cu gazul reactiv
W& Se → WSe2
CH4 → W2C
C2H2 → W2C
C6H6 → W2C
x
8
Depunere prin
Pulverizare Magnetron (PM)
Standard (S) in:
Nr.
crt.
Material
Tinta de
pulverizare
Temp. De
topire(Tt in 0C)
Greutatea
specifica
γ
(in g/cm3)
Rezistivitat
ρ
(in Ω.m)
tip Reactiv (R) in:
Rezultate de interes
pentru acoperirile
tribologice:
CC
HPIMS
RF/
cc-pulsat
CC
RF/
cc-pulsat
HPIMS
1. co-pulverizarii cu Se
2. PMR-cu gazul reactiv
15
AlN
>2200
3,26
>1012
x
-
16
Al2O3
2072
3,97
1,014.101
-
-
x
17
B4 C
2350
2,52
10-3…10-4
-
-
x
18
BN/hBN
≈3000
2,25
>1010
-
-
x
-
19
MoS2
1185
4,80
5.103
-
-
x
-
x
Proprietati de
izolator
electric
20
TaC
3880
13,93
x
-
x
x
-
x
N2
21
TaN
3360
16,30
-
-
x
-
-
x
CH4 → TaCN
C2H2 → TaCN
C6H6 → TaCN
22
TiC
3140
4,93
(3...8).10-5
x
-
x
x
-
x
N2
5,22
1,15.10-7
x
CH4 → TiCN
C2H2 → TiCN
C6H6 → TiCN
23
TiN
31.05.2013
2930
x
-
PN 09 37 01 03
x
x
x
-
x
-
x
Proprietati de
izolator
electric
9
→ TaCN
→ TiCN
Depunere prin
Pulverizare Magnetron (PM)
Standard (S) in:
Nr.
Crt.
Material
tinta de
pulverizare
Temp. De
topire(Tt in 0C)
Greutate
specifica
γ
(in g/cm3)
tip Reactiv (R) in:
Rezultate de interes
pentru acoperirile
tribologice:
Rezistivitat
ρ
(in Ω.m)
CC
HPIMS
RF/
cc-pulsat
CC
HPIMS
RF/
cc-pulsat
24
TiO2
1830
4,26
-
-
x
-
-
-
25
Y2O3
2410
5,01
-
-
x
-
-
-
26
W2C
2860
17,15
x
x
-
-
-
27
WS2
1250
7,5
-
x
-
-
-
x
28
PTFE
31.05.2013
330
2,9
8.10-7
1023
…1
025
PN 09 37 01 03
1. co-pulverizarii cu Se
2. PMR-cu gazul reactiv
Proprietati de
semiconductor
-
-
10
Structura cristalina WS2 si MoS2
Structura cristalina a politipurilor 2Hc-WS2 si 2Hc-MoS2, cu detaliere pentru:
a) Planurile atomice; Legaturile chimice dintre planurile atomice; Legaturile de
coordinatie, ale atomilor metalici (W sau Mo); Constantele de retea; Celula
elementara;
b) Poliedrele de coordinatie (prisme triunghiulare) ale atomilor metalici (W sau Mo);
c) Celulele elementare si poliedrele de coordinatie ale structurii cristaline;
d) Secventa de impachetare compacta (AbA BaB) a planurilor atomice de S si Me
in plan vertical;
e) Secventa de impachetare schematica (AbA BaB) a planurilor atomice de S si Me
in plan vertical;
f) Secventa de impachetare compacte (AbA BaB) a planurilor atomice de S si Me
in plan orizontal;
g) Secventa de impachetare schematica (AbA BaB) a planurilor atomice de S si Me
in plan orizontal;
• Constantele de retea pentru WS2: a = 3,154Å; c/2 = 6,181Å; c = 12,362Å;
• Constantele de retea pentru MoS2: a = 3,16Å; c/2 = 6,15Å; c = 12,30Å;
31.05.2013
PN 09 37 01 03
11
Figura 4 – Structura cristalina WS2/ MoS2
31.05.2013
PN 09 37 01 03
12
Figura 4 – Structura cristalina WS2/ MoS2
31.05.2013
PN 09 37 01 03
13
Structura cristalina a grafitului natural
a)
b)
Figura 5 - Structura cristalina a grafitului natural
cu impachetare AA (politipul 2H)
a) Vedere spatiala
b) vedere in plan
31.05.2013
PN 09 37 01 03
14
Figura 6 - Structura cristalina a grafitului natural
cu impachetare AB AB (politipul 2H)
a) Vedere spatiala cu detalierea celulei elementare si a constantelor de retea
31.05.2013
PN 09 37 01 03
15
Figura 6 - Structura cristalina a grafitului natural
cu impachetare AB AB (politipul 2H)
b) Vedere in plan orizontal a structurii de tip hexagon centrat
(fagure de miere)
31.05.2013
PN 09 37 01 03
16
Figura 7 - Structura cristalina a grafitului natural
cu impachetare ABC (politipul 2H)
Vedere spatiala cu detalierea celulei elementare si a constantelor de retea
31.05.2013
PN 09 37 01 03
17
Structura cristalina a nitrurii de bor hexagonala (h-BN
Figura 8 a) - Schema structurala spatiala pentru nitrura de bor hexagonala (h-BN)
cu impachetare AA AA
31.05.2013
PN 09 37 01 03
18
Figura 8 b) - Schema structurala plana pentru nitrura de bor hexagonala (h-BN),
cu impachetare AA AA
31.05.2013
PN 09 37 01 03
19
Figura 9 a) - Schema structurala spatiala pentru nitrura de bor hexagonala (h-BN)
cu impachetare ABC
31.05.2013
PN 09 37 01 03
20
4. Magnetroane de pulverizare - Generalitati
Date tehnice
penru magnetroanele
ONIX-2TM
31.05.2013
PN 09 37 01 03
21
Domeniul teoretic si practic de lucru al magnetroanelor
Domeniul teoretic de lucru al magnetroanelor:
0,5 ... 50 mTorr = 5.10-4 .... 5.10-2 Torr
1Torr = 1,33322 mbar
1mbar = 0,75 Torr
Rezulta domeniul de lucru al magnetroanelor:
6,65.10-4 mbar ..... 6,65.10-2 mbar
Domeniul practic de lucru al magnetroanelor (cu tinta metalica avand
grosimea de 0,25’ =6,125mm) fara a se tine cont de materialul tintei de
pulverizare, este prezentat cu galben-aprins in tabelul urmator, iar cu galbendeschis sunt prezentate limitele domeniului teoretic in care se preconizeaza ca
functionarea magnetroanelor este posibila, dar instabila.
31.05.2013
PN 09 37 01 03
22
Randament de pulverizare si rata de pulverizare
S= randament de pulverizare = Nr. de atomi pulverizati/ Nr. de atomi incidenti
S = 0 …. 10 [atomi/ion] si depinde de:
-masa si energia atomului incident
-unghiul de impact al atomului incident
-materialul tintei de pulverizare
R = Rata de pulverizare = M/(ρ.NA.e) x S.jp [Ǻ/s]
M = masa [kg/mol]
ρ = densitatea materialului [kg/m3]
NA =6,02x10 E 26 (Nr. lui Avogadro)
e = 1,6 x 10E-19 [As ]= Sarcina electronului
S = randamentul de pulverizare [atomi/ion]
jp = densitatea curentului de ioni incidenti [a/m2]
R/2r = Nr. de monostraturi pe secunda
r = Raza atomului depus
r-W =1,37Ǻ = 0,137nm; r-Ag = 1,45Ǻ=0,145nm
Folosind o rata de depunere R=0,1 Ǻ/s , un monostrat cu grosime superlattice (110nm) din W se depune in 13-130 s
31.05.2013
PN 09 37 01 03
23
Randament de pulverizare si rate de pulverizare
pentru materialele uzuale
Material tinta
Densitate [g/cc]
Randamentul la 600 eV
Rata* (Å/sec)
Ag
10.5
3.4
380
Al
2.7
1.2
170
Au
19.31
2.8
320
Be
1.85
0.8
100
B4C
2.52
20
BN
2.25
20
C
2.25
0.2
20
Mo
10.2
0.9
120
MoS2
4.8
Nb
8.57
0.6
80
Ni
8.9
1.5
190
Pd
12.02
2.4
270
Pt
21.45
1.6
205
Si
2.33
0.5
80
31.05.2013
PN 09 37 01 03
40
24
Material tinta
Densitate [g/cc]
SiC
3.22
50
SiO2
2.63
70
Sn
5.75
800
SnO
6.45
20
Ta
16.6
TaN
16.3
40
Ta2O5
8.2
40
Th
11.7
0.7
85
Ti
4.5
0.6
80
TiN
5.22
40
TiO2
4.26
40
V
5.96
0.7
85
W
19.35
0.6
80
31.05.2013
Randamentul la 600 eV
PN 09 37 01 03
0.6
Rata* (Å/sec)
85
25
Material tinta
Densitate [g/cc]
Randamentul la 600 eV
Rata* (Å/sec)
W90Ti10
14.6
80
WC
15.63
50
Y
4.47
YBCO
5.41
10
Zn
7.14
340
ZnO
5.61
40
ZnS
3.98
10
Zr
6.49
ZrO2
5.6
40
PN 09 37 01 03
26
31.05.2013
0.6
0.7
85
85
Rata de pulverizare (Ǻ/s)
pentru magnetronul rectangular MPC 100-Balzers
Figura 10 – Ratele de pulverizare pentru magnetron rectangular
31.05.2013
PN 09 37 01 03
27
Rata uzuala de depunere pentru diferite materiale
31.05.2013
PN 09 37 01 03
28
5. Evaluarea capabilitatilor tehnice ale instalatiei
Timp
(Minute)
Presiune
(mbar)
Timp
(Minute)
Presiune
(mbar)
Timp
(Minute)
Presiune
(mbar)
Timp
(Minute)
Presiune
(mbar)
2
30
27
1,2.10-5
55
5,6.10-6
81
3,7.10-6
4
3
29
1,1.10-5
56
5,5.10-6
83
3,6.10-6
6
1,1
31,3
1,0.10-5
58
5,3.10-6
86
3,5.10-6
7
2,0.10-1
33
9,7.10-6
60
5,1.10-6
88
3,4.10-6
8
3,5.10-4
36
9,0.10-6
61
5,0.10-6
91
3,3.10-6
9
1,5.10-4
38
8,4.10-6
62
4,9.10-6
94
3,2.10-6
10
8,0.10-5
40
8,0.10-6
63
4,8.10-6
97
3,1.10-6
11
6,0.10-5
41
7,7.10-6
64
4,7.10-6
100
3,0.10-6
12
4,3.10-5
42
7,6.10-6
66
4,6.10-6
104
2,9.10-6
14
3,1.10-5
43
7,4.10-6
67
4,5.10-6
108
2,8.10-6
16
2,5.10-5
44
7,2.10-6
68
4,4.10-6
112
2,7.10-6
17
2,3.10-5
45
7,0.10-6
70
4,3.10-6
117
2,6.10-6
18
2,0.10-5
47
6,7.10-6
71
4,2.10-6
122
2,5.10-6
20
1,8.10-5
48
6,5.10-6
73
4,1.10-6
129
2,3.10-6
22
1,6.10-5
51
6,3.10-6
75
4,0.10-6
142
2,2.10-6
24
1,4.10-5
52
6,0.10-6
77
3,9.10-6
150
2,1.10-6
26
1,3.10-5
53
5,8.10-6
79
3,8.10-6
159
2,0.10-6
1200
(20h)
3,0.10-7
31.05.2013
PN 09 37 01 03
29
Evolutia
vidului
in camera
tehnologica
Neetanseitate camera tehnologica
31.05.2013
PN 09 37 01 03
30
6. Experimentari tehnologice in vederea stabilirii domeniului
de variatie al presiunilor de lucru
si al ratelor de depunere pentru materialele utilizate
QAr Debit gaz
(cm3/min)
Presiune
TV1
(mbar)
Presiune
TV2
(mbar)
QAr –
Debit gaz
(cm3/min)
Presiune
TV1
(mbar)
Presiune
TV2
(mbar)
QAr –
Debit gaz
(cm3/min)
Presiune
TV1
(mbar)
Presiune
TV2
(mbar)
0,5
5.0.10-6
-
110
3,3. 10-3
1,19.10-2
390
1,6. 10-2
5,52.10-2
1
3,7.10-5
-
120
3,4. 10-3
1,28.10-2
400
1,8. 10-2
5,84.10-2
2
1,1.10-4
-
131
3,5. 10-3
1,35.10-2
410
1,9. 10-2
6,18.10-2
3
1,8.10-4
-
140
3,6. 10-3
1,46.10-2
420
2,1. 10-2
6,54.10-2
4
2,6.10-4
-
150
3,7. 10-3
1,54.10-2
440
2,5. 10-2
7,28.10-2
5
3,5.10-4
2,5.10-3
160
3,8. 10-3
1,63.10-2
450
2,7. 10-2
7,71.10-2
10
4,1.10-4
2,9.10-3
180
4,1. 10-3
2,00.10-2
470
3,1. 10-2
8,35.10-2
15
7,4.10-4
3,0.10-3
200
4,0. 10-3
1,07.10-2
480
3,3. 10-2
8,80.10-2
20
9,5.10-4
3,3.10-3
220
3,7. 10-3
2,26.10-2
490
3,5. 10-2
9,28.10-2
25
1,3.10-3
5,3.10-3
240
4,4 10-3
2,48.10-2
500
3,8. 10-2
9,76.10-2
30
1,4. 10-3
5,8.10-3
250
4,8. 10-3
2,62.10-2
510
4,0. 10-2
1,02.10-1
40
1,7. 10-3
6,6.10-3
310
7,3. 10-3
3,70.10-2
540
5,1. 10-2
1,85.10-1
50
2,0. 10-3
7,3.10-3
320
8,2. 10-3
3,84.10-2
550
5,6. 10-2
1,25.10-1
60
2,4. 10-3
8,0.10-3
330
9,4. 10-3
4,03.10-2
560
6,0. 10-2
1,31.10-1
70
2,6. 10-3
8,6.10-3
340
1,0. 10-2
4,32.10-2
570
6,6. 10-2
1,39.10-1
80
2,8. 10-3
9,4.10-3
350
1,1. 10-2
4,55.10-2
580
7,2. 10-2
1,48.10-1
90
3,0. 10-3
1,02.10-2
360
1,3. 10-2
4,72.10-2
600
8,3. 10-2
1,63.10-1
100
3,2. 10-3
1,07.10-2
380
1,5. 10-2
5,20.10-2
620
1,0. 10-1
1,935.10-1
31.05.2013
PN 09 37 01 03
31
Presiune [mbar]
Debit gaz [cm3/min]
31.05.2013
Figura 11 – Variatia presiunii de echilibru
in spatiul tehnologic,
functie de debitul de gaze
(Argon si Azot) introdus
PN 09 37 01 03
32
7. Depunerea unor materiale lubrifiante uscate
Figura 12 – Variatia ratei de depunere,
a tensiunii si a curentului,
fiunctie de puterea
injectata in plasma,
pentru grafit
31.05.2013
PN 09 37 01 03
33
Figura 13 – Variatia ratei de depunere,
a tensiunii si a curentului,
fiunctie de puterea
injectata in plasma,
pentru Se
31.05.2013
PN 09 37 01 03
34
Parametrii tehnologici pentru depunere Ti
31.05.2013
PN 09 37 01 03
35
Parametrii tehnologici pentru depunere Al
31.05.2013
PN 09 37 01 03
36
Parametrii tehnologici pentru depunere C
31.05.2013
PN 09 37 01 03
37
Parametrii tehnologici de realizare a nitrurilor metalice de Al si Ti
prin pulverizare magnetron reactiva in cc
Materialele metalice precum Ti si Al, dar si nitrurile acestor metale
(experimentate in acesta faza) si in acord cu CBI sunt utilizate ca material
dopant (2-10%) pentru materialele lubrifiante de top: C; hBN; TaSe2; WS2;
MoS2, etc. in vederea realizarii acoperirilor lubrifiante nanocompozite
Parametrii tehnologici utilizati pentru realizarea TiN si AlN:
Parametrii plasmei magnetron
QAr +QN2
(cm3/min )
Presiune-TV1
(mbar)
TiN
25+10
AlN
20+10
Material
U (V)
I (mA)
P
(% din Pmax)
1,5.10-3
400
499
50
6...9
1,4.10-3
365
446
40
6 ...8
Pmax = 600W
31.05.2013
R
(Å/s)
PN 09 37 01 03
38
Depunere Ti cu R=0,80Ǻ/s
31.05.2013
PN 09 37 01 03
39
Depunere Al cu R=1,46 Ǻ/s
31.05.2013
PN 09 37 01 03
40
Depunere Seleniu cu R=1 …1,91Ǻ/s
31.05.2013
PN 09 37 01 03
41
Depunere Seleniu cu R=1,48Ǻ/s
31.05.2013
PN 09 37 01 03
42
8. Concluzii
• Instalatia Multifunctionala din dotarea DFH, pentru depuneri de
straturi subtiri in vid prin metoda Pulverizarii Magnetron Standard
sau Reactiv, in DC si RF permite realizarea de straturi multiple cu
structura superlattice, nanometrica si micrometrica
• Faza a dat posibilitatea de determinare a parametrilor tehnologici de
depunere a catorva materiale de (Ti, Al, C; Se) ce se intentioneaza a
fi utilizate in cadrul proiectului “NOI ACOPERIRI LUBRIFIANTE
USCATE NANOSTRUCTURATE PENTRU APLICATII
TRIBOLOGICE, OBTINUTE PRIN METODE DE DEPUNERE CU
DESFASURARE IN VID SAU IN ATMOSFERA DESCHISA
(ACOPERIRI LUBRIFIANTE USCATE)”,
31.05.2013
PN 09 37 01 03
43
9. Bibliografie
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
Carte tehnica “Instalatie Multifunctionala pentru depuneri de straturi subtiri in vid prin pulverizare magnetron”Torr International Inc.-USA
Carte tehnica –Thin Film Deposition Controller type SQC-310.
Tehnologii Avansate-Straturi subtiri depuse in vid, Gheorghe Mateescu, 2000, Editura Doroteea, Lucrare editata cu
sprijinul MCT.
A novel pulsed magnetron sputter technique utilizing very high power densities, V. Kuznetsov, K. Macak, J.
Schneider, U. Helmersson, I. Petrov, Surface and Coating
Technolgy 163-164 (2-3): 230-293,
Cerere de brevet de inventie IFIN-HH, Nr. A/00621/30.06.2011-OSIM–“Metoda de acoperire in vid a pieselor metalice
cu straturi subtiri lubrifiante si antiuzura uscate, pe baza de bisulfura de wolfram (WS2), dintr-un compus nou
(WS2+Metal), prin metode tip PVD Proposal Patent –“Metoda de realizare in vid a straturilor subtiri lubrifiante si
antiuzura dintr-un compus nou, prin metode tip PVD”-Autori Gh. Mateescu; Alice Mateescu
Cerere de brevet de inventie IFIN-HH, Nr. A/00622/30.06.2011-OSIM –“Metoda de acoperire in vid a pieselor metalice
cu straturi subtiri lubrifiante si antiuzura uscate, pe baza de bisulfura de wolfram (WS2), dintr-un compus nou (WS2+C),
prin metode tip PVD sau IPVD.”-Autori: Gheorghe Mateescu; Alice-Ortansa Mateescu
Cerere de brevet de inventie IFIN-HH, Nr. A/00623/30.06.2011-OSIM –“Metoda de acoperire in vid a pieselor metalice
cu straturi subtiri lubrifiante si antiuzura uscate, pe baza de bisulfura de wolfram (WS2), dintr-un compus nou
(WS2+Metal+C), prin metode tip PVD sau IPVD.”-Autori: Gheorghe Mateescu; Alice-Ortansa Mateescu
Cerere de brevet de inventie IFIN-HH, Nr. A/00729/25.07.2011-OSIM -“Metoda de realizare in vid a straturilor subtiri
tribologice multiple cu proprietati complementar-cumulative, prin metode “Physical Vapor Deposition” (PVD) sau “Ionized
Physical Vapor Deposition” (IPVD) -Autori: Alice-Ortansa Mateescu; Gheorghe Mateescu
K. J. Lesker –Deposition Techniques: Materials names A-Z
SPECS- Sputtering yield-http://www.semicore.com/reference/sputtering-yields-reference
31.05.2013
PN 09 37 01 03
44