Transcript 专利信息检索
专利信息的检索、分析及应用 国家知识产权局知识产权发展研究中心 孙全亮 1 内容 2 2 一、国外专利信息的检索 欧洲专利局 美国专商局 主要专利局 2009年11月 任三级专利 审查员 世界知识产权组织 日本特许厅 3 3 一、国外专利信息的检索——美国专商局 2009年11月 任三级专利 审查员 官方网站网址：http://www.uspto.gov。 网站提供的专利数据库： 1.授权专利数据库；2.公开专利申请数据库；3.失效专利数据库。 4 4 一、国外专利信息的检索——美国专商局 2009年11月 任三级专利 美国专商局专利数据库登录界面 审查员 1.网址：http://www.uspto.gov/patents/process/search/index.jsp 2.登录入口：从常用链接中点击“Patent Search”进入检索界面 3.检索字段 5 5 一、国外专利信息的检索——美国专商局 Issued Patents (full-text since 1976, full-page images since 1790) Quick Search Advanced Search Patent Number Search Database Notices and Status Database Contents Help Patent Applications (published since 15 March 2001) Quick Search Advanced Search Publication Number Search Help Important Notices! How to Access Full-Page Images Problems Accessing the Databases? Report Data Content Problems Tools to Help in Searching by Patent Classification Downloadable Published Sequence Listings 1.“Issued Patents”，即授权专利数据库 2.“Patent Applications”，即专利申请数据库 3.两个数据库的检索方式完全相同，均提供快速检索、高级检索、专利 6 号或公开号检索 6 一、国外专利信息的检索——美国专商局 “refined search”（精确检索）对话框可以 用来缩小检索范围。其中可以输入一个检索表达 式，句法与高级检索相同；该检索在现有检索结 果范围内进行，即目的是进一步缩小检索范围， 提高检索精度。 1.点击专利号，可显示美国专利全文本 。 2.全文本显示界面提供“References Cited”栏目，给出了命中专利中引用过 的美国专利文献和外国专利文献。 3.提供引文检索链接“Referenced By”，可以检索到命中专利被其他美国 专利文献引用过的信息。 7 7 一、国外专利信息的检索——欧洲专利局 官方网站网址：http://www.epo.org/index.html。 提供免费的Espacenet专利数据库： 1.数据库包含世界范围内7000万件专利文档； 2.数据时间跨度为从19世纪至今； 3.数据库的检索和数据全文下载全部免费，并通过Google翻译引擎提供 8 主要语言间的免费翻译。 8 一、国外专利信息的检索——欧洲专利局 Espacenet专利数据库提供五种检索方式： 1.Smart Search，智慧检索； 2.Quick Seach，快速检索； 3.Advance Search，高级检索； 4.Number Search，专利号检索； 5.Classification Search，专利分类号检索。 9 9 一、国外专利信息的检索——欧洲专利局 Espacenet专利数据库检索结果： 1.检索结果列表页面一次最多显示20件专利文献，通过跳转键可以显 示更多文献； 2.用户一次检索最多只能提取为500件专利文献； 3.列表仅能显示发明名称、发明人、申请人、EC和IPC、优先权日。10 10 一、国外专利信息的检索——欧洲专利局 Espacenet专利数据库检索结果显示的文献信息： 著录项目（Bibliographic data）、文本形式说明书（Description） 、权利要求书（Claims）、说明书附图（Mosaics）、扫描图像原始全 文说明书（Original document）、INPADOC法律状态（INPADOC legal status）及查找该专利的同族专利入口(View INPADOC patent 11 family) 11 一、国外专利信息的检索——日本特许厅 官方网站网址：http://www.epo.org/index.html。 日本工业产权数字图书馆（IPDL）网址： http://www.ipdl.inpit.go.jp/homepg_e.ipdl。 12 12 一、国外专利信息的检索——日本特许厅 IPDL专利数据库提供四类检索： “特许.实用新案检索”：检索发明、实用新型专利； “意匠检索”：检索日本外观设计专利； “经过情报检索”：检索日本专利的法律状态； “审判检索”：检索经过复审程序的专利申请的判决公报。 13 13 一、国外专利信息的检索——日本特许厅 IPDL专利数据库中发明专利的检索： 特许.实用新案公报DB；特许.实用新案文献番号索引照会；公报检索； 公开特许公报检索；特许分类检索；外国公报DB；美国特许分类检索； 14 审查书类情报照会等。 14 一、国外专利信息的检索——世界知识产权组织 官方网站网址：http://www.wipo.org。 数据库检索界面网址:http://www.wipo.int/wipogold/en。 15 15 一、国外专利信息的检索——世界知识产权组织 专利数据库检索界面网址: http://www.wipo.int/wipogold/en。 16 16 一、国外专利信息的检索——世界知识产权组织 提供简单检索(Simple search)、高级检索(Advanced search)、结 构化检索(Structured search)和浏览每周公布的专利文献(Browsed by 17 Week)。点击左上角“search”可进行四种检索方式的切换。 17 一、国外专利信息的检索——世界知识产权组织 1.检索结果附带统计功能，可以对申请国家、申请人、发明人、公开日 等项进行排序统计，并通过条状图或饼状图显示。 2.点击“Refine Search”可进行精细检索。 18 3.可对标题和摘要进行英文到中文、中文到英文的机器翻译。 18 二、竞争对手专利分析 专利分析的含义 专利分析 概述 专利分析的作用 专利分析的类型 专利分析的时机 19 19 二、竞争对手专利分析 竞争环境分析 竞争对手识别 竞争对手 专利分析 竞争对手分析 竞争对手追踪 20 20 二、竞争对手专利分析 竞争对手分析的内容组成 基本状况 技术 研发 对比 竞争对手 专利总量分析 竞争对手重点 技术领域分析 竞争对手 研发团队分析 竞争对手 专利实力分析 竞争对手专利量 时间序列分析 竞争对手 技术路线分析 竞争对手重要 发明人分析 竞争对手 威胁度分析 竞争对手区域 专利布局分析 竞争对手 重要专利分析 竞争对手 研发合作分析 竞争对手 战略匹配度分析 竞争对手专利 活跃度分析 21 21 二、竞争对手专利分析 专利分析的 基本步骤 前期准备阶段 确定分析主题、范围 了解产业、市场、技术现状 数据采集阶段 项目分解、数据检索 数据清晰、数据标引 实体分析阶段 确定分析指标 图表分析解读 形成报告阶段 归纳提炼结论 撰写分析报告 成果运用阶段 动态追踪、数据更新 深入分析、滚动分析 22 22 二、竞争对手专利分析 竞争对手 专利分析 结合分析框架 结合实际案例 23 23 二、竞争对手专利分析——案例：等离子体刻蚀机专利分析 半导体设备 清洗设备 沉积设备 光刻设备 刻蚀设备 扩散设备 离子注入 设备 …… 干法刻蚀设备 (等离子体刻蚀 设备) 湿法刻蚀设备 平板反应器 硅刻蚀 技 术 发 展 历 程 介质膜刻蚀 金属刻蚀 刻蚀 对象 去胶 等离子体反应 腔 …… 三极平面反应器 反应离子刻蚀 电子回旋共振 高密度等离子体 刻蚀 电感耦合 双等离子体源 磁增强反应离子 …… 解决技术问题 刻 蚀 均 匀 性 刻 蚀 速 率 刻 蚀 选 择 比 刻 蚀 形 貌 刻 蚀 准 确 性 可 靠 性 提 高 效 率 温 度 控 制 控 制 沾 污 了解技术现状：等离子体刻蚀机技术概况 24 24 二、竞争对手专利分析——案例：等离子体刻蚀机专利分析 2008年半导体设备市场销售额 其他 9% 中国 6% 日本 24% 台湾 17% 韩国 17% 北美 19% 欧洲 8% 数据来源: 国际半导体装备与 材料协会(SEMI) 了解市场现状：全球半导体装备市场分布 25 25 二、竞争对手专利分析——案例：等离子体刻蚀机专利分析 不断调整完善项目分解方案 等离子体刻蚀机技术的项目分解 26 26 二、竞争对手专利分析——案例：等离子体刻蚀机专利分析 1000 270.0% 900 220.0% 800 700 170.0% 申请量 600 500 120.0% 400 70.0% 300 200 20.0% 100 0 -30.0% 1988 1990 1992 1994 年增长率（绿色为正、红色为负） 1996 1998 年申请量 2000 申请年 预测值 2002 失真值 2004 2006 2008 2010 半导体设备市场销售额趋势 历年专利申请分布分析： 掌握分析领域的专利申请量总体呈增长态势。 27 27 二、竞争对手专利分析——案例：等离子体刻蚀机专利分析 半导体技术 计算机控制技术 材料处理技术 精密机械技术 等离子体技术 化学气体技术 技术广度分析： 反映某技术所涉及的技术门类及各技术门类间的关联程度 28 28 二、竞争对手专利分析——案例：等离子体刻蚀机专利分析 100% 90% 80% 申请量所占比例 70% 68.50% 72.96% 60% 50% 54.37% 78.22% 76.11% 63.67% 68.52% 79.90% 71.36% 73.28% 40% 30% 全球专利比例 20% 3/5局专利申请比例 10% 0% 前10 前20 前30 前40 前50 申 请 人数量 专利集中度分析： 反映对于特定技术的专利控制格局、竞争和垄断程度 29 29 二、竞争对手专利分析——案例：等离子体刻蚀机专利分析 光谱检测系统, 42 电信号检测系统, 9 边缘均一性补偿装置, 298 厚度检测系 气体排放系 14 统, 气体供给 统, 171 系统, 111 部件防护, 162 射频匹配, 234 射频源, 1889 气体供给与 排放系统 其它传输结构, 1 终点检测, 65 晶片夹具对准装置, 42 射频装置, 2123 升降装置, 3 晶片传输通道, 4 等离子体产生装置, 3653 晶片传输系统, 132 腔体, 640 机械臂, 82 等离子体反应腔, 8984 气体分配装置, 358 晶片固定装置, 530 等离子体约束装置, 266 电极组件, 3077 各技术分支的专利分布分析： 反映特定领域各分支的专利分布情况及专利集中的重点技术分支 30 30 二、竞争对手专利分析——案例：等离子体刻蚀机专利分析 900 2007 2002 800 1999 2001 2006 2005 2003 700 2000 1997 申请量（项） 600 1998 1993 2004 1996 500 1992 1991 400 1989 300 1995 1994 1988 1990 200 100 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220 240 260 申请人数量 技术研发活跃度分析： 反映特定领域技术研发所处的阶段:起步期、发展期、成熟期和衰退期 31 31 二、竞争对手专利分析——案例：等离子体刻蚀机专利分析 晶片传 输系统 12 部件防护 等 离 子 体 反 应 腔 14 10 11 14 15 14 7 19 6 15 30 17 19 17 15 17 13 10 20 4 4 3 2 8 3 3 8 14 7 8 9 8 13 10 10 15 8 15 气体分 配装置 6 5 5 8 5 17 7 13 12 7 20 19 24 22 33 23 15 37 28 31 晶片固 定装置 9 9 15 12 15 20 17 21 27 29 44 38 32 43 31 34 23 34 30 32 边缘均一性 补偿装置 5 2 2 1 4 2 12 6 14 8 10 17 24 12 30 15 23 23 31 42 等离子体 约束装置 3 6 7 10 11 8 7 11 10 9 10 7 17 17 35 12 19 22 14 23 电极组件 72 60 78 85 120 122 122 106 111 148 146 187 187 194 209 189 169 193 210 223 腔体 11 11 21 21 20 28 23 27 22 29 37 44 42 52 40 42 31 43 23 51 114 98 130 148 195 188 178 178 175 200 172 196 187 183 218 171 155 230 206 199 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 02 03 04 05 06 07 等离子体 产生装置 1988 89 2000 01 各技术分支历年专利分布分析： 反映各技术分支历年研发的整体状况 32 32 二、竞争对手专利分析——案例：等离子体刻蚀机专利分析 提高效率 16 23 18 22 28 38 41 44 42 73 65 69 73 84 106 91 62 82 90 117 控制沾污 5 9 9 21 21 34 16 16 38 43 36 54 46 61 38 36 49 49 54 62 19 34 42 38 52 66 67 91 76 89 133 125 117 140 155 139 126 161 129 155 3 2 7 2 3 1 6 4 2 7 17 6 7 3 1 6 7 6 10 11 12 5 15 19 13 14 23 24 23 31 29 18 24 30 31 1 1 2 6 5 8 5 9 10 13 14 16 10 9 15 10 11 9 14 可靠性 控制选择比 刻蚀准确性 7 刻蚀形貌 刻蚀速率 13 8 18 19 23 31 28 16 30 35 28 40 28 37 50 41 43 50 37 54 刻蚀均匀性 41 48 62 76 96 142 123 117 145 169 157 185 213 178 216 199 161 235 247 267 1988 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 2000 01 02 03 04 05 06 07 各类技术效果相关专利历年分布分析： 反映特定技术研发过程中重点关注和解决的主要技术问题 33 33 二、竞争对手专利分析——案例：等离子体刻蚀机专利分析 准确传输 4 3 温度控制 10 2 提高效率 夹持均匀性 351 12 4 4 60 3 4 16 104 19 24 1297 145 3 35 9 22 边缘均一性 补偿装置 528 33 4 部件防护 14 25 15 29 99 5 160 54 118 13 67 70 6 85 等离子体 约束装置 电极组件 45 8 87 晶片固 定装置 10 39 11 6 12 32 408 115 13 23 147 36 16 48 407 5 9 10 11 技术-功效矩阵分析： 1.反映技术研发及专利布局的聚焦点和空白点 2.有助于企业确定技术研发方向 10 40 19 腔体 49 126 3 气体分 配装置 22 2 19 50 116 65 78 7 100 22 34 28 17 69 256 12 17 16 56 28 10 99 561 11 19 5 176 39 57 16 815 45 等离子体 产生装置 25 181 36 28 5 23 33 67 15 34 69 12 194 29 124 25 78 控制选择比 降低成本 374 55 3 5 控制沾污 可靠性 15 3 12 刻蚀速率 刻蚀均匀性 104 18 刻蚀准确性 刻蚀形貌 58 4 92 54 94 晶片传输系统 射频装置 7 46 15 2 7 4 气体供给 与排放 终点检测 34 34 二、竞争对手专利分析——案例：等离子体刻蚀机专利分析 排名 等离子体反应腔 晶片传输系统 射频装置 气体供给与排放系统 终点检测系统 1 东京电子（日本） TOKYO ELECTRON 东京电子（日本）TOKYO ELECTRON 东京电子（日本） TOKYO ELECTRON 东京电子（日本） TOKYO ELECTRON 东京电子（日本） TOKYO ELECTRON 2 应用材料（美国） APPLIED MATERIALS 应用材料（美国） APPLIED MATERIALS 应用材料（美国） APPLIED MATERIALS 应用材料（美国） APPLIED MATERIALS 应用材料（美国） APPLIED MATERIALS 3 日立（日本） HITACHI 拉姆研究（美国） LAM RES 日立（日本） HITACHI 日立（日本） HITACHI 拉姆研究（美国） LAM RES 4 松下（日本） MATSUSHITA 日立（日本） HITACHI 拉姆研究（美国） LAM RES 拉姆研究（美国） LAM RES 日立（日本） HITACHI 5 拉姆研究（美国） LAM RES 北方微电子 （中国） 松下（日本） MATSUSHITA 三星电子（韩国） SAMSUNG 松下（日本） MATSUSHITA 6 三星电子（韩国） SAMSUNG 三星电子（韩国） SAMSUNG 三星电子（韩国） SAMSUNG 松下（日本） MATSUSHITA 奥林巴斯（日本） OLYMPUS 7 三菱（日本） MITSUBISHI 松下（日本） MATSUSHITA 三菱（日本） MITSUBISHI 佳能（日本） CANON 北方微电子 （中国） 8 日本电气（日本） NEC 爱德牌工程 （德国）ADP 索尼（日本） SONY 北方微电子 （中国） 爱普生（日本） EPSON 9 索尼（日本） SONY 海力士（韩国） HYNIX 东芝（日本） TOSHIBA 海别得公司 （美国） HYPERTHERM 索尼（日本） SONY 10 积水化工（日本） SEKISUI CHEM IND 三菱（日本） MITSUBISHI 佳能（日本） CANON 三菱（日本） MITSUBISHI 中微半导体 （中国） 各技术分支主要申请人排名： 反映各技术分支的主要专利申请人 35 35 二、竞争对手专利分析——案例：等离子体刻蚀机专利分析 技术分支 射频源 有无在华 申请 公开号 申请人 国籍 EP0495524 A1 应用材料 美国 JP4268727A 松下 日本 JP7297175A 东京电子 日本 US6150628 A 应用材料 美国 WO03015123A2 拉姆研究 美国 √ US2003215373A1 MKS仪器有限公司 美国 √ FR2895169A1 雷诺 法国 JP2006270017A 东京电子 日本 √ 各技术分支的重要专利： 重要专利可以通过专利同族数量、专利保护范围和专利文献的被引频 36 次等因素来确定 36 二、竞争对手专利分析——案例：等离子体刻蚀机专利分析 优先权年 1988-1989 1990-1991 1992-1993 1994-1995 1992.12.02 US5350479A 应用材料 静电卡盘表面通 冷却气体 1994.02.22 US5822171A 应用材料 形成冷却剂槽和 通道用以控制冷 却剂控制温度 1995.02.20 JP8227933A SHINETSU CHEMICAL CO 带有内建加热器 的陶瓷静电卡盘 1994.01.31 EP0844659A2 应用材料 复合绝缘层防击 穿静电卡盘 1995.03.10 US5671116A 拉姆研究 多层静电吸盘多 层电绝缘陶瓷和 多个带形线 1998-1999 2000-2001 2002-2003 2004-2005 2006-2008 1997.03.06 US5737178A 应用材料 单晶陶瓷覆盖在 有孔的网格电极 1999.12.22 EP1111661A2 拉姆研究 高温静电卡盘 2001.05.25 WO02103780A1 东京电子 基座台的静电吸盘 通过陶瓷喷涂形成 并进行封孔处理 2003.06.30 US2004261721A1 拉姆研究 支承衬底温度的动 态调整 2004.10.07 US2006076108A1 应用材料 包括不同热导率系 数材料层的基座 2006.04.27 US2007258186A1 应用材料 具有双温度区的静 电吸盘的衬底支架 1997.03.19 JP10261698A 东京电子 分块静电卡盘取 代整体卡盘， 1999.05.07 US2002075624A1 应用材料 具有加热器的静电 卡盘 1996-1997 重点技术分支 重要专利 1988.5.23 US5262029A 拉姆研究 晶片固定夹环机 构 晶片固定装置 1994.01.31 US6278600B1 应用材料 防击穿层 边缘均一性补偿 装置 1996.11.05 US5885469A 应用材料 氦气背流控温 2005.04.26 US2006238953A1 应用材料 智能升降的静电卡 盘 1997.12.01 US5880924A 应用材料 具有接地的放电 电极以移除残余 电荷 1999.06.30 US6344105B 拉姆研究 RF耦合边环改善 蚀刻率的均匀性 2000.02.14 JP2001308079A 东京电子 保持温度补偿环 2002.09.18 US2004053428A1拉 姆研究 采用可变位置的耦 2005.08.08 US2007032081A1 拉姆研究 包括介电间隔环 和边缘环的的边 缘环组件 2000.10.06 特定技术的技术发展路线： US6475336 B1 2003.12.17 拉姆研究 US2005133164A1 一个静电边环夹 可以反映相关技术的发展变迁，了解技术的代际变化及优劣势 拉姆研究 盘，在加工时边 环可支撑在其上。 温控热边缘环组件， 37 37 二、竞争对手专利分析——案例：等离子体刻蚀机专利分析 1988-2008申请量排名 1998-2008申请量排名 排名 申请人 数量 排名 申请人 数量 1 东京电子（日本） TOKYO ELECTRON 2166 1 东京电子（日本） TOKYO ELECTRON 1381 2 应用材料（美国） APPLIED MATERIALS 1647 2 应用材料（美国） APPLIED MATERIALS 1050 3 日立（日本） HITACHI 822 3 日立（日本） HITACHI 421 4 松下（日本） MATSUSHITA 463 4 拉姆研究（美国） LAM RES 372 5 拉姆研究（美国） LAM RES 460 5 松下（日本） MATSUSHITA 324 6 三星电子（韩国） SAMSUNG 281 6 三星电子（韩国） SAMSUNG 271 7 三菱（日本） MITSUBISHI 237 7 积水化工（日本） SEKISUI CHEM IND 152 8 索尼（日本） SONY 182 8 三菱（日本） MITSUBISHI 94 9 日本电气（日本） NEC 168 9 佳能（日本） CANON 85 10 积水化工（日本） SEKISUI CHEM IND 156 10 北方微电子（中国） 84 确定重要申请人： 应从多角度进行综合考察 38 38 二、竞争对手专利分析——案例：等离子体刻蚀机专利分析 晶片传 输系统 10 8 部件防护 等 离 子 体 9 8 1 气体分 配装置 3 晶片固 定装置 6 边缘均一性 补偿装置 1 1 11 10 1 3 7 3 5 1 1 4 1 2 2 3 2 4 3 1 4 8 1 5 2 6 4 2 1 3 3 9 1 4 4 4 10 10 4 9 14 8 3 8 10 14 6 5 9 10 4 4 3 12 9 8 8 15 8 12 5 7 12 8 1 1 4 3 10 5 5 2 6 8 1 2 反 应 腔 等离子体 约束装置 1 2 2 2 2 4 10 2 5 3 5 4 12 8 10 7 18 17 27 29 11 10 11 28 19 3 6 2 6 9 8 9 18 12 9 10 9 7 21 31 10 8 11 14 10 26 16 38 43 19 12 20 32 35 93 94 95 96 97 98 99 2000 01 02 03 04 05 06 07 1 1 2 20 17 9 12 35 31 13 腔体 5 3 13 9 6 18 等离子体 产生装置 7 1 2 6 13 90 91 92 电极组件 1988 89 竞争对手各技术分支历年专利分布分析： 反映竞争对手（以东京电子为例）各技术分支历年专利申请的整体状况 39 39 二、竞争对手专利分析——案例：等离子体刻蚀机专利分析 100% 90% 80% 70% 60% 微波 50% 电容耦合 40% 电感耦合 30% ECR 20% 10% 0% 1988 1990 1991 1992 1993 1994 1995 1996 1997 1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2008 竞争对手特定技术各技术路线历年专利比重分布分析： 反映竞争对手（以东京电子为例）在特定技术分支（等离子体产生装 置）上所采取的技术路线的发展变迁 40 40 二、竞争对手专利分析——案例：等离子体刻蚀机专利分析 刻蚀形貌 4 刻蚀速率 6 刻蚀均匀性 9 控制沾污 6 控制选择比 5 可靠性 8 4 降低成本 4 1 夹持均匀性 3 1988 1 1 2 1 2 1 2 1 4 5 2 3 7 10 12 11 31 14 13 18 3 2 7 5 7 1 3 1 8 1 12 30 2 2 3 7 9 2 6 92 93 94 95 2 89 90 91 8 10 12 1 1 96 1 2 1 1 2 2 1 5 4 8 9 2 7 8 7 6 22 16 27 31 43 41 28 22 25 48 51 7 5 5 4 9 3 11 6 6 11 14 2 3 3 6 27 24 27 15 32 26 37 3 14 5 1 4 5 6 3 3 06 07 2 5 1 1 15 12 23 14 2 2 3 6 7 4 6 7 5 2 97 98 99 2000 01 02 03 04 05 竞争对手在特定技术上的各类技术效果相关专利历年分布： 反映竞争对手在特定技术研发中重点关注和解决的主要技术问题 41 41 二、竞争对手专利分析——案例：等离子体刻蚀机专利分析 中国台湾 6 4 欧洲 1 2 11 4 日本 46 52 61 74 1 113 24 10 16 19 20 23 43 28 33 43 28 23 32 59 48 2 4 4 6 12 27 15 11 17 4 8 2 4 6 2 168 49 52 50 67 71 106 69 132 148 83 64 82 138 158 3 2 3 21 26 24 20 27 50 25 中国 美国 10 8 34 30 32 51 12 23 24 38 39 77 56 107 122 90 62 72 112 81 韩国 9 7 29 21 27 46 10 19 21 25 37 56 29 37 41 32 19 28 77 49 1988 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 2000 01 02 03 04 05 06 07 竞争对手在主要市场国/地区历年专利分布分析： 反映竞争对手历年来在各主要市场国/地区专利布局的整体状况 42 42 二、竞争对手专利分析——案例：等离子体刻蚀机专利分析 晶片传输系统 等 离 子 体 反 应 腔 9 9 9 部件防护 16 6 26 1 8 气体分配装置 26 15 16 1 48 晶片固定装置 19 9 19 28 边缘均一性补偿装置 12 7 1 等离子体约束装置 26 4 8 21 2 6 电极组件 44 4 31 1 5 腔体 15 7 9 3 7 等离子体产生装置 58 6 19 东京电子 应用材料 拉姆研究 26 中微半导体 北方微电子 主要竞争对手在各技术分支的专利分布对比：反映各竞争对手在各技术 分支上专利实力的比较状况（图示为在华专利） 43 43 二、竞争对手专利分析——案例：等离子体刻蚀机专利分析 形成分析报告 第一部分 引言 第二部分 概要 第三部分 专利分析内容 第四部分 主要结论 第五部分 应对措施和建议 第六部分 附录 44 44 三、专利挖掘、布局及规避——专利挖掘 专利挖掘概述 专利挖掘的基本操作实务 专利挖掘的基本操作思想 专利挖掘的意义和作用 专利挖掘的分类 专利挖掘的实施主体 专利挖掘的基本操作流程 专利挖掘的操作要点 专利挖掘 操作实务 前瞻部署专利挖掘规划 提炼形成发明创新点 科学实施专利挖掘管理 撰写形成技术交底书 积极培育专利挖掘文化 专利挖掘的规划和管理 专利挖掘的重要成果 45 45 三、专利挖掘、布局及规避——专利布局 专利布局的总体规划 专利地域布局 专利布局地域的确定 专利布局的指导思想 专利布局方案的制定 各地域的专利布局重点 专利地域布局的流程 专利布局 操作实务 产品的专利布局 嵌入研发项目的技术专利布局 专利组合的作用 专利组合的基本结构 专利组合的构建和维护 基于产品和技术 的专利布局 专利组合布局 46 46 三、专利挖掘、布局及规避——规避设计 规避设计的基本原则 规避设计的策略选择 对于处于上升期的产品和技术 避免专利侵权 不明显降低市场竞争力 不与企业的战略相矛盾 对于处于成熟期的产品和技术 对于处于衰退期的产品和技术 规避设计 操作实务 规避设计的流程构成 权利要求的解读 规避设计的关键环节 技术规避的方式 规避方案的风险排查 规避设计的操作流程 规避设计的操作要点 47 47 手机：13651065522 座机：010-62083635 Email:[email protected] 48