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宏微科技市场销售部
代理商产品培训
杨小春
2011年12月3日
Power for the Better
力
求
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1
产品培训
目 录
 宏微产品种类
 宏微产品命名
 产品特点
 产品应用介绍
Power for the Better
力
求
更
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宏微产品种类
芯片
分立器件
• FRED
• VDMOS
• IGBT
• FRED
• VDMOS
Power for the Better
力
求
更
模块
•
•
•
•
•
IGBT
FRED
可控硅
整流二极管
用户定制模块
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宏微产品命名
Power for the Better
力
求
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宏微产品命名
Power for the Better
力
求
更
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宏微产品命名
Power for the Better
力
求
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宏微产品命名
Power for the Better
力
求
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产品特点
 FRED特性
 IGBT特性
Power for the Better
力
求
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FRED特性
DuTo FRED双塔模块与国外KD模块对比情况
一、二极管反向击穿电压的比较
国外KD产品
反向耐压为489V
Power for the Better
力
求
更
宏微DuTo MMF200ZB040DK1
反向耐压为607V
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FRED特性
二、125℃ 下二极管正向压降的比较
MacMic & kD comparison at 125℃
300
MacMic
250
KD
IF(A)
200
150
100
50
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
VF(V)
宏微 DuTo相对国外KD的正向压降低6%,导通损耗更小
Power for the Better
力
求
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FRED特性
三、反向恢复特性的比较
(测试条件:25 ℃ & 125 ℃, VD=200V, ID=60A, di/dt=-200A/μs)
125℃,60A,200V,-200A/us,MacMic & KD test results
75
225
180
MacMic
current
35
KD Volt
MacMic
Volt
10
KD current
50
135
90
45
current(A)
current(A)
KD current
voltage(V)
60
225
MacMic
current
KD Volt
25
150
75
MacMic
Volt
0
voltage(V)
25℃,60A,200V,-200A/us,MacMic & KD test results
0
0
-15
600
800
1000
1200
1400
-45
1600
-25
600
800
1000
1200
1400
-75
1600
time(ns)
time(ns)
宏微DuTo相对国外KD:

恢复时间更快,开关损耗更低;

最大反向恢复电流小,模块的电流应力低,可靠性更高。
Power for the Better
力
求
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FRED特性
四、技术曲线:Qrr vs VF
4600.0
Qrr(nC) at 125 ℃
4200.0
3800.0
3400.0
KD
3000.0
2600.0
MacMic
2200.0
1800.0
0.80
0.85
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
1.15
1.20
VF (V) at 125 ℃
宏微 DuTo 相对国外KD:
DuTo 的Qrr-VF 曲线更接近于原点,表明 DuTo 的技术比KD的更先进
Power for the Better
力
求
更
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IGBT特性
• IGBT器件---MOSFET与晶体管的复合器件
• IGBT器件---电压控制器件
• IGBT器件---开关频率1~150KHz范围
Power for the Better
力
求
更
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IGBT特性
 通态压降和耐压的关系;
 通态压降和开关速度的关系;
 通态压降和短路电流能力的关系。
Power for the Better
力
求
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IGBT特性
IGBT模块系列
6TN
T3
6UN
KS4
SPT+
6C
MacMic
NPT
单位
VCEsat@25℃
1.7
3.2
1.8
2.6
2.5-3
V
Eon+Eoff per
100A
20
15.5
23.2
16.1
28
mJ
额定电流下
芯片尺寸%
70
100
100
100
100
%
正温度系数
/VCEsat
YES
YES
YES
YES
YES
-
QG*[nC]/100A
900
1050
1050
580
850
nC
参数
* 测试值 @ VGE from -8V to 15V
IGBT模块特性参数比较
1200V/100A GS封装
Power for the Better
力
求
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IGBT特性
正温度系数,高短路能力,低热阻和低成本
 NPT 技术
场阻挡层(薄漂移区)技术
沟槽栅技术
低通态损耗
发射极载流子浓度增强技术
集电极低空穴注入
Power for the Better
力
求
低通态,开关损耗和低热阻
更
低通态损耗
低开关损耗和高短路能力
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IGBT特性
Eoff versus Vce(sat)
Eoff
NPT
FS
SJFS
FS+Trench
Gate
CSTBT
Vce(sat)
IGBT 的技术曲线
Power for the Better
力
求
更
CONFIDENTIAL
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产品应用介绍
 变频器用功率器件
 电焊机用功率器件
 电源用功率器件
Power for the Better
力
求
更
CONFIDENTIAL
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变频器用IGBT
Power for the Better
力
求
更
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低压变频器用功率器件
~
~
~
整流器
中间
电路
逆变器
电动机
控制电路
Power for the Better
力
求
更
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20
高压变频器用功率器件
3000KW,6KV高压变频器整流部分用1600V/270A二极管模
块90只(6只×5 ×3),逆变部分用1700V/300A单单元IGBT
模块120只/台(8只×5 ×3);MMG300K170U6EN
2000KW,6KV高压变频器逆变部分用1700V/200A半桥IGBT
模块60只/台( 4只×5 ×3);如MMG200D170B6EN
Power for the Better
力
求
更
CONFIDENTIAL
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电焊机用功率器件
Power for the Better
力
求
更
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电焊机用功率器件
Power for the Better
力
求
更
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电焊机用功率器件
器件类型
产品类型
FRED
模块
模块
IGBT
模块
SCR模块
FRED
单管
单管
MOSFET
单管
宏微型号
电流(A)
电压(V)
MMF200ZB040DK1
200
400
DH2F100N4S
量产
MMF300Y060DK1
300
600
DKR200AB60
量产
MMF300YB050U
300
500
FRS300BA50
量产
MMG50SR120B
MMG50S120B6TN
50
1200
BSM50GB120DN2
量产
MMG75SR120B
MMG75S120B6TN
75
1200
BSM75GB120DN2
量产
MMG100SR/DR120B
MMG100S120B6TN
100
1200
BSM100GB120DN2
量产
MMG150DR120B
MMG150D120B6TN
150
1200
BSM150GB120DN2
量产
MMG200DR120B
MMG200D120B6TN
200
1200
BSM200GB120DN2
量产
MMK150X030DA
150
300
PWB130A40
TM150SA-6
量产
D92-02
20
200
D92-02, FML-32S
量产
MM60F060PC
60
600
FFA60UP60DN
量产
MM80FU040PC
MM60FU030PC
80
60
400
300
STTH6003CW
FFA60UP30DN
量产
MM2611
11
900
K2611, FQA11N90
样品
MM2837
20
500
K2837
量产
MM2698
15
500
K2698
样品
Power for the Better
力
求
更
替代型号
CONFIDENTIAL
产品状态
24
电源用功率器件
器件
FRED
IGBT
MOS
UPS功率段
1KW以下
MM68N06K
MM109N06K
1-3KW
MM2611
MM2837
3KW工频机单相
MMG100S060B6N/6EN
6KW工频机单相
MMG150D060B6N/6EN
20KW工频机单相
MMG200D060B6N/6EN
10KW工频机三相
MMG300D060B6N/6EN
50KW工频机三相
MMG600WB060B6EN
Power for the Better
力
求
更
CONFIDENTIAL
MM15F060K
MM8FU120K
MM15FU120K
MM30FU120K
MM30FU120P
MM60F120P
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Q&A
Thanks!
Power for the Better
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