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第八章
場效電晶體放大器
1
介紹
場效電晶體(FET)之特性:
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•
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•
極佳的電壓增益
高輸入阻抗
低功率消耗
良好頻率範圍
2
FET 小信號模型
在場效電晶體中，閘-源極電壓 VGS控制汲-源極（通道）電流 ID。
互導
VGS(輸入) 對 ID(輸出) 的關係稱為互導。
互導標記為gm 且以下列式子表示:
ΔI D
gm 
ΔV GS
3
gm圖解求法
圖 8.1
4
gm的數學定義
若 VGS =0V
gm 
I D
VGS
gm 
2I DSS
VP
g m0 

VGS 
1



V
P 

2I DSS
VP


V
g m  g m0 1  GS 
VP 

其中
1
VGS

VP
ID
I DSS

V
g m  g m0  1  GS
VP

5

  g m0

ID
I DSS
特性規格表中之gm
在特性規格表中 gm 是以 yfs 符號出現：
g m  y fs
6
FET 阻抗
輸入阻抗:
Z i  
輸出阻抗:
Z o  rd 
1
yos
其中:
rd 
VDS
I D V 定值
GS
yos= 顯示在 FET 規格表上的等效電路導納參數。
7
FET 阻抗
利用場效電晶體汲源特性定義 rd：
圖 8.6
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