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The Thickness Effect of p-AlGaN
Blocking Layer in
UV-A Bandpass Photodetectors
Outline
 Introduction
 Experiments
 Results
and Discussion
 Conclusion
 References
Introduction

此UV-A Bandpass Photodetectors，主要是用於檢測紫
外光的多寡，可運用於民生用品上，提醒紫外線是否過
量。

此Bandpass Photodetectors，應用窄通道（ Bandpass ）
的原理讓光檢測器只能吸收到特定範圍的光，本篇主要
是吸收波長在337nm～365nm的紫外光。
Experiments
Ni-Au
at 1050 ℃
p
主
動
層
i
337nm
n
30-nm低濃
度GaN
buffer layer
at 550 ℃
365nm
Ti-Al-Ti-Au
1150℃
Results and Discussion
354nm ; 0.131A/W
357nm ; 0.129A/W
356nm ; 0,13 A/W
Spectral responsivities of nitride-based p-i-n bandpass photodetectors
at room temperature.
η：quantum efficiency（量子效率）
R：measured responsivity（響應）
-19
×
q ：electron charge（基本電荷1.62 10 ）
λ：incident light wavelength（入射光波長）
-32
h ：Planck constant（普郎克常數6.62 ×10 ）
10
c ：speed of light（光速率2.99 ×10 ）
by：
Sample A
-19
×
354 × 10 ）／（6.626 × 10
-19
×
357 × 10 ）／（6.626 × 10
0.131= η × （ 1.6 × 10
η = 0.46 × 100％≒46 ％
-9
-34
×
2.99 ×10 ）
8
-9
-34
×
2.99 ×10 ）
Sample B
0.129= η × （ 1.6 × 10
η = 0.45 × 100％≒45 ％
8
Sample C
-19
-9
0.13= η × （ 1.6 × 10 × 356× 10 ）／（6.626 × 10
η = 0.45 × 100％≒45 ％
-34
×
8
2.99 ×10 ）
Current–voltage characteristics of the nitride-based p-i-n bandpass
photodetectors at room temperature with fitting curve. R = (dV=dI)
at zero bias.
Conclusion

一個好的光檢測器必須具備，輕薄短小、使用低電壓、低電
流以及在光檢測器必須工作的波長範圍中，必須具有高度的
靈敏度、高響應速率和低雜訊，有這些效應就可成為一可靠
度高的光檢測器。
References

The Thickness Effect of p-AlGaN Blocking Layer in UV-A Bandpass Photodetectors， C. K.
Wang, T. K. Ko, C. S. Chang, S. J. Chang, Y. K. Su, T. C. Wen, C. H. Kuo, and Y. Z. Chiou。