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Improving light-emitting diode
performance through sapphire
substrate
double-side patterning
閱讀報告
LED結構
LED結構
• 晶片大小:350*350 μ m2
LED微結構
• 微結構選擇有球形，圓錐形，截圓錐形，金字塔形，截金字塔形，
方柱形，圓柱形
模擬變因
• 圖形選擇:直徑3um 間距6um
• 此為圖形深度的比較
模擬變因
• 圖形選擇:間距6um 深度3um
• 此為圖形深度的比較
模擬變因
• 圖形選擇:直徑3um 深度3um
• 此為圖形間距的比較
結論
• 圓錐形的光取出效率可達到36.5%為最高
• 半圓球形的光取出效率可達到35.4%
Light outcoupling effect in GaN light-emitting
diodes via convex microstructures
monolithically
fabricated on sapphire substrate
閱讀報告
LED結構
• 晶片大小:300*300μ m2
LED微結構
• 半球形: 直徑3um 間距2um
結論
• 這篇主要是跟傳統的LED比較發現微結構可以使得電流集中在微
結構，產生更明亮的光，始得光取出效率提高
Analyses of light extraction efficiency
in GaN-based LEDs grown
on patterned sapphire substrates
閱讀報告
LED結構
• 晶片大小:550*250μ m2
LED微結構
• 微結構圖形是圓錐形
• 直徑為3um 間距為1um
模擬變因
• 微結構高度之光取出效率