Transcript 下載/瀏覽
論文研討: 劉適嘉, ” Ba[ZrxZn(1-x)/3Nb2(1-x)/3]O3 介電陶瓷 之微波特性及其應用”國立成功大學電機工 程研究所碩士論文90年6月 報告人: 碩研電子一甲 MA030214 陳俐潔 Southern Taiwan University Department of Electronic Engineering 研究方向: 試以添加不同比例的BaZrO3 混合成Ba[ZrxZn(1-x)/3Nb2(1x)/3]O3 設計方法: 使用了三種材料：玻璃纖維(FR4)、Al2O3、 0.95Ba(Zn1/3Nb2/3)O3-0.05BaZrO3 作為基板，以交錯耦 合方式來實現準橢圓濾波器 碩士論文國立成功大學 電機工程研究所90年6月, 劉適嘉 微波介電材料的製備 原始粉末 烘乾 球磨 加入黏劑 烘乾 壓模成型 搗磨＋過篩 椵燒 微波特性 量測 ＸＲＤ及 燒結 分析 球磨 碩士論文國立成功大學 電機工程研究所90年6月, ＳＥＭ之 劉適嘉 X-Ray 分析 (XRD) 採同銅靶之Kα射線(λ=1.5406Å)，操作條件為 電流20mA、電壓30KV、掃瞄速度為4°/min、 掃描角度範為2Ѳ值在20°~60°。 掃描式電子顯微鏡(SEM)分析 採用倍率為3000~10000倍 碩士論文國立成功大學 電機工程研究所90年6月, 劉適嘉 採用平行金屬板介質儀量測法 碩士論文國立成功大學 電機工程研究所90年6月, 劉適嘉 規格： 中心頻率52GHz 頻寬設定在10% 以FR4、氧化鋁、陶瓷材料作為三種濾波器之基板設 計、實作及量測。 碩士論文國立成功大學 電機工程研究所90年6月, 劉適嘉 1350°C 1375°C 1475°C 1500°C 燒兩小時之XRD分析圖 SEM分析: 隨溫度提高，孔洞率減手，晶粒隨之 變大，更緻密，達1425°C飽和點時， 溫度在上升，晶粒過於成長，以致產生 少許孔洞。 碩士論文國立成功大學 電機工程研究所90年6月, 劉適嘉 X-ray分析: 溫度850°C、900°C時， 900°C以上 組成像都出現。 x=0.02、0.04、0.06、 0.08時隨溫度上升，密度 大致上在固定範圍內，有 緩慢增加趨勢，達到穩定 值。 x=0.05時，較有顯著變化。 當溫度提高，孔洞數減少， 晶粒隨之變大。 陶瓷密度燒結溫度關係圖 密度上升，達1475°C飽和點 隨x值增加,密度友先增後減 趨勢。 碩士論文國立成功大學 電機工程研究所90年6月, 劉適嘉 隨溫度上升，介電償數約略趨 近於定值，有緩慢增加趨勢。 但當x=0.05時，介店常數對於 燒節溫度有比較顯著的變化。 1350°C、1375°C兩個溫度， 燒結未緻密，介電償數低 陶瓷介電常數與燒節溫度關係圖 1400°C以上燒結緻密，介電常 數穩定增加。 碩士論文國立成功大學 電機工程研究所90年6月, 劉適嘉 以FR4為機板設計的交錯耦合濾波器 碩士論文國立成功大學 電機工程研究所90年6月, 劉適嘉 (A) (B) 以FR4為基板的交錯耦合濾波 器實作後 (C) 碩士論文國立成功大學 電機工程研究所90年6月, 劉適嘉 以氧化鋁為基板設計的交錯耦合濾波器 碩士論文國立成功大學 電機工程研究所90年6月, 劉適嘉 以氧化鋁鍍膜10分鐘的交錯耦合 濾波器量測圖 以氧化鋁鍍膜20分鐘的交錯耦合 濾波器量測圖 碩士論文國立成功大學 電機工程研究所90年6月, 劉適嘉 以氧化鋁鍍膜25分鐘的交錯耦合 濾波器量測圖 碩士論文國立成功大學 電機工程研究所90年6月, 劉適嘉 以0.95Ba(Zn1/3Nb2/3)O3-0.05BaZrO3為基板設計的交錯耦合濾波器 電腦模擬圖 碩士論文國立成功大學 電機工程研究所90年6月, 劉適嘉 可改善之處 1.在材料方面：針對透過添加負頻率溫度係數成份 2.在電路方面： (A)受介電損及導體損影響，約有2~3db的損失 如能降低介電損及導體損，能讓電路特性表現更佳。 (B)縮小體積，論文使用三款不銅機板設計，介電常數越 高的基板，電路面積越小，亦較符合電子產品使用。 碩士論文國立成功大學 電機工程研究所90年6月, 劉適嘉 劉適嘉, ” Ba[ZrxZn(1-x)/3Nb2(1-x)/3]O3 介電陶瓷之微波特性及 其應用” 碩士論文國立成功大學 電機工程研究所90年6月, 劉適嘉 介電常數值，高電路面積小 還有改善的空間