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GaN-based light-emitting diode with ZnO
nanotexture layer prepared
using hydrogen gas
Outline
Introduction
 Experimental
 Results and discussion
 Conclusion
 References

Introduction
利用噴灑及加熱分解技術，在GaN LED沉積
一層P-ZnO奈米層，分別沉積上一層ZnO奈
米層和經氫氣 （H2 ） 處理，分別處理時間不
同的ZnO奈米層，比較其發光效率和其光學
特性。
無經H2處理的結構圖
經過H2處理的結構圖
Experimental
沉積的ZnO經H2處理
（7.89nm）
沉積的ZnO經H2處理20min
（15.81nm）
Results and discussion
光穿透率比較
IV圖
外
部
量
子
效
率
光
輸
出
量
注入電流之光輸出量與外部量子效率比較
Conclusion

在GaN-based GaN LED ，沉積不同粗糙
化程度的ZnO和H2 處理，可以有效的改
善發光效率。
References

GaN-based light-emitting diode with ZnO nanotexture layer
prepared using hydrogen gas.