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低溫超臨界技術應用於
電阻式記憶體之特性分析
學生：謝博全
學號：MA430210
老師：蔣富成
電阻式記憶體
電阻式記憶體是一種利用電壓改變高低阻態，
是一種非揮發性的記憶體。
特點在於元件結構簡單、成本便宜、製作速度快。
特性若不斷突破，不排除取代快閃記憶體的可能性。
電阻式記憶體優缺點
優點：寫入電壓低、寫入速度快、讀取速度快
成本低、體積小、消耗功率低
缺點：元件阻態切換不穩定
元件耐久度不佳
快閃記憶體及電阻式記憶體比較
項目
Flash Memory
RRAM
非揮發性
Y
Y
消耗功率
低
低
寫入時間(ns)
30
10
寫入電壓
低
低
寫入能量
低
低
讀取時間(ns)
30
20
多位元儲存
N
Y
105
105
耐久度
超臨界流體處理技術
超臨界流體是溫度和壓力超過其臨界點所產生的物質。
超臨界流體的物理性質是介於氣相、液相之間(黏度接近
氣體，密度接近液體)
密度高所以可輸送較氣體更多的超臨界流體
黏度低所以輸送時所需之功率較液體低
超臨界處理後特性分析
結論
超臨界流體處理技術可有效的
1. 降低漏電流
2. 降低轉換高低阻態功率
3. 修補缺陷
參考文獻
氧化矽基電阻式記憶體
Ting-Chang Chang ( 張鼎張 )1 、Tsung-Ming Tsai ( 蔡宗鳴 ) 2、 Kuan-Chang Chang
( 張冠張 ) 2、Tian-Jian Chu ( 朱天健 ) 2、 Yong-En Syn ( 徐詠恩 ) 1 1 國立中山大學物理系、2 國立中山大學材料與
光電科學學系
超臨界流體的應用談駿嵩
科學發展 期刊 第13頁
The End