Transcript Tecnol planare 2

Processo CMOS
fotoresist
1
substrato P
6
impiantazione N
impiantazione N
tasca N
7
2
impiantazione P
apertura finestre MOS
3
8
ossido di gate
4
9
polisilicio
5
10
1
PROCESSO BIPOLARE
2
Resistori integrati
t
P
L
W
3
Condensatori integrati
metallo (o poly)
tOX
ossido
semiconduttore
metallo
giunzione
V(>0)
+
+ + + +
regione
N
+ + + + + +
+ +
Xd
regione di
svuotamento
regione P
4
PROCESSO
CMOS
5
1G
100M
64M 
16M 
10M
4M 
1M
1M
256K

P6
80486
"
 memorie
microprocessori
80386
64K 
100K
16K
"
10 mm
8086
10K
1
" 8080
1K
0.1
anno
feature size
numero di transistori per chip
256 M 
2000
6
fetta
chip
7
Processi di back end
8