Transcript Pertemuan 9 GARIS BEBAN TRANSISTOR Matakuliah : H0014/Elektronika Diskrit

Matakuliah
Tahun
Versi
: H0014/Elektronika Diskrit
: 2005
:1
Pertemuan 9
GARIS BEBAN TRANSISTOR
1
Learning Outcomes
Pada akhir pertemuan ini, diharapkan mahasiswa
akan mampu :
• Menerangkan mengenai pengertian garis
beban DC.
2
Outline Materi
• Ekivalen DC dari transistor.
• Titik saturasi dan titik putus.
• Garis beban DC.
3
EKIVALEN DC TRANSISTOR
arus elektron
B
C
arus elektron
IB
C
EKIVALEN DC
B
b.IB
E
E
4
EKIVALEN PENGUAT
IC
RB
RC
RB
IB
+
+
VBB
VBE _
VCE
+
VCC
B
RC
C
VBB +
b.IB
_
+
VCC
+
E
5
PERSAMAAN KIRCHOFF
IC
RC
RB
IB
+
+
VBB
VBE _
+
VCE
_
VCC
-VBB + IB RB + VBE = 0
(1)
-VEE + IC RC + VCE = 0
(2)
VBB  VBE
IB 
RB
+
IC  βIB
Jenuh , VCE
VCC
 0  I C( sat ) 
RC
Putus, IC = 0
 VCE(cutoff) = VCC
6
GARIS BEBAN DC
IC
VCC
IC(sat) =
RC
garis beban DC
VCE(cutoff) = VCC
VCE
7
SATURATE, CUTOFF, Q POINT
IC
I CQ 
IC(sat)
I C(sat)
VCEQ 
ICQ
2
VCE( cutoff )
Q
VCQ
VCE(cutoff)
2
VCE
8
KURVA KOLEKTOR
IC
IC(sat)
IB = 0
VCE(cutoff)
Kurva Kolektor
VCE
9
CONTOH 1
RC =1K
RB = 1M
+
VCC=10V
+
VBB=5V
Diketahui transistor pada gambar di atas
mempunyai bDC = 100. Gambarkan garis beban
DC dan tentukanlah letak dari titik Q.
10
JAWAB
VCE(cutoff) = VCC = 10 V
I C( sat )
IB 
V
10V
 CC 
 2 mA
RC
5K
VBB  VBE (5  0,7 )V

 4,3 μA
RB
1MΩ
IC
2 mA
Arus dan tegangan di titik Q.
ICQ = b.IB = 100 . 4,3 A
ICQ = 430 A
VCEQ = VCC – IC.RC
430 uA
Q
7,85 V 10V
VCEQ = 10 – ( 430 A ).5 K
VCEQ = 10 – 2,15
VCEQ = 7,85 volt
11
VCE
CONTOH 2
RC =2K
+
VCC =10V
+
VBB =1V
RC =100 
Tentukanlah garis beban DC dan besarnya arus dan tegangan di
titik Q pada rangkaian dibawah ini.
12
JAWAB
VCC = IC RC + VCE + IE RE
VCC = IC ( RC + RE ) + VCE
I C( sat )
VCC
10V


 4,7 mA
R C  R E 2100Ω
VCE ( cutoff )  VCC  10 V
Arus dan tegangan di titik Q
VBB = VBE + IE RE
VBB  VBE (1  0,7 )V

RE
100Ω
 3 mA
IE 
IE
I CQ  I E  3 mA
VCEQ  VCC  I C ( R C  R E )
VCEQ  10  ( 3 mA ).( 2100Ω )
VCEQ  10 V  6,3 V  3,7 V
13