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實驗七
電晶體BJT特性
實驗目的



學習量測並描繪電晶體的集極
特性曲線。
學習使用萬用電表測量電晶體
的hFE值及判斷電晶體的腳位。
電子學實驗
陳瓊興編
電晶體分類

電晶體(Transistor)有兩大類：


雙極性接面電晶體(BJT)
 NPN
 PNP
 TTL (電晶體-電晶體邏輯閘) IC
74XX系列
場效電晶體 (FET)
 接面場效電晶體(JFET): N channel
and P channel
 MOSFET: NMOS and PMOS
 CMOS(互補式MOS) IC 4XXX系列
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陳瓊興編
雙極性接面電晶體
C
C
B
B
E
E
(a)NPN
圖7-1
R1
(b)PNP
BJT之標準符號
R2
¶¶°¾
°f°¾
圖7-2
R1
R2
¶¶°¾
°f°¾
電晶體的順-逆偏壓
電子學實驗
陳瓊興編
電子學實驗
陳瓊興編
表7-1常用電晶體之規格
規
編 號
格
備 註
Vcbo
Ic
Pc
βDC(hFE)
2SA495
50V
150mA
400mW
70~240
PNP
2SA684
60V
1A
1W
約160
PNP
2SA733
60V
100mA
250mW
約200
PNP
2SA1015
60V
150mA
400mW
70~240
PNP
2SC945
60V
100mA
250mW
約200
NPN
2SC1384
60V
1A
1W
約160
NPN
2SC1815
60V
150mA
400mW
70~240
NPN
2SD313
60V
3A
30W
40~320
NPN
MJ2955
100V
15A
115W
約40
PNP
2N3053
60V
700mA
1W
約150
NPN
2N3055
100V
15A
115W
約40
NPN
2N3569
80V
500mA
800mW
約150
NPN
2N222A
75V
150mA
625mW
約150
NPN
2N4355
80V
500mA
800mW
約150
PNP
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陳瓊興編
雙極性接面電晶體
圖7-6 電晶體的二種包裝(a)金屬外殼包裝(b)鋁
外殼外殼(c)一般塑膠外殼包裝
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電晶體偏壓電路
(a)NPN
(b)PNP
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HM6042 curve tracer
圖7-10曲線描跡器
集極特性曲線
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實驗說明

由於不同廠牌萬用電表之設計，判斷BJT
電晶體腳位時，需適當搭配PNP與NPN之
切換。以便取得正確之訊息。

項目二：電晶體集極特性曲線描繪
 注意：當推動電流不足時，VRC將接近0V，
所以要注意電源供應器的VCC電流推動是
否足夠。否則需增大電流供給，即調整
電源供應器的電流旋鈕。
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