Slide 1

Autor:

Jiří Gregor

Předmět/vzdělávací
oblast:

Digitální technika

Tematická oblast:

Digitální technika

Téma:

Paměti – dělení podle technologie 1

Ročník:

3.

Datum vytvoření:

září 2013

Název:

VY_32_INOVACE_12.1.13.ELE

Anotace:

Vysvětlení rozdělení pamětí podle kritéria technologie výroby – bipolární a unipolární.
Prezentace je určena pro přípravu žáků oboru Mechanik elektrotechnik. Využitím grafických
možností sady Microsoft Office 2010 se materiál stává inovativním zejména názorností
výkladu, který vede žáka krok za krokem ke správnému řešení. Interaktivní prezentační prvky,
animace a bohaté ilustrační příklady napomáhají lepšímu pochopení tématu a usnadňují
rozvoj odborných znalostí a dovedností žáků.

Metodický pokyn:

Materiál primárně slouží pro výklad v hodině, ale díky své názornosti může být využit i
k samostudiu a pro distanční formu vzdělávání. Otázky na konci tématu ověřují, jak žáci
danou problematiku zvládli, a po vytištění je lze použít i jako samostatný test. Materiál
vyžaduje použití multimediálních prostředků – PC, dataprojektoru. Využitím interaktivní tabule
je možné zvýšit jeho interaktivitu.


Slide 2

DĚLENÍ PODLE TECHNOLOGIE
Paměťové buňky se vyrábějí různými
technologiemi, na kterých závisí jejich vlastnosti.

PAMĚTI

BIPOLÁRNÍ

UNIPOLÁRNÍ


Slide 3

DĚLENÍ PODLE TECHNOLOGIE
1.

Polovodičové paměti vyráběné bipolární
technologií.

2.

Polovodičové paměti vyráběné unipolární
technologií


Slide 4

DĚLENÍ PODLE TECHNOLOGIE
Bipolární technologie


Vyznačuje se tím, že používá ke konstrukci
paměťové buňky bipolární tranzistory.



Paměťové buňky jsou tvořeny obvody TTL
(Transistor Transistor Logic – Tranzisorově
tranzistorová logika ) nebo ECL (Emitter
Coupled Logic - Emitorově vázaná logika).


Slide 5

BIPOLÁRNÍ TECHNOLOGIE


Paměti zhotovené touto technologií jsou velmi
rychlé, ale ve srovnání s unipolární technologií
potřebují mnohem větší příkon.



Nedovolují dosáhnout většího stupně integrace,
proto mají menší kapacitu než paměti
unipolární, používají se proto pro speciální malé,
ale velmi rychlé paměti, např. vyrovnávací
(cache) paměti.


Slide 6

UNIPOLÁRNÍ TECHNOLOGIE
Unipolární technologie




má mnoho předností. Paměťové buňky jsou tvořeny
unipolárními tranzistory MOS (Metal Oxid Semiconductor).
S touto technologií lze dosáhnout vysokého a velmi
vysokého stupně integrace (obvody LSI a VLSI).
V unipolární technologii polovodičových pamětí existuje u
různých výrobců mnoho odlišností. Výrobci modifikují tři
základní kategorie technologií s MOS tranzistory:
•
•
•

P-MOS, technologie s p kanálem
N-MOS, technologie s n kanálem
CMOS, technologie s komplementárními tranzistory s p i n
kanálem


Slide 7

UNIPOLÁRNÍ TECHNOLOGIE








Technologií CMOS lze docilovat velmi vysokého
stupně integrace a rychlosti přístupu se blíží
bipolárním technologiím.
Integrované obvody CMOS jsou konstruovány z
dvojice komplementárních tranzistorů řízených
polem MOSFET s indukovaným kanálem.
Jeden z této dvojice je MOSFET s p -kanálem a
druhý s n - kanálem.
Základním stavebním blokem složitějších obvodů v
technologii CMOS je invertor.


Slide 8

Kontrolní otázky








Jak rozdělujeme paměti podle typu
použité technologie?
Popište bipolární technologii paměťových
buněk.
Popište unipolární technologii
paměťových buněk.
Které varianty základní kategorie
technologií s MOS tranzistory modifikují
výrobci? Co znamená zkratka CMOS?
Co je základním stavebním blokem
složitějších obvodů v technologii CMOS?


Slide 9

Použité zdroje:


ANTOŠOVÁ, Marcela a Vratislav DAVÍDEK. Číslicová technika. 3. vyd.
České Budějovice: Kopp, 2008, 286 s. ISBN 978-80-7232-333-3.



Autorem všech částí tohoto učebního materiálu, není-li uvedeno
jinak, je Jiří Gregor.