Transcript 6.7 陶瓷晶体塑性变形特点？ 陶瓷是比较脆的。晶态陶瓷塑性差是由于其离子键和共 价键造成的。 （1）在共价键键合的陶瓷中，原子之间 的键合是特定的并具有方向性。当位错以水平方向运动 时，必须破坏这种特殊的原子键合， 而共价键的结合力 是很强的，位错运动有很高的点阵阻力（即派—纳力）。 因此，以共价键键合的陶瓷，不论是单晶体还是多晶体， 都是脆的。 （a)共价键 结合键对位错运动的影响 6.7 陶瓷晶体塑性变形特点？ （2）基本上是离子键键合的陶瓷的变形：a. 具有离子键的 单晶体，如氧化铁和氯化纳，在室温受压应力作用时可以进 行相当多的塑性变形， b.但是具有离子键的多晶陶瓷则是脆 的，并在晶界形成裂纹----因为可以进行变形的离子晶体，当 位错运动一个原子间距时，同号离子的巨大斥力，使位错难 以运动；但位错如果沿45o方向而不是水平方向运动，则在滑 移过程中相邻晶面始终由库仑力保持相吸，因而具有相当好 的塑性。但是多晶陶瓷变形时，相邻晶粒必须协调地改变形 状，由于滑移系统较少而难以实现，结果在晶体界产生开裂， 最终导致脆性断裂。 结合键对位错 运动的影响 (b)离子键 例P247第5题 简要分析加工硬化、细晶强化、固熔强化及弥散强化在 本质上有何异同。 加工硬化是由于位错塞积、缠结及其相互作用，阻止了位 错的进一步运动. 细晶强化是由于晶界上的原子排列不规则，且杂质和缺陷 多，能量较高，阻碍位错的通过， ；且晶粒 细小时，变形均匀，应力集中小，裂纹不易萌生和传播。 固熔强化是由于位错与熔质原子交互作用，即柯氏气团阻 碍位错运动。 弥散强化是由于位错绕过、切过第二相粒子，需要增加额 外的能量（如表面能或错排能）；同时，粒子周围的弹性 应力场与位错产生交互作用，阻碍位错运动。 6.7 陶瓷晶体塑性变形特点？ 陶瓷是比较脆的。晶态陶瓷塑性差是由于其离子键和共 价键造成的。 （1）在共价键键合的陶瓷中，原子之间 的键合是特定的并具有方向性。当位错以水平方向运动 时，必须破坏这种特殊的原子键合， 而共价键的结合力 是很强的，位错运动有很高的点阵阻力（即派—纳力）。 因此，以共价键键合的陶瓷，不论是单晶体还是多晶体， 都是脆的。 （a)共价键 结合键对位错运动的影响 6.7 陶瓷晶体塑性变形特点？ （2）基本上是离子键键合的陶瓷的变形：a. 具有离子键的 单晶体，如氧化铁和氯化纳，在室温受压应力作用时可以进 行相当多的塑性变形， b.但是具有离子键的多晶陶瓷则是脆 的，并在晶界形成裂纹----因为可以进行变形的离子晶体，当 位错运动一个原子间距时，同号离子的巨大斥力，使位错难 以运动；但位错如果沿45o方向而不是水平方向运动，则在滑 移过程中相邻晶面始终由库仑力保持相吸，因而具有相当好 的塑性。但是多晶陶瓷变形时，相邻晶粒必须协调地改变形 状，由于滑移系统较少而难以实现，结果在晶体界产生开裂， 最终导致脆性断裂。 结合键对位错 运动的影响 (b)离子键 例P247第5题 简要分析加工硬化、细晶强化、固熔强化及弥散强化在 本质上有何异同。 加工硬化是由于位错塞积、缠结及其相互作用，阻止了位 错的进一步运动. 细晶强化是由于晶界上的原子排列不规则，且杂质和缺陷 多，能量较高，阻碍位错的通过， ；且晶粒 细小时，变形均匀，应力集中小，裂纹不易萌生和传播。 固熔强化是由于位错与熔质原子交互作用，即柯氏气团阻 碍位错运动。 弥散强化是由于位错绕过、切过第二相粒子，需要增加额 外的能量（如表面能或错排能）；同时，粒子周围的弹性 应力场与位错产生交互作用，阻碍位错运动。