Transcript diodos
Diodos
Semicondutores
Estrutura atômica
Os materiais semicondutores mais comuns são o silício (Si) e o
Germânio (Ge), que em estado puro apresentam-se na forma de um
cristal, significando que seus átomos acham-se dispostos
uniformemente em uma configuração rígida.
Esses materiais são tetravalentes, ou seja, possuem 4 elétrons na órbita
de valência, conforme a figura a seguir.
Semicondutores
Como a estabilidade é atingida com oito elétrons na
última órbita, cada átomo desses materiais faz 4
ligações covalentes com quatro átomos vizinhos,
tornando-se estáveis e dando origem a estrutura
cristalizada, conforme figura a seguir.
Semicondutores
Da forma como se apresenta esse semicondutor, não
há corrente, pois os elétrons acham-se presos às
ligações de valência, ou seja, não há elétrons livres
para a condução.
Para que haja corrente, é necessário romper as
ligações covalentes mediante o fornecimento de
energia suficiente para isso, nas formas de luz, calor,
etc.
Semicondutores
Geração de Pares Elétron-Lacuna
Se houver o rompimento de uma ligação covalente,
ocorre a liberação de um elétron e o surgimento de
um espaço vazio onde ele se encontrava.
A esse vazio damos o nome de lacuna.
Portanto, o rompimento da ligação covalente gera
um par elétron-lacuna.
Semicondutores
A lacuna comporta-se como uma carga positiva, pois pode se mover
de um lado a outro do cristal, sempre no sentido contrário ao
movimento do elétron.
A figura mostra que quem realmente tem mobilidade são os elétrons
livres.
Ao se deslocarem em direção ao potencial negativo da fonte, eles
ocupam sucessivas lacunas.
Com isso as lacunas deslocam-se em sentido contrário, isto é, em
direção ao potencial positivo da fonte.
Processo de Dopagem nos Semicondutores
Dopagem é o nome do processo utilizado para
constituir os semicondutores P e N por meio da
adição ao Si de quantidades bem reduzidas de
impurezas.
Processo de Dopagem nos Semicondutores
Formação do semicondutor P
Para a formação do semicondutor P são adicionados
ao silício átomos trivalentes.
São trivalentes os átomos que possuem três elétrons
em suas órbitas de valência, como, por exemplo, o
alumínio, o índio, o boro e o gálio.
Processo de Dopagem nos Semicondutores
Se introduzirmos no silício, que é tetravalente, uma
pequena quantidade de material trivalente, os
elétrons dessa impureza farão ligações covalentes
com os elétrons de silício.
A figura a seguir representa a dopagem do silício por
átomos de boro.
Processo de Dopagem nos Semicondutores
No entanto, falta um elétron para completar a ligação em
cada átomo trivalente, pois ele colaborou apenas com
três elétrons, enquanto o silício possui quatro elétrons.
Esta falta de um elétron comporta-se como uma carga
positiva, ou seja, uma lacuna.
Assim, de um modo artificial, consegue-se gerar lacunas
sem gerar elétrons livres.
Esse semicondutor com excesso de lacunas é
denominado P.
Processo de Dopagem nos Semicondutores
Formação do semicondutor N
Para formação do semicondutor N são adicionados
ao silício átomos pentavalentes.
São pentavalentes os átomos que possuem cinco
elétrons em suas órbitas de valência, como, por
exemplo, o fósforo e o arsênio.
Processo de Dopagem nos Semicondutores
Se introduzirmos no silício, que é tetravalente, uma
pequena quantidade de material pentavalente, os elétrons
dessa impureza farão ligações covalentes com os elétrons
de silício.
A figura a seguir representa a dopagem do silício por
átomos de fósforo.
Processo de Dopagem nos Semicondutores
No entanto, há uma sobra de um elétron livre do
átomo pentavalente, pois ele não faz ligação
covalente com nenhum elétron dos átomos de silício.
De um modo artificial, consegue-se gerar elétrons
livres sem gerar lacunas.
Esse semicondutor com excesso de elétrons livres é
denominado N.
Junção PN - Diodo
A união de um semicondutor P com um N pode ser
realizada de modo a constituir um cristal único.
Esse cristal é denominado junção PN ou diodo de junção
ou anda diodo.
No momento em que a junção desses semicondutores é
feita, inicia-se um processo de difusão de cargas, isto é, o
deslocamento de cargas de regiões de elevada
concentração para regiões de baixa concentração.
Junção PN - Diodo
A figura a seguir mostra como este processo se desenvolve, em
que está apresentada uma junção PN não polarizada.
O semicondutor N apresenta um grande número de elétrons e
o semicondutor P, um grande número de lacunas. Logo, ao
formar a junção PN, ocorre a difusão dos elétrons livres do
lado N para o P.
Junção PN - Diodo
No lado N, a ausência de elétrons cria uma região de íons positivos
(cátions) próximos a junção.
No lado P, quando os elétrons ocupam a lacunas que também encontram-
se próximas da junção (recombinação elétron-lacuna), eles criam íons
negativos (ânions).
Durante esse processo de difusão, conforme os íons vão sendo formados, a
barreira de potencial (camada de depleção) cresce.
Com isso o fluxo de elétrons de N para P diminui, pois os elétrons
provenientes do lado N precisam ultrapassar a barreira negativa do lado P
para continuar a recombinação.
Desta forma, o processo de difusão cessa quando ocorre um equilíbrio de
cargas na junção.
Junção PN - Diodo
A barreira de potencial produzida na junção no final
do processo de difusão corresponde a uma diferença
de potencial (ddp) cujo valor depende do material
semicondutor e da temperatura ambiente.
À temperatura ambiente, a barreira de potencial vale
aproximadamente 0,6V para o semicondutor de
silício.
Junção PN - Diodo
No diodo, o terminal do lado P é denominado anodo
(A) e o terminal do lado N é denominado catodo (K).
Polarização do diodo
Diodo reversamente polarizado
A aplicação da tensão reversa provoca um alargamento da camada de
depleção.
Fisicamente, ocorre que a tensão reversa externa atua de forma a impedir a
circulação de elétrons através da junção.
O diodo polarizado reversamente comporta-se como uma resistência muito
elevada. É considerado como um circuito aberto.
Polarização do diodo
Diodo diretamente polarizado
Nesse caso, a tensão externa ajuda os elétrons livres do lado N a vencer
a camada de depleção, assim, há facilidade para a circulação de
corrente.
O diodo polarizado diretamente comporta-se como uma resistência
muito baixa. É considerado um curto-circuito.
Curva Característica do Diodo
Primeiro quadrante: enquanto a tensão sobre o diodo é menor do que a
barreira de potencial (0,6V), a corrente é praticamente nula. A partir de 0,6V a
corrente cresce muito, como se o diodo estivesse em curto.
Terceiro quadrante: a corrente reversa é muito pequena e cresce muito pouco
com o aumento de tensão. No entanto, há um valor de tensão denominado
tensão de ruptura (VRmax) que faz com que o diodo inicie um processo de
condução reversa.
Diodo Emissor de Luz - LED
LED (Light Emitting Diode): diodo emissor de luz.
Trata-se de um dispositivo opto-eletrônco que emitem luz quanto é polarizado
diretamente.
O princípio de funcionamento baseia-se na irradiação de energia eletromagnética
(produz luz) que há quando elétrons do lado N cruzam a junção e se recombinam com
lacunas do lado P.
Os LEDs utilizam elementos como o gálio (Ga), arsênio (As) e o fósforo (P) em sua
fabricação.