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崩壊点検出器
石川 明正
(東北大学)
20140721
ILC夏の合宿2014@関金温泉
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物理と崩壊点検出器
• 崩壊点検出器の役割
– ジェットフレーバーの同定
• ジェットが b クォーク起源か、c クォーク起源か、u,d,sクォークまたはグルーオン起源か
区別する
– 高運動量領域での運動量分解能の改善
– 低運動量の飛跡再構成
• どんな物理に重要?
– 結合定数測定
• ヒッグスがダイジェットに崩壊する確率は70%ぐらい
– bb : 57.7%
– cc : 2.9%
– gg : 8.6%
• こいつらを分離しなくては結合定数は求まらない
– ヒッグス自己結合などのレアプロセスの測定
• e+e-  ZHH  (qq)(bb)(bb), e+e-  nnHH  nn (bb)(bb)
• 生成断面積は O(100) ab 程度  1ab-1 ためても O(100) events しか生成されない。
• bクォークを含まない膨大な背景事象O(100)fbを抑制する
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どうやってジェットフレーバーを区別する?
• b,c ハドロンは O(1) ps 程度の短い寿命を持つので、一次反応点から少し
飛んで (B中間子だと ct = 450μm)崩壊する
なぜb,cクォークが ps 程度の寿命を持つか?
ミューオンの寿命は 2μs
– ほぼビームパイプの中で崩壊する。
– 崩壊は bcs のようなチェイン。
• 衝突点から離れた崩壊点を探す
• 反応点の数
s
– 3b, 2c, 1udsg
• 離れた崩壊点での質量
– 重い  b,c
– B中間子 5.279GeV
– D中間子 1.869GeV
c
b
崩壊点を数μmで測定する事が重要
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e-
IP
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e+
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シリコン半導体検出器
• 位置分解能が良いのと、高精細である長所を生かし、ビーム
による背景事象の多い衝突点近傍に設置し、崩壊点を測定
– 良い分解能 O(1)μm
• ガス検出器は良くて50μm
– 崩壊点の位置精度は衝突点に近いほど上がる
• センサー形状の違いによる二種類の半導体検出器
– ピクセル検出器
• センサー 5~30mm角の正方形(場合によっては長方形も)
– ストリップ検出器
• センサー 長さ数cm 幅~80mm(ストリップ=紐)
• ピクセル検出器の方が高精細な為、衝突点近傍に設置できる
– 衝突点近傍は桁違いに背景事象が多い
– 放射線耐性が要求される
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原理
• 荷電粒子が通過するとシリコン中に電子とホールペアを作る
– 8000電子ホールペア/100μm (1ペア/3.64eV)
• ガス検出器だと大体 O(100)電子イオンペア/cm (1ペア/O(100)eV)
• シリコン中には電場(逆バイアス)がかかり、生成された電子
とホールが電極に向かってドリフトする
• 電極から電子・ホールを検出する。
• 電子回路で増幅し読み出す
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ストリップ検出器
• LEP, HERA, Belle, Babar などの実験ではストリップ検出器を崩
壊点検出器に用いていました。
– 厚さ 320μmと厚い
Double Sided Silicon Sensor
• しかし高輝度の実験LHC、Belle2、ILCなどでは占有率が問題
になる為、崩壊点から離れたところに使われます
• 崩壊点検出器は占有率を抑えられるピクセル検出器に取っ
て代わられました
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ILCでの崩壊点検出器への要求
• Impact Parameter 分解能
– sb = 5 10/psin3/2 θ[mm]
– 第一項:位置分解能
– 第二項:クーロン多重散乱
s=ab/psin3/2q
LEP
SLC
LHC
RHIC
ILC
a [mm]
25
8
12
13
5
b [mm GeV/c]
70
33
70
19
10
• 位置分解能
– 3μm 以下
ペアバックグラウンドの量
• 最内層の半径
– R=1.6cm for B=3.5T
電子
• 物質量(放射長)
– 0.15%/layer
• 占有率
– A few % 以下
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衝突点
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ここ以下じゃ無いと背景事象
が多くて機能しない
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ILC崩壊点検出器の構造
• 6レイヤー
– ダブレットが3つ
• 最内層ダブレットのどちらかのレイヤーが鳴ればよい崩壊点分解能を得られる
• 近接したダブレットによりヒットのコンビネーションが減る  tracking が楽
• 半径 1.6cm から6.0cmをカバー
– 出来る限り反応点に近く
– ストリップ検出器の占有率が高い領域をカバー
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ILCでのトレイン構造と読み出し
• ILCのトレイン構造は特殊
– 1300程度のバンチが 1ms のトレインを形成
– トレインが 200ms 毎に衝突
– 間の199msは電子ビームも陽電子ビームも通過しない
• 二つの読み出し方式
– トレイン中1msに電荷をため、トレイン間199msに読み出す
• ピクセルサイズ < 10um
• 読み出しの最中にビームにより高周波ノイズが乗らない
– トレイン中1ms の間に10回~100回程度読み出す
• ピクセルサイズ 20um 程度
• 190ms 程度は電源を切る事が可能であり、電力消費が少ない
554 ns
1300-2600
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代表的なテクノロジー
• トレイン間読み出し
– Choronopixel (米)
– FPCCD (日)
• トレイン中読み出し
– MIMOSA/AROM (仏)
– DEPFET (独+西)
他にもありますが、それほどアクティブに開発してない(ように思える)
将来的にさらに先進的なテクノロジーが出てくる可能性あり
崩壊点検出器は最後にインストールする検出器なのでまだまだ
開発する時間は残っている
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Chronopixel
• バンチ時間情報をピクセル内部のメモリに記録
– バイナリー読み出し(ヒットがあったか無いかの情報、電荷情報は無し)
– メモリはそれぞれのピクセルに2つある
• トレイン間に読み出す
• ピクセルサイズ 10μm角
– 45nmプロセス
– 分解能 10/sqrt(12) = 2.9μm
– 現在 90nmプロセスで25um角
• 12.5μm角(分解能3.6μm)までしか出来ないかもと予想されてる
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DEPFET(DEPleted Field Effective Transistor)
• 全空乏型電界効果トランジスタ
– 20μm角
• ビームテストでの分解能3.5μm
• 50μmの厚さだと charge sharing が十分でない
– PチャンネルのFET
– N+ をバルクに作り gate の下に電荷が集
まるようにし、トランジスターで電流を増幅
• g~=400pA/e-
– ローリングシャッター読み出し
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– Belle II 実験で採用
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MIMOSA/AROM
• CMOSテクノロジー
– 0.35μmプロセス
– 二つのレイヤー(位置分解能と読み出し時間)
• 16μm×16μm
– 分解能3μm、読み出し時間50μs
• 16μm×64μm
– 分解能6μm、読み出し時間10μs
– ローリングシャッター読み出し
読み出し回路
• センサーの端に読み出し回路をおいて、ピクセルを順次行毎に読み出す
• 1トレインの間に10回から100回程度読み出す。
– STAR実験に採用
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FPCCD
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FPCCD
• Fine Pixel CCD (高精細CCD)
– 読み出しはトレイン間
• 電荷を1トレイン分ためる
– CCDなので読み出しは端にしかついていない
– バケツリレーのように電荷を転送し読み出す
• ピクセル内のポテンシャル井戸を電圧で制御し転送
– アナログ読み出し
– ピクセルサイズ 5μm角
• 仮にデジタルで読み出しても 1.4μm の分解能
• 3~6レイヤーは10μm角
– 多ピクセルなので占有率が低い
– 有感層の厚さ15μm
• 全体の厚さ50μm
– 全空乏化
– 読み出し回路
• 読み出し速度 >10Mpixel/sec
• ノイズ < 30電子
• 電力消費 < 6mW/ch (総電力~35W)
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東北大学 森
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FPCCDの特徴的な点
• 利点
– 位置分解能が他のテクノロジーより良い
• ジェットフレーバーの同定が良いはず
– トレイン間読み出しなのでビーム通過の際の高周波ノイズを受けない
• SLD で問題になりました
– トレイン間に電源をオフにしないため、ローレンツ力による振動が無い
• 欠点
– 中性子耐性が他のテクノロジーより弱い
• 電荷転送効率が悪化するがILC程度の中性子量であれば十分(要検証)
– 斜め入射だと電子ホールペアの数が少ない
• 5um  400e• 低雑音読み出し回路が必要
– 電荷転送効率は放射線により悪化ため-40度に冷やすクライオスタットが必要
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• 0.17eV や0.42eV にトラップ準位が形成
• -40度まで冷やすことにより回避できる
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• 物質量が増える
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開発されたFPCCDと読み出し回路
• FPCCD
12×12μ𝑚2
9.6×9.6μ𝑚2
– 現在6μm角まで開発
• 6μm角の動作検証中
–
目標の5μmまであともう一息
– 厚さ50μmの目標を達成
– 長さ6cmの大型チップを開発
8×8μ𝑚2
6×6μ𝑚2
• 読み出し回路
– 第二次試作
• 速度 ○
• ノイズ ○
• 消費電力 ×
– 第三次試作
• 速度 ○
• ノイズ ○
• 消費電力 ○
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全空乏化センサーの開発
•
全空乏化CCDの開発
– 全空乏化していると電荷の広がりを抑えられる
– 背面照射タイプのCCDに線状にフォーカスしたレーザーを照射
– 信号の拡がりを観測して全空乏化を確認
Back-illumination
Back-illumination
Nondepleted
Depleted
Depleted
Gate
Projection
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薄型センサーの開発
• センサーの薄型化
– 機械的グラインド(研削)による薄型化
– ステルスダイシング(レーザーによって
シリコンの内部を)によってウェハーから
切り出す
– 50mmの薄型化チップを製作
– 暗電流の増加は認められなかった
60mmx9.7mmx50mm
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東北大学 伊藤
電荷転送効率の測定
• 実機では電荷を2万回程度転送する。
– 電荷転送効率が 99.999% 程度無いと転送後の電荷が小さくなりSN
が悪化
• Fe55 からの 5.9keV のX線を照射し転送効率を測定
ペデスタル
シグナル
• 電荷転送効率(CTE : charge transfer efficiency)
• 電荷転送非効率(CTI : charge transfer inefficiency)
– CTI = 1-CTE
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東北大学 伊藤
電荷転送効率の測定結果
• Fe55のレートがそれほど高くないので16x16ピクセル単位で
解析する。
– 転送回数が1回の時と501回の時では電荷が CTE500 倍
– 転送効率は水平と垂直で異なる
水平方向 : (1.844±0.547)×10−6
垂直方向 : (4.660±2.135)×10−6
・
・
・
・・・・
読み出し回路
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512 pixels ILC夏の合宿2014@関金温泉
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東北大学 伊藤 et al
中性子照射試験@東北大学CYRIC
• セットアップ
– 70MeVの陽子を6mm厚のLiターゲットに照射
– ほぼモノクロ(67MeV)の中性子が発生
• ILC環境での約半年分の中性子を照射
Plastic scintillator
1.25m
0.65m
0.10m
Neutron beam line
Li target
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CCD set
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Liquid scintillator
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東北大学 伊藤
中性子照射前後のCTI
• 照射後でも十分小さなCTIである。
Before irradiation test
After irradiation test
水平方向: (1.844±0.547)×10−6
水平方向 : (6.392±0.626)×10−6
垂直方向: (4.660±2.135)×10−6
垂直方向 : (2.834±0.247)×10−5
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FPCCDとジェットフレーバー同定
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東北大学(現東大) 森
ジェットフレーバー同定w/oペアBG
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東北大学(現東大) 森
ジェットフレーバー同定w/ペアBG
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東北大学(現東大) 森
ペアBG
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東北大学(現東大) 森
ペアバックグラウンド抑制
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東北大学(現東大) 森
ジェットフレーバー同定w/ペア抑制
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今後の課題
• センサー
– 5μm角
• 性能評価
– ハドロンビームテストによる
• 位置分化能の測定
• 電荷転送効率の測定
– 中性子ビームテストによる
• 電荷転送効率の測定
• 暗電流の測定
• 低物質量構造体
– 薄くて軽いラダー
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まとめ
• 崩壊点検出器はジェットフレーバーの同定のために必須
• 崩壊点検出器は半導体ピクセル検出器を用いる
– テクノロジーは多数
– 将来的に新たなテクノロジーが開発されるかも
• FPCCDは最も位置分解能が良いテクノロジー
• 現在開発中で実験開始5年ぐらい前までにテクノロジーを完
成させ、製作する。
• ジェットフレーバー同定を改善するには時間分解能の良い検
出器とダブレットをとる?
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