Transcript k B - GLD

Long Term Stability Test
University of Tsukuba
Yusuke TAKAHASHI
2009/08/20
for ILC meeting
Noise Rate(0.5 p.e.)
Type A
Sample
#1102
Type B
・25
・30
・40
・50
・60
Sample
#1103
Noises are too more than usually.
We should correct data.
Cross-Talk Probability
Type A
Sample
#1102
Pcrosstalk 
scalercoun ts(Vth  1.5 p.e.)
scalercoun ts(Vth  0.5 p.e.)
Type B
・25
・30
・40
・50
・60
Sample
#1103
Cross-Talk Probability seems to depend on temperatures…
Noise Rate Correction
• Discriminator has dead time, so we should
correct data.
m
n
1  m
n = true value
m = observed value
τ= output pulse width (25ns)
• Two pixels fired accidentally when there are a
lot of noises. It is necessary to consider the
effect.
Accidental 2 p.e. : A  n(1  exp[ nT ]) n = avg of noise rate
CrossTalk 2 p.e. : n  A  n exp[ nT ] T = pulse width (3ns)
Noise Rate(0.5 p.e.)
Type A
Sample
#1102
Sample
#1103
・25
・30
・40
・50
・60
● raw data
□ corrected data
Type B
Noise Rate(1.5 p.e.)
Type A
Sample
#1102
・25
・30
・40
・50
・60
Sample
#1103
● raw data
□ dead-time correction
△ accidental 2p.e. correction
Type B
Cross-Talk Probability(Before)
Type A
Sample
#1102
Pcrosstalk 
scalercoun ts(Vth  1.5 p.e.)
scalercoun ts(Vth  0.5 p.e.)
Type B
・25
・30
・40
・50
・60
Sample
#1103
Cross-Talk Probability seems to depend on temperatures…
Cross-Talk Probability(After)
Type A
Sample
#1102
Pcrosstalk 
n(Vth  1.5 p.e.)  A
n(Vth  0.5 p.e.)
Type B
・25
・30
・40
・50
・60
Sample
#1103
Cross Talk Probability is independent to temperatures !
Long term stability (Current)
Dummy data
○○
Temperature
in
Thermo-static Chamber
○
Regularly
measurement
Shutdown
7/7 6:00~
T ~ 85 ℃ , ⊿V ~ 3 V
Sample #1102 Circuit Type A Acceleration constant = 45.4
Sample #1103 Circuit Type B
• Leakage Current increases at time.
Summary & Plan
Summary
• Capacitance and Cross-Talk Probability are
independent to the temperature.
• Leakage Current increases at time.
Plan
• Remeasurement data analysis.
• Leakage Current data analysis.
• Regularly measurement data analysis.
Back Up
Motivation
• ILC では光検出器を長期に渡って使用する
• 使用期間内で性能が安定しているか
• 出力がどのように変化をするのか
原理(1)
反応論モデル:
拡散、酸化、吸着、転位、電解、腐食クラック成長な
どのメカニズムで変化が進行し材料や部品を劣化させ、
ある限界を超えると故障に至る
アレニウスモデル:温度による反応依存性
k :反応速度 [1/time]
Λ :定数 [1/time]
L :温度T での寿命 [time]
k B :ボルツマン定数 [eV/K]
E a :活性化エネルギー[eV]
T :絶対温度 [K]
原理(2)
活性化エネルギーの測定
A :定数
L :温度 T での寿命
k B :ボルツマン定数 [eV/K]
E a :活性化エネルギー[eV]
T :絶対温度 [K]
活性化エネルギーEaを精度良く測定できれば
MPPCの寿命が推定できる
原理(3)
アレニウスモデルを用いた温度加速
K :温度加速定数
L 1 :通常動作時の寿命
L 2 :温度加速時の寿命
T 1 :通常動作温度 [K]
T 2 :温度加速時温度 [K]
k B :ボルツマン定数 [eV/K]
E a :活性化エネルギー[eV]
※活性化エネルギーを0.585 eV
通常動作温度を25 ℃ と仮定
温度[℃] 温度加速定数
35
60
80
100
115
2
11
35
97
196
測定項目
25um 1600pix sample について
以下の項目の測定を3つの温度で行う。
•
•
•
•
•
Gain
Noise Rate
Cross Talk
Leak Current
Relative PDE
測定は 1回 / Week で行う予定。
故障の定義はGLDのDODをベースにして決定する。
(測定していないときは電圧をかけた状態で加熱し
Leak Current を測定する)
予備実験
活性化エネルギーの測定において必要なこと
• 温度に依存せずに安定した電圧をかけ
ることのできるシステム構築
⇒温度に依存しない回路の製作
• 測定を行う温度の決定
• 故障の定義
• 大量測定システムの構築
温度依存性
TypeB:読み出し回路を含まない試作品
TypeA:読み出し回路を含む従来の回路
25,30,40,50,60℃ で
以下の項目の温度依存性を測定する。
MPPC動作温度 0 ~ +40 ℃
MPPC保存温度 -20 ~ +60 ℃
(115℃:恒温槽の限界温度)
•
•
•
•
Gain
Noise Rate
Cross Talk
Leak Current
この測定により次の項目のテストができる
• 温度に依存せずに電圧をかけられるか
• 恒温槽と MPPC が高温に耐えられるか
• 高温領域での MPPC の温度依存性
Set Up(Gain)
Gain
1kHz
Width
55ns
Delay
Clock
Gate
Generator
Generator
CAMAC
Gate
PC
AMP×63
Voltage
source
MPPC
LED
driver
LED
Analog
In
GPIB
Digital
Thermostatic
chamber
Multi Meter
Voltage
source
• 現段階では1つずつしか測定できない
RS232C
Pulse shape
Type A
Type B
MPPC
Pulse
shape
average
Peak が変形している。
ケーブルの長さを変えたりターミネートをしても変化しなかった
ADC distribution
Over Voltage 3[V]
Gate 55ns
25℃
Sample
#1102
Type A
Type B
Sample
#1103
ADC分布はきれいにとれた。
Gain
Vbias

Quenching
resistor
+
p
-
p
n++
1 p.e.
2 p.e.
3 p.e.
(p.e.:photoelectron)
• 各ピークは主にGaussianに従う。
(1 p.e. 以上のピークはAfter Pulse の影響を受ける。
そのため右半分が完全なGaussianではない。
ただし、その寄与は十分小さいものと仮定する。)
Cut
dS
Gain 
e A
d = p1-p0
S = ADC Resolution (= 0.25pC/ADCcount)
e = electric charge(= 1.6 x10-19 C)
A = HAMAMATSU AMP Gain(= 63)
 x  p 4 2 
 ( x  p1) 2 
 ( x  p 7) 2 
p0 exp 
  p6 exp 
  p3 exp 

2
2
2
2
p
2
2
p
5
2
p
8






• (P7-P4)-(P4 -P1) <0 : peak position correction
• (P4-P1)-(P5+P2) >0
(P7-P4)-(P8+P5) >0 :Pk-Pk distance is enough
Rejected ADC distribution
Correction of 3-Gaussian fit
Before
After
Gain Vs Vbias (Before)
Type A
Type B
Sample
#1102
・25
・30
・40
・50
・60
・25
・30
・40
・50
・60
Sample
#1103
・25
・30
・40
・50
・60
・25
・30
・40
・50
・60
Gain Vs Vbias (After)
C
Gain  (Vbias  V 0)
e
Type A
Type B
Sample
#1102
・25
・30
・40
・50
・60
・25
・30
・40
・50
・60
Sample
#1103
・25
・30
・40
・50
・60
・25
・30
・40
・50
・60
• 温度を横軸に、V0 , Capacitance をそれぞれ縦軸にとり温度依存性を見る
V0 温度依存性 (Before)
α:Temperature coefficient [V/℃]
β:V0 [V] @ 0 ℃
#1102 Type A
α:0.051 ± 0.001 V/℃
β:72.84 ± 0.02 V
V 0(T )    T  
#1102 Type B
α:0.051 ± 0.001 V/℃
β:72.83 ± 0.02 V
・#1102 Type A
・#1102 Type B
・#1103 Type A
・#1103 Type B
#1103 Type A
α:0.053 ± 0.001 V/℃
β:72.82 ± 0.02 V
#1103 Type B
α:0.051 ± 0.001 V/℃
β:72.88 ± 0.02 V
V0 温度依存性 (After)
α:温度係数 [V/℃]
β:0℃のときのV0 [V]
#1102 Type A
α:0.050 ± 0.001 V/℃
β:72.82 ± 0.02 V
V 0(T )    T  
#1102 Type B
α:0.051 ± 0.001 V/℃
β:72.79 ± 0.03 V
・#1102 Type A
・#1102 Type B
・#1103 Type A
・#1103 Type B
#1103 Type A
α:0.053 ± 0.001 V/℃
β:72.80 ± 0.02 V
#1103 Type B
α:0.051 ± 0.001 V/℃
β:72.86 ± 0.02 V
Capacitance 温度依存性(Before)
Capacitance には
温度依存性がないと仮定
C (T )  C
・#1102 Type A
・#1102 Type B
・#1103 Type A
・#1103 Type B
#1102 Type A
Capacitance
1.584 ± 0.004 ×10-2pF
#1102 Type B
Capacitance
1.611 ± 0.004 ×10-2pF
#1103 Type A
Capacitance
1.564 ± 0.004 ×10-2pF
#1103 Type B
Capacitance
1.610 ± 0.004 ×10-2pF
Capacitance 温度依存性(After)
Capacitance には
温度依存性がないと仮定
C (T )  C
・#1102 Type A
・#1102 Type B
・#1103 Type A
・#1103 Type B
Capacitanceに温度依存性は無い。
#1102 Type A
Capacitance
1.575 ± 0.004 ×10-2pF
#1102 Type B
Capacitance
1.603 ± 0.004 ×10-2pF
#1103 Type A
Capacitance
1.555 ± 0.004 ×10-2pF
#1103 Type B
Capacitance
1.600 ± 0.004 ×10-2pF
Set Up(NoiseRate)
Noise
10MHz
CAMAC
Discriminator
20ns
Coincidence
Clock
Gate Generator
Generator
25ns
Scaler
Width 0.5s
1Hz
PC
ECL
to
MPPC
AMP×63×10 NIM
25ns
Discriminator
hoge
Digital
GPIB
Multi Meter
Thermostatic
chamber(25℃)
Voltage
source
RS232C
Vth
Threshold Curve
Over Voltage 3[V]
Width 25 ns
Sample
#1102
Type A
ScalerCount Vth  
Threshold Curve
 V  p1 
( p0  p3)
  p3
erfc th

2
 2 p2 
erfcx  
Threshold Curve (derivation)
2



x
 
exp  t 2 dt
Vth [mV]
Vth [mV]
Noise Rate(0.5 p.e.)
Type A
Sample
#1102
Type B
・25
・30
・40
・50
・60
Sample
#1103
温度が上がるにつれてNoise Rate が大きくなっている。
#1103
Type A
・25
・30
・40
・50
・60
原因不明
再測定が必要
Noise Rate(1.5 p.e.)
Type A
Sample
#1102
Sample
#1103
・25
・30
・40
・50
・60
Type B
Cross-Talk Probability
Type A
Sample
#1102
Pcrosstalk 
scalercoun ts(Vth  1.5 p.e.)
scalercoun ts(Vth  0.5 p.e.)
Type B
・25
・30
・40
・50
・60
Sample
#1103
温度が上がるにつれてCross Talk が起きやすくなっている。
Noise Rate Correction
• Discriminator を非マヒ型のモジュールとして
扱い計数率を補正した。
• 二つのシグナルが同時に出る確率はマヒ型
モジュールとして扱い、補正した。
Paralysabl e : m  n exp[ n ]
n = 真の計数率
m = 観測された計数率
τ= 装置の不感時間
n
Nonparalys able : m 
1  n
Accidental 2 p.e. : A  n(1  exp[ nT ])
CrossTalk 2 p.e. : n  A  n exp[ nT ]
A = 平均 n Hz のノイズがある時、偶然1.5p.e.を超える個数
T = 1p.e. の時間幅
Noise Rate(0.5 p.e.)
Type A
Sample
#1102
Sample
#1103
・25
・30
・40
・50
・60
Type B
● 補正前
□ 補正後
Noise Rate(1.5 p.e.)
Type A
Sample
#1102
・25
・30
・40
・50
・60
Sample
#1103
● 補正前
□ スケーラーデッドタイム補正後
△ アクシデンタル2p.e.補正後
Type B
Cross-Talk Probability
Type A
Sample
#1102
Pcrosstalk 
scalercoun ts(Vth  1.5 p.e.)
scalercoun ts(Vth  0.5 p.e.)
Type B
・25
・30
・40
・50
・60
Sample
#1103
温度が上がるにつれてCross Talk が起きやすくなっている。
Cross-Talk Probability
Type A
Sample
#1102
Pcrosstalk 
n(Vth  1.5 p.e.)  A
n(Vth  0.5 p.e.)
・25
・30
・40
・50
・60
Sample
#1103
Cross Talk Probability は温度に依存しない。
Type B
Leak Current
Type A
Sample
#1102
Type B
・25
・30
・40
・50
・60
Sample
#1103
温度が上がるにつれてLeak Current が大きくなっている。
Summary & Plan
Summary
•
•
•
•
V0 は温度に対して線形に変化する。
Capacitance とCross Talk に温度依存性は無い。
Leakage Current に温度依存性がある。
Leakage Currentが温度加速によって増加している。
Plan
• 25~60℃の再測定データの解析を行う。
• Leak Currentの解析・理解を進める。
• 定期測定のデータを解析する。
回路図
Temperature monitor
7/7 6:00~
Sample #1102
Circuit Type A
Sample #1103
Circuit Type B
T = 85 ℃
⊿V = 3 V