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A-SSCC 2006 Tokyo Press Conference - Asian Solid-State Circuits Conference - 第二回アジア固体回路会議 http://www.a-sscc.org/ 2006年9月5日 2006年9月6日 2006年9月7日 2006年9月8日 韓国 日本 台湾 中国 記者会見 記者会見 記者会見 記者会見 東京記者会見： 2006年9月6日@東京大学 本日の電子データは以下のサイトにございます http://www.vdec.u-tokyo.ac.jp/A-SSCC2006/ 記者会見次第 開会のご挨拶 A-SSCC 前プログラム委員長//A-SSCC 運営委員 A-SSCC概要のご説明 桜井 貴康（東京大学） 招待講演・パネルのご説明 インダストリープログラムのご説明 各技術分野のご説明 ・アナログ ・RF ・Wireless/Wireline ・ディジタル ・メモリ ・新技術・応用 質疑応答 各担当 飯塚 濱田 濱田 荒川 日高 小谷 邦彦（シャープ） 基嗣（東芝） 基嗣（東芝） 文男（日立） 秀人（ルネサステクノロジ） 光司（東北大学） １１時３０分終了予定 A-SSCCとは • IEEE Solid-State Circuits Society (SSCS)主催の４番目* の学会として、Asian Solid-State Circuits Conference (ASSCC)が誕生。アジアに集積回路設計の新しい風を。毎年１１ 月頃アジア地区で開催。 *) 2004年までは2月のISSCC (International Solid-State Circuit Conference)、６月のVLSI回路シンポジウム、９月のCICC (Custom Integrated Circuits Conference) の３つ • なぜ、今アジアか – 今後急速に発展するアジア – アジアの学生、研究者、技術者の啓蒙と技術交流の場 – アジアの技術論文の掘り起こし（現存の学会とは競合しない） IEEE Region 10 IEEEのRegion 10をカバーするA-SSCC A-SSCCの予定 2005年 台湾 大会委員長： Genda Hu (TSMC） 2006年 中国 大会委員長： Ke Gong (天津大学） 2007年 韓国 大会委員長： Chong-Min Kyung (KAIST) 2008年 日本 大会委員長： 下東 勝博 (STARC) http://www.ieee.org/organizations/rab/imagemaps/world_reg.html A-SSCC会議委員会構成 IEEE SSCS AdCom Meetings Committee Steering Committee Ck Wang, G. Hu, W. Sansen, A. Chandrakasan, T. Sakurai, etc Conference Chair Ke Gong, (China) Organizing Committee Shaojun Wei, (China) Local: One-year term Liaison W. Sansen, (Belgium) A. Chandrakasan, (USA) Technical Program Committee Sung Bae Park, (Korea) International Professional Management Team ICS Convention Design, Inc. プログラム委員会 Chair Sung Bae Park Samsung, Electronics, Korea Co-Chair Nicky Lu, Etron, Taiwan Paper Sessions Vice-Chair Suhwan Kim,Seoul National , University, Korea Special Programs Analog and Data Conversion Hidetoshi Onodera Kyoto University, Japan Digital Liang-Gee Chen, National Taiwan University, Taiwan Industry Program Nicky Lu, ETRON, Taiwan Educational Program Akira Matsuzawa TITECH Japan RF Mototsugu Hamada Toshiba, Japan Memory ChangHyun Kim, Samsung, Korea Student Design Contest H. J. Yoo, KAIST, Korea Invited Program Tadahiro Kuroda, Keio University, Japan Wireless and Wireline Communications Deog-Kyoon Jeong, Seoul National University, Korea Emerging Technologies and Applications Siva Narendra, Tyfone , Inc., USA “Industry Program” is unique to cover “Industry Trend”. Application, demo, evaluation results are more important than originality. A-SSCC 2006 • 第二回である今年は、” Challenges for THE e-life ”とい うテーマのもと、11月13～15日、中国 杭州市ハイアットリージェ ンシーHangzhouホテルにて開催 • アジアへの情報発信、アジアからの情報収集の場 • • • • 産業界のトレンドがわかるインダストリー・プログラム 世界の講師を招いたチュートリアル アジアならではの４つの基調講演 高倍率の選別を受けたテクニカル論文 • ISSCC、IEEE Journal of Solid-State Circuitとも連携企画 学会会場 中国 杭州市 Hyatt Regency Hangzhou 28 Hu Bin Road, Hangzhou 310006, Zhejiang Province People's Republic of China Tel: +86 571 8779 1234 http://hangzhou.regency.hyatt.com/ http://www.maps-of-china.com/china-country.shtml 杭州（西湖）の風景 １１／１６ ツアー 11/4午前 杭州市ハイテク工業地区の研究所の見学ツアーが予定されてい ます。 論文概況：国別 全投稿数：332、全採択数：107、採択率：32％ 論文概況：分野別 0 50 100 77 21(27%) アナログ 64 17(27%) RF Wireless/ Wireline 42 14(33%) 78 22(28%) ディジタル 27 9(33%) メモリ 35 16(46%) 新技術・応用 Industry Program 9 8(89%) 台湾 その他アジア 日本 韓国 中国 北米 欧州 Submission Acceptance 色の意味 論文概況：組織別 Affiliation NationalTaiwanUniversity NationalChiaoTungUniversity KAIST UniversityofTokyo Intel NationalChengKungUniversity TsinghuaUniversity FudanUniversity TokyoInstituteofTechnology ITRI RenesasTechnology HynixSemiconductor TohokuUniversity NationalChungChengUniversity Samsung SeoulNationalUniversity UniversityofCalifornia,Berkeley KULeuven Toshiba IBM FujitsuLaboratoriesLtd. FukuokaIST KobeUniversity NEC Sharp THineElectronics Hitachi GunmaUniversity 投稿数 採択数 11 15 7 4 5 7 18 25 3 4 4 5 5 6 6 2 2 3 4 5 1 1 1 1 1 1 2 3 8 8 5 4 4 4 4 4 3 3 3 3 3 3 3 2 2 2 2 2 1 1 1 1 1 1 1 1 採択率 72.7 53.3 71.4 100.0 80.0 57.1 22.2 16.0 100.0 75.0 75.0 60.0 60.0 50.0 50.0 100.0 100.0 66.7 50.0 40.0 100.0 100.0 100.0 100.0 100.0 100.0 50.0 33.3 招待講演・パネルのご説明 招待プログラム Nov. 14 9:00-9:15 9:15-10:00 (45min) 10:00-10:45 Opening Plenary Speech 1: Dr. Richard Chang(SMIC) (45min) 10:45-11:00 11:00-12:40 (100min) 12:40-13:40 Break 13:40-15:45 (125min) 15:45-16:05 16:05-17:35 (90min) 17:35-17:45 17:45-18:25 19:00-21:00 Plenary Speech 2: Dr. Soo-Young Oh(ETRI) Industry Program I "Digital Session" Student Design "Low Power ADC "Wireless "Multimedia Industry Program I IC Designs" "Emerging Applications in Contest Panel Discussion I Panel Discussion II Exhibition "Future Digital Link" "Software Defined Radio" Break Talk "How to write a GOOD ISSCC Paper" Banquet Session 1 9:00-9:45 (45min) 9:45-10:30 Nov. 15 Session 2 Session 3 Session 4 Plenary Speech 3: Dr. Tohru Furuyama(Toshiba) Plenary Speech 4: Mr. Ming-Kai Tsai(MediaTek) (45min) 10:30-10:45 10:45-12:50 Session 5 "Analog Technologies I" (125min) 12:50-13:50 13:50-15:55 Session 8 (125min) "Analog Technologies II" 15:55-16:10 16:10-18:15 Lunch Industry Program II "Analog/Memory Session" Session 12 Break Session 6 Session 7 "Milimeter Wave" Lunch "IP Design for Session 9 Session 10 "RF Amplifiers" Break "Digital Circuits Session 13 Session 14 Session 11 "Direction of Memory Session 15 Exhibition プレナリー講演 Richard Ru-Gin Chang博士, SMIC CEO, 中国 “Semiconductor Advanced Technology Development and Challenges in China” 日時: １１月１４日 (火), 9:15-10:00 See-Young Oh博士, ETRI 副総裁, 韓国 “Component Technologies needed by the Ubiquitous IT Society” 日時: １１月１４日 (火), 10:00-10:45 古山 透 博士, 東芝, 日本 “Deep Sub-100 nm Design Challenges” 日時: １１月１５日 (水), 9:00-9:45 Ming-Kai Tsai氏, MediaTek CEO, 台湾 “From PC Multimedia Chipsets to Wireless and Digital Consumer SoC: Evolution and Challenges” 日時: １１月１５日 (水), 9:40-10:30 プレナリー講演(1) Richard Chang博士 “Semiconductor Advanced Technology Development and Challenges in China” プレナリー講演(2)Soo-Young Oh博士 “Component Technologies needed by the Ubiquitous IT Society” Abstract: Korea has developed the world best IT infra structures and is leading the internet and mobile phone industry. Last two years, it has set up the IT development strategy, IT839 and leading the world IT industry by the simultaneous development of the IT services, IT infra structures, and IT systems. As a result, Korea has developed and commercialized Terrestrial DMB technology for the mobile TV services. It has also developed the Wibro technology which can provide the 2 ~ 10 Mbps mobile internet service at the speed of 60 ~ 120 Km/h and the cost of $20 ~ 30 per month. Both technologies have been selected as IEEE standard and ETSI standard respectively. This year, Korea is trying to commercialize the developed technologies and develop the components and softwares needed by these IT services and systems in order to lead the future ubiquitous IT society. This presentation covers the Korea IT development strategy, its results, and the components technologies needed by the future ubiquitous IT society. プレナリー講演(3) 古山 透博士 “Deep Sub-100 nm Design Challenges” Abstract: Moore's law and the scaling theory have been guiding principles for the semiconductor industry to accomplish its progress and growth. In deep sub-100 nm technologies, we are able to enjoy only higher density from the scaling, but neither higher performance nor lower power any longer. In addition, a single LSI chip can accommodate more number of gates than the engineers can properly design and integrate. This gap causes a serious design complexity vs. productivity problem. The deep sub-100 nm design challenges and several approaches to counteract these problems will be described in this presentation, such as various low power technologies and highlevel language and platform based design flow. プレナリー講演(4) Ming-Kai Tsai氏 “From PC Multimedia Chipsets to Wireless and Digital Consumer SoC: Evolution and Challenges” Abstract: This presentation starts with evolution of the optical-storage chipsets for PC multimedia towards full-blown, next-generation SoC for wireless and digital consumer applications. Design challenges are reviewed and explored from submicron to nanometer eras in multiple levels of technology developments such as market-driven software/applications, advanced system architecture and engineering to address computation and connectivity requirements, performancedemanding but power-efficient circuit and functional blocks and the growing complexity being faced by increasingly large-scale chip integration. SoC companies will need to effectively cope with all incurred engineering issues to successfully achieve their competitive and leading positions. パネル討論 (1) “Future Digital Link ” Abstract: Data rate of CMOS serial link was raised twofold every year until 2000. Although a 10Gbps transceiver was reported in 2000, a 40Gbps one has not been developed yet. It becomes more and more difficult to follow the pace from both technical and business reasons. How high in data rate can electrical interface reach? Is there a large market that justifies ever increasing research investment? What is the next generation technology for high-speed memory links? When and where will optical interface be used? Will wireless link be used more widely for short-rage communications? This panel will present audience with a colorful picture of future digital link. パネル討論 (1) Organizer: Moderator: Tadahiro Kuroda, Keio Univ., Japan C.K. Ken Yang, UCLA, USA Panelists: Muneo Fukaishi, NEC, Japan Jri Lee, National Taiwan University, Taiwan Sung Min Park, Ewha Womans University, Korea Hirotaka Tamura, Fujitsu Lab., Japan パネル討論 (2) “Software Defined Radio: How to realize soft and flexible RF and baseband circuits? ” Abstract: Software Defined Radio (SDR) system is the strong technology trend to realize the future multi-band, multi-standard wireless systems with unified mixed signal processing circuits. It requires high degree of flexibility and reconfigurability in RF and base band circuits. An idea of “Digital RF” that uses the digital or digitizing technology as much as possible for reducing the use of conventional analog circuits has been proposed to address this issue. We still have many questions, however, such as performance, power consumption, usefulness, cost, and adaptability for low voltage scaled CMOS. This panel will discuss how to realize soft and flexible RF and baseband circuits for the SDR systems. パネル討論 (2) Organizer: Tadahiro Kuroda, Keio Univ., Japan Moderator: Akira matsuzawa, Tokyo Institute of Technology, Japan Panelists: Mototsugu Hamada, Toshiba, Japan Howard C. Luong, Hong Kong University, HK Kathleen Philips, Philips, Netherlands Hyun-Kyu Yu, ETRI, Korea １１／１３ チュートリアル • 100nm以下のSoC時代における先端的な回 路設計と題して４項目のチュートリアル講演 を実施 – 先端組み込み向けSRAM設計 Hiroyuki Yamauchi, Fukuoka Institute of Technology – 先端PLL設計 Haward C. Luong, Hong Kong University – 先端パイプライン型ADC設計 Yun Chiu, University of Illinois – 先端シグマ・デルタ型ADC設計 Kathleen Philips, Philips Research Laboratories インダストリー・プログラムのご説明 産業界プログラム 狙い 産業界にインパクトのある発表（学術的新規性よりも産業的意義を重視） 発表形式 ・アプリケーションの説明（15%） ・チップや製品の位置付けと特長（25%） ・実演デモ、録画デモ（10%） ・アーキテクチャ、アルゴリズム、回路の改良点やイノベーション（30%） ・設計と実測結果（15%） ・結論（5%） 産業界プログラム 11月13日 Session I Session II 11:00 ~ 11:25 65nm, 95W Xeon Processor Intel (USA) ADC for Video Signal Digitizer THine (Japan) 11:25 ~ 11:50 PAC DSP for Multimedia ITRI (Taiwan) Programmable Logic Nonvolatile Device e-Memory (Taiwan) 11:50 ~ 12:15 Low Power SRAM Compiler IPLC (Taiwan) 1.5V, 3.2Gb/s GDDR4 SDRAM Hynix (Korea) 12:15 ~ 12:40 Niagara Processor and Applications Sun Micro (USA) 10mA 2.8V FM Radio Receiver MediaTek (Taiwan) 各技術分野のハイライト 各技術分野のご説明 各担当 ・アナログ ・RF ・Wireless/Wireline ・ディジタル ・メモリ ・新技術・応用 飯塚 濱田 濱田 荒川 日高 小谷 邦彦（シャープ） 基嗣（東芝） 基嗣（東芝） 文男（日立） 秀人（ルネサス） 光司（東北大学） Analog and Data Conversion • SoC設計に欠かせないアナログ回路やデータ変換回路などに関 する卓越した研究成果を採択 • 注目論文の中から３件を紹介 – A 1.5MS/s 6-bit ADC with 0.5V supply （UCB) • 0.5 V という超低電圧電源で、6ビット・1.5Mサンプル/秒の AD変換を14mwという極低消費電力で実現 – A 19.7MHz 5th Order Active-RC Chebyshev LPF for IEEE802.11n with Automatic Quality Factor Tuning Scheme (東芝) • 周波数特性を精密に調節することができる次世代WLAN IEEE802.11n用の能動RCフィルタ – A Full-Digital Multi-Channel CMOS Capacitive Sensor • 時間-デジタル変換を用いたデジタル出力容量センサー アナログ分野 注目論文（1） A 1.5MS/s 6-bit ADC with 0.5V supply 0.5V電源で動作する1.5Mサンプル/秒 6ビットAD変換器 論文番号[1-1] カリフォルニア大学バークレイ校の発表 ワイヤレスセンサーネットワークで用いるための、超低消費電力 (14mW), 超低電圧動作(0.5V)のAD変換器 低電源電圧でも動作するように、アナログ部品を簡単なコンパ レータ1個のみ使用する逐次比較型変換方式を採用 低消費電力化を徹底するため、キャパシタの容量値も最小化し、 2値ではなく3値の制御とすることでキャパシタの個数も半減させ た 90nm プロセスで試作評価、チップのコア領域は600平方ミクロン 0.5V電源で1.5MS/s のときに14mW, 1MS/s のときに12mW消費 電源電圧を0.3Vに下げても175kS/s で動作 アナログ分野 注目論文（２） A 19.7 MHz 5th Order Active-RC Cheyshev LPF for IEEE802.11n with Automatic Quality Factor Tuning Scheme Qファクタ自動調整機能を備えたIEEE802.11n用の19.7MHz 5次 チェビシェフ型能動RCフィルタ 論文番号[8-1] 東芝の発表 フィルタの遮断周波数ならびに周波数特性の形(Q)を自動調整する 機能を備えることにより、高い周波数で急峻な遮断特性を持つフィル タを実現 フィルタ特性の調節は、レプリカ回路として用意した簡単なフィルタの 特性を調節することにより実現 急峻な遮断特性を実現するためにバタワースではなくチェビシェフ型 を採用 OFDMが要求する線形性を確保するためにGm-C型ではなく能動RC 型構成を採用 0.13mmプロセスを使用し、チップ面積は0.20平方ミリ(フィルタのみ) 電源電圧1.5Vで、消費電流は7.5mA アナログ分野 注目論文（3） A Full-Digital Multi-Channel CMOS Capacitive Sensor アナログ回路を用いないデジタル出力容量センサー 論文番号[8-5] ATLab Inc (韓国)＋漢陽(Ｈａnｙａｎｇ)大 (韓国)の発表 容量変化によるクロック遅延の変化をTDC(Time to Digital Converter)でデジタル化する。 従来のADCなどのアナログ回路不要。 電圧ドメインから時間ドメインへのシフト → 低電圧化に最適 ADPLLで注目を集めたTDC技術の新しい応用の広がりを示唆 ピュアなデジタルプロセスで実現可能。 12チャネルを集積化、各チャネル100ステップの解像度（分解能30fF) 消費電流 5uA/ch @3.3V 0.35mmプロセスを使用し、ダイサイズ 2.75mm x 2.15mm 応用： マンマシンインタフェース 各技術分野のハイライト 各技術分野のご説明 各担当 ・アナログ ・RF ・Wireless/Wireline ・ディジタル ・メモリ ・新技術・応用 飯塚 濱田 濱田 荒川 日高 小谷 邦彦（シャープ） 基嗣（東芝） 基嗣（東芝） 文男（日立） 秀人（ルネサス） 光司（東北大学） RF分野の概況 Session 6：Millimeter Wave Session 9：RF Amplifiers Session 13：RF Building Blocks RF分野のハイライト論文 94GHz SiGe down conversion mixer 6GHz CMOS divide-by-three divider with 43uW power consumption A new biasing scheme that improves the linearity of power amplifiers with 25 dBm OP1dB and 40 % PAE Multiple-gated transistor and resistive source degeneration technique to achieve maximum OIP3 of 28 dBm for driver amplifier 0.98 to 6.6GHz Tunable Wideband VCO in a 180nm CMOS Technology for Reconfigurable Radio Transceiver Advanced Fs/2 Discrete-Time GSM Receiver in 90nm CMOS RF分野 注目論文（1） A 94GHz SiGe down conversion mixer 論文番号[6-3] 米国IBM社とMITの共著論文 Si系回路で、94GHzという超高周波動作 オンチップの受動バランとECLにより達成 RF分野 注目論文（２） A 6GHz CMOS divide-by-three divider with 43uW power consumption 論文番号[6-1] 東京大学の論文 3相注入同期型リングオシレータで3分周回路を実現 43uWという超低電力を実現 Wireless LAN、Cordless Phone、ETCなどの低電力化に応 用可能 RF分野 注目論文（３） A new biasing scheme that improves the linearity of power amplifiers with 25 dBm OP1dB and 40 % PAE 論文番号[9-1] 米国スカイワークス社の論文 CMOS-PAで、25dBmの出力P1dBと40%の効率(PAE)を実 現 自己線形化バイアス手法を用いた Wireless LANモジュールの低電力化に応用可能 RF分野 注目論文（４） Multiple-gated transistor and resistive source degeneration technique to achieve maximum OIP3 of 28 dBm for driver amplifier 論文番号[9-2] 光云大学(韓国)とインテグラント社の共著論文 CMOS-DAで、28dBmの出力IP3を実現 MGTRを用いた WiMAXやWiBRO用LSIに応用可能 RF分野 注目論文（５） 0.98 to 6.6GHz Tunable Wideband VCO in a 180nm CMOS Technology for Reconfigurable Radio Transceiver 論文番号[13-1] 東京工業大学の論文 VCOの発振周波数を0.98GHzから6.6GHzで可変に スイッチ、分周器、ミキサ、可変利得アンプを組み合わせて用 いることで広帯域化 さまざまな規格に対応するリコンフィギュラブル無線機に応用 可能 RF分野 注目論文（６） Advanced Fs/2 Discrete-Time GSM Receiver in 90nm CMOS 論文番号[13-4] STマイクロエレクトロニクス社の論文 スイッチドキャパシタを用いた離散時間処理の受信系 フリッカノイズやIM2の性能が、これまでのものより高いことが 特徴 GSMのダイレクトコンバージョン受信器に応用 各技術分野のハイライト 各技術分野のご説明 各担当 ・アナログ ・RF ・Wireless/Wireline ・ディジタル ・メモリ ・新技術・応用 飯塚 濱田 濱田 荒川 日高 小谷 邦彦（シャープ） 基嗣（東芝） 基嗣（東芝） 文男（日立） 秀人（ルネサス） 光司（東北大学） 無線・有線通信分野の概況 Session 2：Wireless Communication Session 14：Wireline Communication 本分野のハイライト論文 A 103 GOPS Signal Processing Platform Chip for Software Defined Radio A 1.4Gbps/ch LVDS Receiver for Flat Panel Displays A 90nm 1-4.25Gb/s Multi Data Rate Receiver for High Speed Serial Links 無線・有線通信分野 注目論文（1） A 103 GOPS Signal Processing Platform Chip for Software Defined Radio 論文番号[2-1] 富士通研究所の論文 粗粒度リコンフィギュアブル論理とHWアクセラレータによる SDRのベースバンド処理LSI ピーク性能は、103GOPS WLAN(a/b/g)、W-CDMA、WiMAXに適用可能 無線・有線通信分野 注目論文（２） A 1.4Gbps/ch LVDS Receiver for Flat Panel Displays 論文番号[14-1] サムソン電子社の論文 ジッタ・バウンダリ・ベース・アルゴリズムに呼ぶデジタルス キュー除去手法を用いて、1レーンでHDTVデータを転送可能 に UXGA画像転送時でも、わずか201mWの消費電力 無線・有線通信分野 注目論文（３） A 90nm 1-4.25Gb/s Multi Data Rate Receiver for High Speed Serial Links 論文番号[14-3] インテル社の論文 1～4.25Gb/sと広いデータレートに対応し、さまざまなプロトコ ルに対応可能 30mの銅線を転送されたデータを10-14以下のBERで再生可能 各技術分野のハイライト 各技術分野のご説明 各担当 ・アナログ ・RF ・Wireless/Wireline ・ディジタル ・メモリ ・新技術・応用 飯塚 濱田 濱田 荒川 日高 小谷 邦彦（シャープ） 基嗣（東芝） 基嗣（東芝） 文男（日立） 秀人（ルネサス） 光司（東北大学） Digital分野の概況 • 投稿78（昨年：52），採択22（昨年：11＋ポスター４），採択率28% – 国別投稿数：地元中国37，台湾16，日本9，韓国8，他は2以下 – 国別採択数：地元中国 5，台湾 8，日本6，韓国3，他は0 • Digital分野は３セッション構成 – Multimedia IC Designs – IP Design for Communication and Security – Digital Circuit Techniques on Timing and Noise Tolerance • 注目論文を３件紹介 – 「An 800-μW H.264 Baseline-Profile Motion Estimation Processor Core」 神戸大学 – 「A Block Scaling FFT/IFFT Processor for WiMAX Applications」 NCTU（台湾） – 「Improving Multi-Context Execution Speed on DRFPGAs」 東北大学 Digital 注目論文（1） •「An 800-μW H.264 Baseline-Profile Motion Estimation Processor Core」 論文番号[3-2] 神戸大学の論文 ポータブルビデオ向け VLSI向きブロック分割戦略 SIMDとSystolic-arrayの再構成方式 高電力効率SRAM回路 セグメンテーションフリー（同時隣接Pixelアクセス可） 垂直/水平アクセス可能 3.3M Trs., 2.8 x 3.3 mm2, 130-nm CMOS 消費電力 800μW （QCIF, 15 fps） Digital 注目論文（2） •「A Block Scaling FFT/IFFT Processor for WiMAX Applications」 論文番号[7-1] 台湾大学の論文 MIMO-OFDM向けの2048-point FFT/IFFTを処理する初 のプロセッサ 17.26mW，22.86 MHzで２ストリーム同時処理 Block ScalingとPing-pong Cache方式 WiMAX規格で規定された2Kモード処理時 メモリの容量及びアクセスを削減 0.13μmプロセス，1322 x 1590 mm2 SQNR 48 dB以上（QPSK，16/64-QAM変調） Digital 注目論文（3） •「Improving Multi-Context Execution Speed on DRFPGAs」 論文番号[10-2] 東北大学 FPGAの動的再構成による論理規模縮小 「再構成時間」と「時間方向の通信」が課題 FPGAでは長距離配線遅延が支配的 長距離配線遅延の低減による高速化 シフトレジスタ型の時間方向接続 0.35μm CMOSでチップ（FP3）を作成 動的再構成の方が高速なケースの存在を実証 各技術分野のハイライト 各技術分野のご説明 各担当 ・アナログ ・RF ・Wireless/Wireline ・ディジタル ・メモリ ・新技術・応用 飯塚 濱田 濱田 荒川 日高 小谷 邦彦（シャープ） 基嗣（東芝） 基嗣（東芝） 文男（日立） 秀人（ルネサス） 光司（東北大学） メモリ分野の概況 ●メモリ（単体・混載）の高性能・低消費・生産性回路技術 ●TCAMの多様な発展 100MHｚバースト動作のトグルセル16Mb-MRAM･･･NEC 1Tr-4MTJ構成の高密度MRAMセル構造と試作 ･･･ルネサス モバイルDRAMの低電流化適応セルフリフレッシュ･･･Hynix(韓) 3Gbpsの512Mb/GDDR3-SDRAM ･･･Hynix(韓) ECCを用いたポストパッケージリペア手法･･･Samsung(韓) eDRAMのデータリテンションテスト方法･･･ルネサス 超低消費電力の混載用SRAM ･･･KAIST(韓) ボディーセンサネット用周期イベント発生TCAM･･･KAIST(韓) IPアドレス検索用高性能TCAM･･･Natio. Chung Cheng Univ..(台) メモリ 注目論文（１） A 16Mb Toggle MRAM with Burst Modes （16Mb-トグルセルMRAM） 論文番号[11-1] NEC の発表 トグルセル動作とバーストアクセス回路を組み合わせて100MHｚ 動作を達成した16Mb-MRAM 130nm-CMOSプロセスで試作 セルサイズ=1.3μm2、チップ面積=78mm2、1.8V/1.2V動作 インタリーブ、パイプライン動作の考案 ノイズアイソレーション回路技術 メモリ 注目論文（２） Adaptive Self Refresh Scheme for Battery Operated High-Density Mobile DRAM Applications （モバイルDRAM向け適応セルフリフレッシュ方式） 論文番号[11-6] Hynix(韓) の発表 モバイルDRAM低消費電力用適応セルフリフレッシュ方式（ASR） メモリセルのデータリテンション実力に応じてメモリセル行単位でリ フレッシュ間隔を調整して低消費電力化する ２重周期発生回路、リアルタイムリテンションテスト回路を考案 512Mb-モバイルSDRAMに適用し、Istby=150μA＠85℃を実現 各技術分野のハイライト 各技術分野のご説明 各担当 ・アナログ ・RF ・Wireless/Wireline ・ディジタル ・メモリ ・新技術・応用 飯塚 濱田 濱田 荒川 日高 小谷 邦彦（シャープ） 基嗣（東芝） 基嗣（東芝） 文男（日立） 秀人（ルネサス） 光司（東北大学） 新技術・応用分野の概況 • 新デバイス・回路からシステム集積化技術，さらには 応用分野までの新しい技術を紹介 • 全15件の論文，2セッション – S4: Emerging Applications in CMOS – S15: Emerging Technologies & Bio/Sensor Applications • MEMSセンサーエレクトロニクス：4件，アナログ/RF回 路：4件，CMOSイメージセンサ：2件，システム集積化 技術，高速配線，バイオ，CNT，リコンフィグ：各1件 • 日本：4件，アメリカ：4件，台湾：3件，中国：2件，韓国， シンガポール：各1件 注目論文（１） Stacked-chip Implementation of On-Chip Buck Converter for Power-Aware Distributed Power Supply Systems 分散電力供給システムのための，チップ積層技術を用いたオンチッ プ電圧コンバータ集積回路 論文番号[4-1] 東京大学の発表 チップ内分散型電力供給システムで必要となる多数個のDCDCコンバータをチップ積層技術を用いて初めて効率よく集積化 Buck Converterにおいて，スイッチングトランジスタとLCフィ ルタを異なるプロセスで別チップとして作成し，バンプを用いて 積層集積 スイッチングトランジスタは先端プロセスを用いて作成してス イッチング損失を低減し，インダクタンスは旧世代の安いプロセ スで太い配線を用いて作成し抵抗損失を低減（チップ積層技術 の利点の追求） 0.35mmで試作，電力効率：62%@IL=70mA, f=200MHz 注目論文（２） A 6.5-mW 5-Gbps On-Chip Differential Transmission Line Interconnect with a Low-Latency Asymmetric Tx in a 180nm CMOS Technology 180nmCMOS技術による6.5mW, 5Gbpsの差動伝送線路配線技 術とそのための遅延時間の小さい非対称差動ドライバ回路 論文番号[4-2] 東京工業大学の発表 グローバル信号配線向けの，低消費電力で高速信号伝送可能 な差動伝送線路 差動信号出力ドライバに，遅れ時間の少ない非対称構造 （nMOS/pMOS）を採用 180nmCMOSで試作，140ps，5Gbps，6.5mW@3mm 5mm以上の配線では現時点で最良の性能指数（FoM） （4.51mm3/pJ･ps@10mm） 注目論文（３） A 1/2.5 inch 5.2Mpixel, 96dB Dynamic Range CMOS Image Sensor with Fixed Pattern Noise Free, Double Exposure Time Read-Out Operation 固定パターン雑音無しの二重露光読み出し手法によるダイナミック レンジ96dBの1/2.5インチ520万画素CMOSイメージセンサ 論文番号[4-3] 東芝の発表 二重露光二回読み出しによるダイナミックレンジ拡大 短時間蓄積と長時間蓄積をオーバーラップさせ，連続して読み 出す新しい手法（フレームメモリ不要） 短時間蓄積信号と長時間蓄積信号を合成することにより，固定 パターンノイズを原理的に抑制 0.13mm 2P3M CMOSで試作，Pixel：2.5x2.5mm2， 2.5Tr/pixel，50%FillFactor その他の注目論文 CMOS Meets Bio [15-1] CMOSマイクロコイルアレイ集積回路による微小流体制御ハイブリッドシステム 液体中の 磁気ビーズで標識された個々の細胞の動きを制御可能（ハーバード大） Scalability of Carbon Nanotube FET-based Circuits [15-2] カーボンナノチューブデバイスの性能比較 周波数/面積比FOA（Frequency Over Area） で比較すると，45nm世代で平面MOSに比べて20倍優れ，スケーリングに対し2.2～2.28倍 /世代で向上（インテル） A 6-b DAC and Analog DRAM for a Maskless Lithography Interface in 90nm CMOS [15-3] 空間光変調デバイスによるマスクレス露光システムのためのインターフェース回路 狭ピッ チ6ビットDACとアナログDRAMを試作（カリフォルニア大バークレイ校） CMOS Low-Power Variable-Gain CMFB-Free Current Feedback Amplifier for Ultrasound Diagnostic Applications [15-4] 計装増幅回路のアーキテクチャで同相ゲインを抑制し，同相負帰還（CMFB）回路を排除し た超音波診断用電流帰還増幅回路 消費電力当りの利得ゲイン幅最大（アリゾナ大，TI） A Low-Voltage and Area-Efficient Adaptive SI SDADC for Bio-Acquisition Microsystems [15-5] 生体情報センシングのための低電圧適応デルタシグマADC 0.8V, 180mW, 5kHz-BW, 60dB-DR, [email protected] （中正大学：台湾） A-SSCC2006 -- Asian Solid-State Circuit Conference 2006 -A-SSCC 2006のご案内 会期： 2006年11月13日～15日（16日はツアー） 場所： 中国杭州市 Hyatt Regency Hangzhou・ホテル Web：http://www.a-sscc.org/ 本日の電子データは以下のサイトにございます http://www.vdec.u-tokyo.ac.jp/A-SSCC2006/