Transcript Diodos
ELECTRÓNICA Tema 1: Componentes Electrónicos El diodo Profesor: René Nova Componentes electrónicos: El diodo • Introducción: representación de componentes eléctricos en diagrama V-I • Características eléctricas de un diodo semiconductor Característica real Linealización de la característica de un diodo • Interpretación de los datos de un catálogo • Diodos especiales • Asociación de diodos • Aplicaciones Introducción: Representación del componentes eléctricos en diagrama V-I I V I I + V I + V V Corto (R = 0) Abierto (R = ∞) I V I V V Batería V Resistencia (R) I + - I + - V - I I + V - Fuente Corriente CARACTERÍSTICA DEL DIODO Idealmente, permite corriente directa (se comporta como un cable) y bloquea o no permite la corriente inversa (se comporta como un cable roto) I + I ¡¡ PRESENTA UN COMPORTAMIENTO NO LINEAL !! P V - N V ANÉCDOTA Un símil hidráulico podría ser una válvula anti-retorno, permite pasar el agua (corriente) en un único sentido. Funcionamiento de una válvula anti-retorno h1 h2 Caudal h1 - h 2 Introducción a la física de estado sólido: semiconductores Semiconductor extrínseco: TIPO N + + + + Electrones libres + Impurezas grupo V + + + + + + + + + + + 300ºK Átomos de impurezas ionizados Los portadores de carga en un semiconductor tipo N son electrones libres Introducción a la física de estado sólido: semiconductores Semiconductor extrínseco: TIPO P - - Huecos libres - - - - - - - - - - 300ºK Átomos de impurezas ionizados Los portadores de carga en un semiconductor tipo P son huecos. Actúan como portadores de carga positiva. La unión P-N La unión P-N en equilibrio - - - - - - - - Semiconductor tipo P + + + + + - + + + - + + - - + + + + + Semiconductor tipo N + La unión P-N La unión P-N en equilibrio Zona de transición - - - - - - - Semiconductor tipo P + - - + + + + - + + + - + + - - + + + + + + Semiconductor tipo N + Al unir un semiconductor tipo P con uno de tipo N aparece una zona de carga espacial denominada ‘zona de transición’. Que actúa como una barrera para el paso de los portadores mayoritarios de cada zona. La unión P-N La unión P-N polarizada inversamente P - - - - - - - + - + + + + - + + + - + N + + - - + + + + + + La zona de transición se hace más grande. Con polarización inversa no hay circulación de corriente. La unión P-N La unión P-N polarizada en directa P - - - - - - - + + + - - - + + + + + - + N + + - - + + + + + + La zona de transición se hace más pequeña. La corriente comienza a circular a partir de un cierto umbral de tensión directa. La unión P-N La unión P-N polarizada en directa P - - - - - - - + + + - - - Concentración de huecos + + + + + - + N + + - - + + + + + Concentración de electrones + La recombinación electrón-hueco hace que la concentración de electrones en la zona P disminuya al alejarse de la unión. La unión P-N Conclusiones: Aplicando tensión inversa no hay conducción de corriente Al aplicar tensión directa en la unión es posible la circulación de corriente eléctrica P N DIODO SEMICONDUCTOR DIODO REAL ánodo p i [mA] cátodo 1 Ge n A K Símbolo Si V [Volt.] -0.25 0 0.25 0.5 Silicio Germanio VKDTq I D I S e 1 IS = Corriente Saturación Inversa K = Cte. Boltzman VD = Tensión diodo q = carga del electrón T = temperatura (ºK) ID = Corriente diodo DIODO REAL (Distintas escalas) Ge: mejor en conducción Si: mejor en bloqueo i [mA] i [mA] 30 1 Ge Si Si Ge V [Volt.] -0.25 0 0.25 V [Volt.] 0 -4 0.5 i [A] i [pA] V [Volt.] 0 -0.5 Ge V [Volt.] 0 -0.5 Si -0.8 -10 1 DIODO: DISTINTAS APROXIMACIONES I I Solo tensión de codo Ge = 0.3 Si = 0.6 Ideal V I V I Tensión de codo y Resistencia directa V Curva real (simuladores, análisis gráfico) V DIODO: LIMITACIONES Corriente máxima I Tensión inversa máxima Límite térmico, sección del conductor Ruptura de la Unión por avalancha V 600 V/6000 A 200 V /60 A 1000 V /1 A DIODO: Parámetros facilitados por fabricantes id IOmax VR = IOMAX (AV)= VF = IR = VR = IOMAX (AV)= VF = IR = 1000V 1A 1V 50 nA 100V 150mA 1V 25 nA Tensión inversa máxima Corriente directa máxima Caída de Tensión directa Corriente inversa Tensión inversa máxima Corriente directa máxima Caída de Tensión directa Corriente inversa VR iS Vd NOTA: Se sugiere con un buscador obtener las hojas de características de un diodo (p.e. 1N4007). Normalmente aparecerán varios fabricantes para el mismo componente. DIODO: Parámetros facilitados por fabricantes Tiempo de recuperación inversa iS UE + UE R Bajafrecuencia frecuencia Alta iS trr = tiempo de recuperación inversa A alta frecuencia se aprecia un intervalo en el cual el diodo conduce corriente inversa. DIODOS ESPECIALES Diodo Zener (Zener diode) Tensión Zener (VZ) La ruptura no es destructiva. (Ruptura Zener). En la zona Zener se comporta como una fuente de tensión (Tensión Zener). I Necesitamos, un límite de corriente inversa. V Límite máximo Normalmente, límite de potencia máxima Podemos añadir al modelo lineal la resistencia Zener. Aplicaciones en pequeñas fuentes de tensión y referencias. DIODOS ESPECIALES Diodo LED (LED diode) Diodo emisor de Luz = Light Emitter Diode El semiconductor es un compuesto III-V (p.e. Ga As). Con la unión PN polarizada directamente emiten fotones (luz) de una cierta longitud de onda. (p.e. Luz roja) A K DIODOS ESPECIALES Fotodiodos (Photodiode) i V 0 iopt Los diodos basados en compuestos III-V, presentan una corriente de fugas proporcional a la luz incidente (siendo sensibles a una determinada longitud de onda). Estos fotodiodos se usan en el tercer cuadrante. Siendo su aplicaciones principales: Sensores de luz (fotómetros) Comunicaciones COMENTARIO Los diodos normales presentan variaciones en la corriente de fugas proporcionales a la Temperatura y pueden ser usados como sensores térmicos i El modelo puede ser una fuente de corriente dependiente de la luz o de la temperatura según el caso I = f(T) V T1 T2>T1 0 DIODOS ESPECIALES Células solares (Solar Cell) i Cuando incide luz en una unión PN, la característica del diodo se desplaza hacia el 4º cuadrante. En este caso, el dispositivo puede usarse como generador. VCA V Zona uso iCC Paneles de células solares DIODOS ESPECIALES Diodo Schottky (Schottky diode) •Unión Metal-semiconductor N. Produciéndose el llamado efecto schottky. •La zona N debe estar poco dopada. •Dispositivos muy rápidos (capacidades asociadas muy bajas). •Corriente de fugas significativamente mayor. •Menores tensiones de ruptura. •Caídas directas mas bajas (tensión de codo 0.2 V). •Aplicaciones en Electrónica Digital y en Electrónica de Potencia El efecto Schottky fue predicho teóricamente en 1938 por Walter H. Schottky ASOCIACIÓN DE DIODOS Puente rectificador Monofásico Diodo de alta tensión (Diodos en serie) + Trifásico + DISPLAY - APLICACIONES DE DIODOS Detectores reflexión de objeto Detectores de barrera APLICACIONES DE DIODOS Sensores de luz: Fotómetros Sensor de lluvia en vehículos Detectores de humo Turbidímetros Sensor de Color LED Fotodetector Objetivo LED azul LED LED verde LED rojo Fotodiodo COMENTARIOS SOBRE CIRCUITOS Los diodos (y el resto de dispositivos electrónicos) son dispositivos no lineales. ¡Cuidado, no se puede aplicar el principio de superposición! VE VS + EJEMPLO TÍPICO: RECTIFICADOR t VS VE - VMAX R VE t VMAX t ID VD RECTA DE CARGA Y PUNTO DE FUNCIONAMIENTO CIRCUITO LINEAL ID RTH + VD VTH - I Característica del diodo VTH RTH ID Característica del circuito lineal (RECTA DE CARGA) PUNTO DE FUNCIONAMIENTO VD VTH V