Transcript Akaev

National Science Center
Kharkov Institute of Physics and Technology
Разработка приборов широкого спектра действия
на основе полупроводниковых сенсоров из CdTe,
CdZnTe для радиационного и ядерного
технологического контроля в системах АЭС
АО «Парк ядерных технологий»
Национальный Научный Центр «Харьковский
Физико-технический институт»
Астана, 2010
KazAtomExpo 2010
1
National Science Center
Kharkov Institute of Physics and Technology
Детекторы ионизирующих излучений
На сегодняшний день для измерения и регистрации радиоактивного
излучения на АЭС во всем мире применяют три типа детекторов – газовые,
сцинтилляционные и полупроводниковые.
KazAtomExpo 2010
2
National Science Center
Kharkov Institute of Physics and Technology
Полупроводниковые детекторы (ППД) из CdTe и CdZnTe
Преимущества
полупроводниковых
детекторов в большой плотности, что позволяет
резко снизить объём ППД, в котором происходит
ионизация. Меньшая, чем в газах, энергия
образования
электронно-дырочной
пары.
Ионизационный эффект в ППД на несколько
порядков выше, чем в газовой камере.
За счет прямого преобразования энергии
ионизирующего излучения в электрический
сигнал у ППД примерно десятикратное
преимущество по чувствительности перед
системами с двухступенчатым преобразованием
энергии (сцинтиллятор-фотодиод).
Главное достоинство ППД - высокая чувствительность при малых размерах.
Одним из типов полупроводниковых сенсоров является CdTe и CdZnTe,
работающие без охлаждения.
KazAtomExpo 2010
3
National Science Center
Kharkov Institute of Physics and Technology
Полупроводниковые детекторы (ППД) из CdTe и CdZnTe
В
Харьковском
физико-техническом
институте
разработали
собственную технологию создания полупроводниковых детекторов из CdTe
и CdZnTe.
KazAtomExpo 2010
4
National Science Center
Kharkov Institute of Physics and Technology
Полупроводниковые детекторы (ППД) из CdTe и CdZnTe
Вольт-амперные характеристики
CdZnTe сенсора при различных
температурах
Зависимость электросопротивления CdZnTe
сенсора от температуры
Учеными из Харьковского института были изучены основные
характеристики и зависимости кристаллов из CdTe и CdZnTe. Также
исследована радиационная стойкости и определен радиационный
ресурс сенсоров в радиоактивном поле.
KazAtomExpo 2010
5
National Science Center
Kharkov Institute of Physics and Technology
Блоки детектирования на основе кристаллов из
CdTe и CdZnTe
Сенсор из CdZnTe с предусилителем
(опытный образец)
Блоки детектирования для контроля
мощности дозы гамма-излучения
Полученные кристаллы из CdTe и CdZnTe могут применяться в
блоках детектирования гамма-излучения на АЭС для измерения и
регистрации в различных зонах радиоактивной опасности.
KazAtomExpo 2010
6
National Science Center
Kharkov Institute of Physics and Technology
Макеты устройств детектирования гамма-излучения на
основе CdZnTe
KazAtomExpo 2010
7
National Science Center
Kharkov Institute of Physics and Technology
National Science Center
АО «Парк
ядерных
технологий»
(г.Курчатов,
Казахстан)
Kharkov Institute of Physics and Technology
ННЦ
«Харьковский
физикотехнический
институт»
(г.Харьков,
Украина)
ООО
«Позитрон
GmbH»
(г.Желтые
Воды, Украина)
В настоящее время АО «Парк ядерных технологий» совместно с Харьковским
институтом и ООО «Позитрон GmbH» проводит работы по созданию производства
приборов на основе полупроводниковых детекторов из CdTe и CdZnTe.
KazAtomExpo 2010
8
National Science Center
Kharkov Institute of Physics and Technology
Производство приборов на основе детекторов из CdTe и
CdZnTe
На
сегодняшний
момент
проводится работа по адаптации
систем ООО «Позитрон»
под
детекторы Харьковского института.
Производство новых систем будет
создано
на
производственных
площадях технопарка «Парк ядерных
технологий» в г.Курчатов.
KazAtomExpo 2010
9
National Science Center
Kharkov Institute of Physics and Technology
СПАСИБО ЗА ВНИМАНИЕ!
Контактная информация:
Управляющая компания
АО «Парк ядерных технологий»
Республика Казахстан
071100, ВКО, г. Курчатов,
ул. Курчатова, 18/1
Тел.: +7 (722-51) 2-58-89
Факс: +7 (722-51) 2-57-91
E-mail: [email protected]
www.pnt.kz
KazAtomExpo 2010
10