Transcript 模拟电子电路习题课1
模拟电子电路习题课 ——主讲教师： 玄玉波 画出二极管输出电路波形？ 1.根据输入信号大小，判断二极管导通与截 止。 假设电路中二极管全部开路，分析二极管两 端电位（当电路存在多个二极管时，存在 优先导通权，正偏电压最大的管子优先导 通） 2.找出 VO 与 Vi 的关系。 3.画输出信号波形。 P6(三）P8六1. 二极管估算法 1.判断二极管导通与截止。 假设电路中二极管全部开路，分析二极管两 端电位（当电路存在多个二极管时，存在 优先导通权，正偏电压最大的管子优先导 通），分为理想和实际二极管两种。 2.利用上述分析方法将截止的二极管开路， 3.画输出信号波形。 P书28 例2 确定二极管的工作状态。P7(四）1、 + 5V + 5V - VO 确定二极管的工作状态。P7(四）1、 i + 正向 + VZ - O A IZmin 反向 B IZmax v 双极性三极管，放大状态，用直 流电压表测得各三极管的各极电 位（对地）。试判断三极管的电 极、管型及所用材料？p13 1.判断电极：基极电位 VB 居中。对NPN管 VE VB VC 对PNP管 VE VB VC 。发射极和基极 电位差绝对值硅管0.7V左右，锗管0.2V左右， 据此可找出发射极e,并判断管子材料。最后 剩下的电极便为集电极c。 2.判断管型。NPN型管 VB VE ,PNP管 VB VE 。 3.判断材料。硅管的 VBE 0.7V ,锗管的 VBE 0.2V 。 PNP三极管特点： 发射结 放大区 饱和区 截止区 P15 正 正 集电结 反 (电源VCC为负值） 正 VBC=-0.4 VCE=-0.3 VBE=-0.7 VBE=-0.7 反 2.1(4) 反 2.1 E P 0.7 N B 1.4 C P 0.4 1.8 三极管直流分析,估算法 1.设晶体管处于线性放大状态。 VBE VBEON ，I C I B 。 2.分析线性电路， 3.确定晶体管工作状态。 NPN PNP 放大 VBE>0.7V;VCE>0.3 -VBE>0.7V;-VCE>0.3 饱和 VBE>0.7V;VCE<0.3 -VBE>0.7V;-VCE<0.3 截止 VBE<0.5V;VCE>0.3 -VBE>0.7V;-VCE>0.3 复合管 P书92 2-13 结论： 1 2 P书92 2-19 VCC(-9V) RB1 RB2 RC RE P16 2.6(b） 假设工作在放大模式 6 0.7 2.65m A RE I C I E 2.62m A 1 IE +6V 2K RE I B I E I C 0.03mA VCE VC VE 6 12I C 0.7 24.74mA 满足-VCE<0.3，处于饱和模式， I EQ 2.65mA I CQ P书93 2-19 6 0.4 0.53mA 12 -6V RC 12K 100 复合管 P书92 2-13 结论： 1 2 场效应管 判断P、N沟道？增强型还是耗尽型或结型？ （1）N沟道：VDS>0,ID流入管子漏极。 P沟道：VDS<0,ID自管子漏极流出。 （2）VGS极性取决于工作方式及沟道类型 JFET:VGS与VDS极性相反。 增强型：VGS与VDS极性相同 MOSFET 耗尽型：VGS 取值任意 P书131 3-13 场效应管估算法 无论P还是N沟道，都先假设工作在饱和区。 （1）由直流通路写出管外电路VGS与ID之间的关系式。 （2）根据FET的类型，选择合适的数学模型。 （3）联立求解上述方程。在得到的两组解中，根据FET选 取合适（VGS）的一组。 （4）判断电路工作模式： VDS VGS VGS th 场效应管饱和区电流 MOS JFET ID nCoxW 2l V GS VGS th V GS I D I DSS 1 V GS off P作业本21 3.3 2 2 p书129 3-6 沟道长度调制效应忽略不计， 0 I GQ 0 VGS RG 2 VDD - I DQ RS 4 I DQ V RG1 R G2 设MOS管工作在饱和区，则 nCoxW 2 ID 2l V GS VGS th 0.08VGSQ 1.5 mA 2 I DQ 0.37m A 联立求解上述方程： VGSQ 3.63V I DQ 17.14m A VGSQ 13.14V 舍去 由图及上述分析结果得 VDSQ VDD - - IDQ R D RS 5.99 满足 VDS VGS VGS th 假设成立 gm 2 CoxW 2l I DQ 0.34m A 因为， 0 则 rds 1/I DQ