Transcript 南京国博有限公司发言
射频芯片的机遇和挑战 南京国博电子有限公司CEO 杨磊 Nanjing Guobo Electronics Co., Ltd. 1 • 无线数据需求出现爆发式增长 – 智能终端、流媒体、云技术 • 2011年美国无线数据流量达到8667亿兆 ，比上年同期激增123% • 促进了无线通信技术的发展 Nanjing Guobo Electronics Co., Ltd. 2 无线通信技术快速发展 Nanjing Guobo Electronics Co., Ltd. 3 中国LTE/4G产业规模增长预测 Nanjing Guobo Electronics Co., Ltd. 4 射频芯片的机遇和挑战 • 对高性能的射频芯片需求激增 • 对射频芯片的性能提出了更高的要求 – – – – – 高效率 高集成 高线性 超宽带 小型化 Nanjing Guobo Electronics Co., Ltd. 5 南京国博电子有限公司 • 射频微波集成电路、模块的开发、生产、销售 • 核心技术 • 射频微波芯片技术、高频收发组件技术 • 逾百项自主知识产权 • 承担项目 • 2项国家发改委高新技术产业项目 • “新一代宽带无线通信网”国家科技重大专项成员单位， 承担射频芯片开发 • 承担2012年度江苏省科技成果转化项目 • 高新技术企业 • 主要客户 Nanjing Guobo Electronics Co., Ltd. 6 国博公司集成电路产品系列演进 7 单功能IC 高速数字集成电路 多功能IC 未来发展 放大器开关衰减器 DC-40GHz 分频器，鉴相器 ADC/DAC DC-20GHz 可变增益放大模块 SPI总线控制 QFN封装 数模结合 更高集成度 高效高线性 Nanjing Guobo Electronics Co., Ltd. 针对LTE/4G需求推出的部分产品 • GaN HEMT大功率器件产品，工作电压28V ，功率密度>5W/mm，PAE>60%，覆盖L, S, C, X, Ku波段 45 60 35 50 30 40 25 30 PAE / % Pout / dBm, Gain / dB 40 1mm栅宽器件2GHz性能 70 PAE Pout Gain 20 20 15 10 10 5 10 15 20 25 Pin / dBm Nanjing Guobo Electronics Co., Ltd. 8 针对LTE/4G需求推出的部分产品 • 100W大功率开关，覆盖 0.6～3.5GHz，集成低噪 放，驱动芯片，适合TDD 系统 • 终端用射频开关，封装小 至1mm×1mm以下，功率 覆盖0.1～5W Nanjing Guobo Electronics Co., Ltd. 9 针对LTE/4G需求推出的微波芯片产品 • 随着数据流量的增加，微波点对点通信往高频，高 功率方向发展 • 国博公司推出了覆盖Ka波段以内所有频段的微波芯 片，典型性能 – 功放：14～17GHz，增益17dB，输出功率40dBm – 低噪放: 6~18GHz，增益23dB，噪声系数1.2dB；32～37GHz ，增益20dB,噪声系数1.8dB – 分频器：DC~26GHz，相噪-150dBc/Hz Nanjing Guobo Electronics Co., Ltd. 10 谢谢! Nanjing Guobo Electronics Co., Ltd. 11