物理实验晶体的电光效应

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近代物理实验 晶体的电光效应

电科091 郭鑫 09461111

实验目的  (1)掌握晶体电光调制的原理和实验方 法  (2)学会测量晶体半波电压、电光常数 的实 验方法  (3)了解一种激光通信的方法

实验原理

一·一次电光效应和晶体的折射率椭球  由电场所引起的晶体折射率的变化, 称为电光效应。  通常可将电场引起的折射率的变化用 下式表示:  

n=n 0 +aE 0 +bE 0 2 +……

式中

a

b

为常数,

n 0

为不加电场是晶体的 折射率。

 一次项

aE 0

引起的折射率变化的效应, 称为一次电光效应,也称线性电光效 应或普克尔效应;由二次项

bE 0 2

引起 折射率变化的效应,称为二次电光效 应,也称平方电光效应或克尔效应。 一次电光效应只存在于不具有对称中 心的晶体中,二次电光效应则可能存 在于任何物质中,一次效应要比二次 效应显著。

  如图,通常用折射 率球来描述折射率 于光的传播方向、 振动方向的关系, 在主轴坐标中,折 射率椭球及其方程 为

:

2 2 2

x

1 

x

2 

x

3  1

n

1 2

n

2 2

n

3 2

x

1

x

3

x

2

 式中

n 1

n 2

n 3

为椭圆球三个主轴方向上的 折射率,为主折射率。  当晶体加上电场后,折射率椭球的形 状、大小、方位都发生变化,椭球方程变 成

x

2

n

11 

y

2

n

22 2 

z

2

n

33 2  2

yz n

23 2  2

xz

n

13 2 2

xy

 1

n

12 2

  晶体的第一次电光效应分为纵向 电光效应和横向电光效应两种。本实 验研究铌酸锂晶体的一次电光效应, 用铌酸锂晶体的横向调制装置测量铌 酸锂晶体的半波电压及电光系数,并 用两种方法改变调制器的工作点,观 察相应的输出特性的变化。

二、电光调制原理

 

我们把信息加载于激光辐射的 过程称为激光调制,把完成这一过 程的装置称为激光调制器。

 因为激光实际上只起“携带”低频 信号作用,所以称为载波,而起控制 作用的低频信号时我们所需的,称为 调制信号,被调制的载波称为已调波 或调制光。  激光调制之所以常采用强度调制 形式,主要是因为光接收器一般都是 直接地响应其所接收的光强度变化的 缘故。

 激光调制的方法有很多,如机械调 制,电光调制,声光调制,磁光调制 和电源调制等,一帮采用电光调制, 电光调制根据所施加的电场方向的不 同,分为纵向电光调制和横向电光调 制。有KDP晶体纵调制和铌酸锂晶体横 调制两种经典的调制,本实验采用铌 酸锂晶体横调制。

 电光效应引起的相位差Γ正比于电场的 强度E和作用距离L(即晶体沿光轴Z的厚度)  的乘积EL,E正比与电压V,反比于电极间距离d, 因此    Γ~LV/d 铌酸锂晶体具有很高的的电光系数, γ=30.8×10 -12 m/v,常常用来做成横制器。为单轴 负晶体。 n x =n y =n 0 =2.297,n z =n e =2.208

 令电场强度为E=E z ,代入得电场感生的法线 椭球方程式 :

x

2

n x

2 

y

2

n y

2 

z

2

n z

2  1  其中

n x n z

 

n y n e

n

0  1 2

n

0 3  13

E z

n e

3  33

E z

 应注意在这一情况下电场感生坐标系 和主轴坐标系一致,仍然为单轴晶体,但 寻常光和非常光的折射率都受到外电场的 调制。设入射线偏振光沿xz的角平分线方 向振动,两个本征态x和z分量的折射率差 为:

n x

n z

 (

n

0 

n e

)  1 2 (

n

0 3  13 

n e

3  33 )

E

 当晶体的厚度为L,则射出晶体后光波 的两个本征态的相位差为:   2   0 (

n x

n z

)

L

 2   0 (

n

0 

n e

)

L

 2   0

n

0 3  13 

n e

3  33

EL

2  上式说明在横调制情况下,相位差由两部 分构成:晶体的自然双折射部分(式中第 一项)及电光双折射部分(式中第二项)。 通常使自然双折射项等于π/2的整数倍。

 横调制器件的半波电压为

V

 

d L n e

3  33  0 

n

0 3  13  我们用到关系式E=V/d。由上式可知半波电 压V π 与晶体长度比L/d成反比。因而可以通 过加大器件的长度比V/d来减小V π

实验器材       电光调制电源组件 光接收放大器组件 He-Ne激光器组件 电光调制晶体组件 器偏起组件 检偏器组件

实验内容

  (1)测定铌酸锂晶体的透过率曲线(即 T~U曲线),计算半波电压U π 。 晶体上只加直流电压,不加交流 信号,把直流电压从小到大逐渐改变,输 出的光强将会出现极小值和极大值,相邻 极小值和极大值对应得直流电压之差既是 半波电压U π 。加在晶体上的电压在电源面 板上的数字表读出,每隔5V增大一次,再 读出相应的光强值,数据填入表。

  (2) 观察电光调制箱内置波形信号,以 及 解调信号实验光路如图。  (3)用1/4波片改变工作点,观察输出特 性。  (4)光通讯的演示。

 两极值的差 U π =0.55-0.29=0.26v

注意事项  (1)He-Ne激光管出光时,电极上所加的 直流高压,要注意人身安全。  (2)晶体又细又长,容易折断,晶体电极 上面的铝条不能压的太紧或给晶体施加压 力,以免压断晶体。  (3)电源的旋钮顺时针方向为增益加大的 方向,因此,电源开关打开前,所以旋钮 应该逆时针方向旋转到头,关仪器钱,所 有旋钮逆时针方向旋转到头后再关电源。

感想  这个实验需要有耐心和一定的技巧, 在读表时的实验步骤出了问题,就找了之 前做过的同学帮助解决,在反复做了几次 后解决了。所以说:做实验时一定要沉得 住气,仔细的思考,对细节之处处理的得 当,而且不要忘记集思广益。

 

谢谢!!!!