Transcript Transistores - SistemasElectronicaFisica

TRANSISTORES
Autor(as)
Historia
Concepto
Modos de Trabajo
Funcionamiento
Tipos
Tipos de Conexión
Índice
Galería
Glosario
Referencias
• Historia
• Concepto
• Funcionamiento
Interruptor abierto
Interruptor cerrado
• Tipos de Conexión
Multivibrador
Flip-Flop (Biestable)
T
R
A
N
S
I
S
T
O
R
E
S
• Modos de Trabajo
Región activa directa
Región activa inversa
Región de corte
Región de saturación
•Tipos
Bipolares
De efecto de Campo
HEMT y HBT
Fototransistores
TRANSISTORES
Historia del Transistor
El desarrollo de la
electrónica y de sus múltiples
aplicaciones fue posible gracias a la
invención del transistor, ya que este
superó ampliamente las dificultades
que presentaban sus antecesores, las
válvulas. En efecto, las válvulas,
inventadas a principios del siglo XX,
habían sido aplicadas exitosamente en
telefonía como amplificadores y
posteriormente popularizadas en
radios y televisores.
Transistor y Válvula
TRANSISTORES
Historia del Transistor
Uno de los mayores
inconvenientes de las válvulas, era que
consumían mucha energía para
funcionar. Esto era causado
porque calientan eléctricamente un
filamento (cátodo) para que emita
electrones que luego son colectados
en un electrodo (ánodo),
estableciéndose así una corriente
eléctrica. Luego, por medio de un
pequeño voltaje (frenador), aplicado
entre una grilla y el cátodo, se logra el
efecto amplificador, controlando el
valor de la corriente, de mayor
intensidad, entre cátodo y ánodo.
Lámpara incandescente de Thomas Edison
TRANSISTORES
Historia del Transistor
Los transistores,
desarrollados en 1947 por los físicos
Shockley, Bardeen y Brattain,
resolvieron todos estos inconvenientes
y abrieron el camino, mismo que,
junto con otras invenciones –como la
de los circuitos integrados–
potenciarían el desarrollo de las
computadoras. Y todo a bajos voltajes,
sin necesidad de disipar energía
(como era el caso del filamento), en
dimensiones reducidas y sin partes
móviles o incandescentes que
pudieran romperse.
Fotografía del primer transistor construído por W.
Shockley, J. Bardeen y W. Brattain (1947)
TRANSISTORES
Concepto del Transistor
El transistor es un dispositivo electrónico, semiconductor
que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o
rectificador. El término "transistor" es la contracción en inglés de
transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se los
encuentra prácticamente en todos los enseres domésticos de uso
diario: radios, televisores, grabadores, reproductores de audio y vídeo,
hornos de microondas, lavarropas automáticos, automóviles, equipos
de refrigeración, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras,
calculadoras, impresoras, lámparas fluorecentes, equipos de rayos X,
tomógrafos, ecógrafos, reproductores mp3, celulares, etc.
TRANSISTORES
Características
 Los materiales empleados para su elaboración son, entre otros, el
Germanio y el Silicio, porque tienen la propiedad de que puede acelerarse
grandemente el movimiento de los electrones por medio de una corriente
eléctrica.
 El tamaño y peso de los transistores es bastante menor que los tubos de
vacío.
 En cuanto a su estructura, se encuentran formados por tres elementos:
Emisor: que emite los portadores de corriente,(huecos o
electrones). Su labor es la equivalente al cátodo en los tubos de
vacío o "lámparas" electrónicas.
Base: que controla el flujo de los portadores de corriente. Su labor es
la equivalente a la rejilla cátodo en los tubos de vacío o "lámparas"
electrónicas.
TRANSISTORES
Características
Colector: que capta los portadores de corriente emitidos por el
emisor. Su labor es la equivalente a la placa en los tubos de vacío o
"lámparas" electrónicas.
 Posee amplificación de todo tipo (radio, televisión, instrumentación).
 Sirve como generador de señal (osciladores, generadores de ondas,
emisión de radiofrecuencia).
 Permite la conmutación, actuando en interruptores (control de relés,
fuentes de alimentación conmutadas, control de lámparas).
 Es detector de radiación luminosa (fototransistores)
 El consumo de energía es sensiblemente bajo.
TRANSISTORES
Funcionamiento Básico
Cuando el interruptor SW1 está abierto no circula
intensidad por la Base del transistor por lo que la
lámpara no se encenderá, ya que, toda la tensión se
encuentra entre Colector y Emisor.
Cuando se cierra el interruptor SW1, una intensidad
muy pequeña circulará por la Base. Así el transistor
disminuirá su resistencia entre Colector y Emisor por
lo que pasará una intensidad muy grande, haciendo
que se encienda la lámpara.
De tales criterios se establece:
IE > IC > IB ; IE = IB + IC
TRANSISTORES
Tipos de Conexión
Multivibrador
Es un circuito oscilador capaz de
generar una onda cuadrada. Según su
funcionamiento, los multivibradores se
pueden dividir en dos clases:
1. De funcionamiento continuo,
de oscilación libre: genera ondas a partir de
la propia fuente de alimentación.
2. De funcionamiento impulsado:
a partir de una señal de disparo o impulso
sale de su estado de reposo.
En su forma más simple son dos
simples transistores realimentados entre sí.
Usando redes de resistencias y
condensadores en esa realimentación se
pueden definir los periodos de inestabilidad.
TRANSISTORES
Tipos de Conexión
Flip-Flop (Biestable):
Es un multivibrador capaz de permanecer en un estado
determinado o en el contrario durante un tiempo indefinido. Esta
característica es ampliamente utilizada en electrónica digital para memorizar
información. El paso de un estado a otro se realiza variando sus entradas.
Dependiendo del tipo de dichas entradas los biestables se dividen en:
1. Asíncronos: sólo tienen entradas de control.
2. Síncronos: además de las entradas de control posee una entrada
de sincronismo o de reloj. Si las entradas de control dependen de la de
sincronismo se denominan síncronas y en caso contrario asíncronas. Por lo
general, las entradas de control asíncronas prevalecen sobre las síncronas.
D
CLK
Qi+1
0
↑
0
1
↑
1
TRANSISTORES
Modos de Trabajo
Existen cuatro condiciones de polarización posibles.
Dependiendo del sentido o signo de los voltajes de polarización en cada
una de las uniones del transistor pueden ser :
• Región activa directa: Corresponde a una polarización directa
de la unión emisor - base y a una polarización inversa de la unión
colector - base. Esta es la región de operación normal del
transistor para amplificación.
• Región activa inversa: Corresponde a una polarización
inversa de la unión emisor - base y a una polarización directa
de la unión colector - base. Esta región es usada raramente.
Ver Gráfico en la siguiente página
TRANSISTORES
Modos de Trabajo
• Región de corte: Corresponde a
una polarización inversa de ambas
uniones. La operación en ésta región
corresponde a aplicaciones de
conmutación en el modo apagado,
pues el transistor actúa como un
interruptor abierto (IC 0).
• Región de saturación: Corresponde a
una polarización directa de ambas
uniones. La operación en esta región
corresponde a aplicaciones de
conmutación en el modo encendido,
pues el transistor actúa como un
interruptor cerrado (VCE 0).
TRANSISTORES
Transistores Bipolares (BJT: NPN-PNP)
Transistores de Efecto de Campo ( JFET,
MESFET, MOSFET )
Transistores HEMT y HBT
Fototransistores
TRANSISTORES
Transistores Bipolares
BJT de transistor bipolar de unión (del ingles, Bipolar Junción Transistor).
Son aquellos que utilizan la corriente como elemento de
control para obtener la señal y su comportamiento como dispositivo
conmutador.
Estos solo funcionan cuando están en polarización directa (se
dice que están en saturación) y en polarización inversa no funcionan (se
dice que están en corte). A base de estos se construyen los circuitos
integrados y otros tipos de transistores.
El término bipolar refleja el hecho de que los huecos y los
electrones participan en el proceso de inyección hacia el material
polarizado de forma opuesta.
TRANSISTORES
Transistores Bipolares
Pueden ser de dos tipos:
NPN
PNP
La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y
la zona P de aceptadores o "huecos" (cargas positivas).
La configuración de uniones PN, dan como resultado transistores
PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la característica
de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo
y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminación entre ellas.
Su diferencia radica en la dirección del flujo de la corriente,
indicada por la flecha que se ve en ambos gráficos
TRANSISTORES
Transistores Bipolares
En principio es similar a dos diodos
Un transistor es similar
a dos diodos, el transistor tiene
dos uniones: una entre el emisor y
la base y la otra entre la base y el
colector. El emisor y la base
forman uno de los diodos,
mientras que el colector y la base
forman el otro. Estos diodos son
denominados: "Diodo de emisor"
(el de la izquierda en este caso) y
"Diodo de colector" (el de la
derecha en este caso).
TRANSISTORES
Transistores de Efecto de Campo
FET Transistor Efecto De Campo (del inglés, Field Effect Transistor)
Es en realidad una familia de transistores que se basan en el
campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un
material semiconductor
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador
(drain) y fuente (source). La puerta es el terminal equivalente a la base del
BJT. El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor
controlado por tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta permite
hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.
TRANSISTORES
Transistores de Efecto de Campo
Los transistores de efecto de campo o FET más conocidos son
los JFET, MOSFET y MESFET
JFET ( del inglés, Junction Field Effect Transistor):
También llamado transistor unipolar, fue el primer transistor de
efecto de campo en la práctica. Lo forma una barra de material
semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se
establece un contacto óhmico, tenemos así un transistor de efecto de
campo tipo N de la forma más básica.
G=Puerta(Gate),
D=Drenador(Drain)
y S=Fuente(Source).
Canal P
Canal N
TRANSISTORES
Transistores de Efecto de Campo
JFET
Cuando aumentamos la tensión en el diodo puerta-surtidor,
las zonas de deplexión se hacen más grandes, lo cual hace que la
corriente que va de surtidor a drenador tenga más dificultades para
atravesar el canal que se crea entre las zonas de deplexión, cuanto mayor
es la tensión inversa en el diodo puerta-surtidor, menor es la corriente
entre surtidor y drenador.
Por esto, el JFET es un dispositivo controlado por tensión y
no por corriente. Casi todos los electrones que pasan a través del canal
creado entre las zonas de deflexión van al drenador, por lo que la
corriente de drenador es igual a la corriente de surtidor
TRANSISTORES
Transistores de Efecto de Campo
MOSFET (del inglés, Metal-Oxide-Semiconductor FET):
Basado en la estructura MOS. (Metal-Oxide-Semiconductor) la
cual consiste en un condensador, una de cuyas armaduras es metálica y
llamaremos "puerta"; el dieléctrico se forma con un óxido del
semiconductor del sustrato, y la otra armadura es un semiconductor, que
llamaremos sustrato. El funcionamiento del transistor de efecto de campo
es distinto al del BJT. En los MOSFET, la puerta no absorbe corriente en
absoluto, frente a los BJT, donde la corriente que atraviesa la base, pese a
ser pequeña en comparación con la que circula por las otras terminales,
no siempre puede ser despreciada. Los MOSFET, además, presentan un
comportamiento capacitivo muy acusado que hay que tener en cuenta
para el análisis y diseño de circuitos.
TRANSISTORES
Transistores de Efecto de Campo
MOSFET
Se encuentran dos tipos de MOSFET:
1. MOSFET de Empobrecimiento:
1.1 Canal N
Se diferencia del FET
canal n en que el terminal de
puerta, G, está aislado del canal de
conducción por una capa de óxido
de silicio SiO2. y existe un sustrato
de semiconductor tipo p cuyo
terminal habitualmente se conectará
externamente al terminal de
surtidor.
TRANSISTORES
Transistores de Efecto de Campo
MOSFET
1.2 Canal P
Posee la misma concepción del MOSFET de empobrecimiento
canal n. En el símbolo del MOSFET de empobrecimiento canal p la
flecha cambia de sentido.
TRANSISTORES
Transistores de Efecto de Campo
MOSFET
2. MOSFET de Enriquecimiento
Difiere del MOSFET de
empobrecimiento en que no tiene la capa delgada
de material n sino que requiere de una tensión
positiva entre la compuerta y la fuente para
establecer un canal. Este canal se forma por la
acción de una tensión positiva compuerta a fuente,
VGS, que atrae electrones de la región de sustrato
ubicada entre el drenaje y la compuerta
contaminados de tipo n. Una VGS positiva provoca
que los electrones se acumulen en la superficie
inferior de la capa de oxido. Cuando la tensión
alcanza el valor de umbral, VT, han sido atraídos a
esta región los electrones suficientes para que se
comporte como canal n conductor. No habrá una
corriente apreciable ID hasta que VGS excede VT.
TRANSISTORES
Transistores de Efecto de Campo
MOSFET
2.1 MOSFET de Enriquecimiento Canal N
2.2 MOSFET de Enriquecimiento Canal P
TRANSISTORES
Transistores de Efecto de Campo
MESFET (del inglés, Metal Effect Semiconductor FET
Consiste en un canal conductor
situada entre una fuente y desagüe en contacto
con la región, como se muestra en la siguiente
figura. El portador de flujo desde la fuente a la
fuga está controlada por una puerta de metal
Schottky. El control de la canal se obtiene por
la variación de la anchura de agotamiento de la
capa de metal debajo de los contactos que
modula el espesor de la canal y, por ende, la
realización de la actual.
Su ventaja clave es la mayor movilidad de los portadores en el
canal y su desventaja es la presencia de la puerta de metal Schottky que limita
con interés la tensión de polarización en la puerta.
TRANSISTORES
Transistores HBT y HEMT
Las siglas HBT y HEMT pertenecen a las palabras
Heterojuction Bipolar Transistor (Bipolar de Hetereoestructura) y Hight
Electrón Mobility Transistor (De Alta Movilidad). Son dispositivos de 3
terminales formados por la combinación de diferentes componentes, con
distinto salto de banda prohibida.
1. HEMT
Un HEMT es un transistor con un cruce entre dos materiales
con diferentes lagunas de banda (es decir, una heterounión) como el
canal en lugar de una n-dopada región. Una combinación es de uso
común con GaAs AlGaAs.
TRANSISTORES
Transistores HBT y HEMT
El efecto de este cruce es el de crear una capa muy delgada de
la realización de los electrones con bastante elevada concentración, dando
el canal de resistividad muy baja (o dicho de otro modo, "de electrones de
alta movilidad"). Esta capa es conocido como bidimensional de electrones
del gas. Al igual que con todos los otros tipos de FETs, un voltaje
aplicado a la puerta altera la conductividad de esta capa.
G=Puerta(Gate),
D=Drenador(Drain)
y S=Fuente(Source).
TRANSISTORES
2. HBT
El transistor bipolar de
heterounión (HBT) es una mejora de
la salida del transistor bipolar (BJT),
que puede manejar las señales de
frecuencias muy altas de hasta varios
cientos de GHz. Es común en los
circuitos modernos ultrarápida, en su
mayoría de radio (RF) de los sistemas.
La principal diferencia entre el BJT y HBT es el uso de
diferentes materiales semiconductores para el emisor y la base de las
regiones, la creación de una heterounión. El efecto es limitar la
inyección de agujeros en la base de región, ya que el posible
obstáculo en la banda de valencia es tan grande.
TRANSISTORES
Fototransistores
Es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, solo que
puede trabajar de 2 maneras diferentes:
• Como un transistor normal con la
corriente de base (IB) (modo común)
• Como fototransistor, cuando la luz
que incide en este elemento hace las
veces de corriente de base. (IP) (modo
de iluminación).
Símbolo
Nota: ß es la ganancia de corriente del fototransistor.
TRANSISTORES
Fototransistores
Si se desea aumentar la sensibilidad
del transistor, debido a la baja iluminación, se
puede incrementar la corriente de base (IB ),
con ayuda de polarización externa.
El circuito equivalente de un
fototransistor, es un transistor común con un
fotodiodo conectado entre la base y el colector,
con el cátodo del fotodiodo conectado al
colector del transistor y el ánodo a la base.
En el gráfico se puede ver el circuito
equivalente de un fototransistor. Se observa que
está compuesto por un fotodiodo y un transistor. La
corriente que entrega el fotodiodo (circula hacia la
base del transistor) se amplifica ß veces, y es la
corriente que puede entregar el fototransistor.
TRANSISTORES
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Glosario
Aislante eléctrico: material con escasa conductividad eléctrica.
Ánodo: Electrodo positivo.
Amplificador: un amplificador es un dispositivo que, mediante la utilización de
energía externa, magnifica la amplitud o intensidad de un fenómeno físico.
Cátodo: Electrodo negativo del que parten los electrones.
Condensador eléctrico: es un conjunto de dos conductores, separados por un medio
dieléctrico, que sirve para almacenar cargas eléctricas.
Conductividad eléctrica: es la capacidad de un cuerpo de permitir el paso de la
corriente eléctrica a través de sí. También es definida como la propiedad natural
característica de cada cuerpo que representa la facilidad con la que los electrones
pueden pasar por él.
Conductor eléctrico: es aquel cuerpo que puesto en contacto con un cuerpo cargado
de electricidad transmite ésta a todos los puntos de su superficie. Generalmente
elementos, aleaciones o compuestos con electrones libres que permiten el
movimiento de cargas.
Conmutador: de circuitos es un elemento que establece una asociación entre una
entrada y una salida que perdura en el tiempo
TRANSISTORES
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Glosario
Corriente alterna: (abreviada CA en español y AC en inglés) a la corriente
eléctrica en la que la magnitud y dirección varían cíclicamente.
Corriente continua: (CC en español, en inglés DC, de Direct Current) es el flujo
continuo de electrones a través de un conductor entre dos puntos de distinto
potencial.
Deplexión: zona de la unión de los semiconductores tipo p y tipo n. Debido a
difusión, los electrones libres y los huecos se recombinan en la unión. Así se crean los
pares de iones con cargas opuestas a ambos lados de la unión. Esta zona carece de
electrones libres y huecos.
Dieléctricos: materiales que no conducen la electricidad, por lo que pueden ser
utilizados como aislantes.
Diodo: es un dispositivo que permite el paso de la corriente eléctrica en una única
dirección.
Drenador: se conoce a una conexión de los componentes electrónicos.
Dispositivo: se utiliza como sinónimo de aparato.
Electrodo: Extremo de un cuerpo conductor en contacto con un medio del que
recibe o al que transmite una corriente eléctrica.
TRANSISTORES
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Glosario
Electroimán: es un tipo de imán en el que el campo magnético se produce mediante el
flujo de una corriente eléctrica, desapareciendo en cuanto cesa dicha corriente.
Electrónica: Campo de la ingeniería y de la física aplicada relativo al diseño y
aplicación de dispositivos, por lo general circuitos electrónicos, cuyo funcionamiento
depende del flujo de electrones para la generación, transmisión, recepción y
almacenamiento de información. Esta información puede consistir en voz o música
(señales de voz) en un receptor de radio, en una imagen en una pantalla de televisión,
o en números u otros datos en un ordenador o computadora.
Fotodiodo: es un semiconductor construido con una unión PN, sensible a la
incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se
polariza inversamente, con lo que se producirá una cierta circulación de corriente
cuando sea excitado por la luz.
Frecuencia: es una medida para indicar el número de repeticiones de cualquier
fenómeno o suceso periódico en una unidad de tiempo.
Fuentes de energía: son elaboraciones naturales más o menos complejas de las que el
hombre puede extraer energía para realizar un determinado trabajo u obtener alguna
utilidad.
TRANSISTORES
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Glosario
Galvanómetros: son aparatos que se emplean para indicar el paso de corriente
eléctrica por un circuito y para la medida precisa de su intensidad.
Interruptor: es un dispositivo para cambiar el curso de un circuito.
Lámpara incandescente: llamada también lamparita, bombilla, bombillo, bombita de
luz, ampolleta o foco, es un dispositivo que produce luz mediante el calentamiento
por efecto Joule de un filamento metálico, hasta ponerlo al rojo blanco, mediante el
paso de corriente eléctrica. En la actualidad, técnicamente son muy ineficientes ya
que el 90% de la electricidad que utilizan la transforman en calor.
El invento de la lámpara es atribuido habitualmente a Thomas Alva Edison, quien
contribuyó a su desarrollo produciendo, el 21 de octubre de 1879, una bombilla
práctica y viable, que lució durante 48 horas ininterrumpidas.
Oscilador: es un sistema capaz de crear perturbaciones o cambios periódicos o
cuasiperiódicos en un medio, ya sea un medio material (sonido) o un campo
electromagnético (ondas de radio, microondas, infrarrojo, luz visible, rayos X, rayos
gamma, rayos cósmicos).
Polarización: es el proceso por el cual en un conjunto originariamente indiferenciado
se establecen características o rasgos distintivos que determinan la aparición en él de
dos o más zonas mutuamente excluyentes, llamadas polos.
TRANSISTORES
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Glosario
Radiofrecuencia: también denominado espectro de radiofrecuencia o RF, se aplica a
la porción menos energética del espectro electromagnético, situada entre unos 3 Hz y
unos 300 MHz. Las ondas electromagnéticas de esta región del espectro se pueden
generar aplicando corriente alterna a una antena.
Rectificador: es el elemento o circuito que permite convertir la corriente alterna
en corriente continua.
Relé: es un dispositivo electromecánico, que funciona como un interruptor controlado
por un circuito eléctrico en el que, por medio de un electroimán, se acciona un juego
de uno o varios contactos que permiten abrir o cerrar otros circuitos eléctricos
independientes
Semiconductor: es una sustancia que se comporta como conductor o como aislante
dependiendo de la temperatura del ambiente en el que se encuentre
un amplificador es un dispositivo que, mediante la utilización de energía externa,
magnifica la amplitud o intensidad de un fenómeno físico.
Tensión eléctrica: diferencia de potencial o voltaje, es una magnitud física que
impulsa a los electrones a lo largo de un conductor en un circuito cerrado. La tensión
entre dos puntos de un campo eléctrico es igual al trabajo que realiza dicha unidad de
carga positiva para transportarla desde dos puntos.
TRANSISTORES
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Glosario
Unipolar: que tiene un solo polo
Válvula: artefacto o mecanismo que permite que algo circule en un solo sentido, pues
impide el retroceso del fluido que circula por un conducto. La misma función
desarrolla la válvula termoiónica, ya que permite que, en su interior, el flujo de
electrones circule solamente en un sentido.
Walter Schottky: El nombre de este científico alemán se encaja en la física de estado
sólido (efecto de Schottky, barrera de Schottky, contacto de Schottky, diodo de
Schottky). Llevado en 1878, él era un contemporáneo de Einstein y del máximo
Planck. El suyo trabaja receptores estupendos incluidos del heterodino, teoría del
ruido, y el trabajo de radio del tubo tal como invención del tetrodo, pero su
contribución más importante a las microondas no es ninguna duda su investigación
del metal-semiconductor que rectifica las ensambladuras (publicadas en 1938), que es
la base para el contacto de la puerta de todo el MESFETs.
TRANSISTORES
Galería
Imágenes
Representación de circuitos
mediante transistores
TRANSISTORES
Circuitos con Transistores
TRANSISTORES
Transistor
TRANSISTORES
Diversos transistores
TRANSISTORES
Realización de prácticas de laboratorio en programa ELECTRO
TRANSISTORES
Laboratorio de Física
TRANSISTORES
Se desea utilizar una salida de un sistema digital para gobernar
un relé. Se ha dispuesto para ello del circuito de adaptación que se
muestra en la figura. Determinar los valores de R1 y R2 que aseguran que
ambos transistores trabajan siempre en corte o saturación sabiendo que
Q1 y Q2 presentan una tensión de codo base-emisor de 0,6V y que la
salida digital puede tomar cualquier tensión entre 0 y 0,4V para el “0”
lógico y entre 3,8 y 5V para el “1” lógico.
TRANSISTORES
Con nivel lógico alto ambos
transistores deberán estar en
saturación. Con nivel bajo ambos
estarán en corte.
Funcionamiento a nivel bajo:
Observando el transistor Q1
vemos que la tensión de entrada
es insuficiente para hacerlo
conducir.
Con el transistor Q1 en corte, Q2 no tiene corriente de base
por lo que también se encuentra en corte.
TRANSISTORES
Funcionamiento a nivel alto:
Para que Q2 esté saturado se debe
cumplir:
IC < ß.IB
IB= 15 – UBE
R2
R2 < ß2. 15 – UBE
IC2
Tomamos R2= 27 k
TRANSISTORES
Para conseguir que el transistor Q1 se encuentre también en saturación:
La situación más desfavorable se
tiene para la tensión de entrada de 3.8 V
IC < ß.IB
IB2= 15 – 0.6 = 533 µA
27.103
R1 < ß1. 3.8 – 0.6 = 600 k
IB2
Tomamos R1= 560 k
TRANSISTORES
Referencias
• http://www.ifent.org/lecciones/fet/default.htm
• http://www.gmelectronica.com.ar/catalogo/pag113.html
• http://www.slideshare.net/lazacer/transistores-157121/
• http://www.fi.uba.ar/materias/7206/Semic.pdf
• http://www.alegsa.com.ar/Dic/transistor.php
• http://www.wikilearning.com/el_transistor_bipolar_bjt-wkccp-622-1.htm
• http://www.monografias.com/trabajos22/preparador-electronica/preparadorelectronica.shtml#transitor
• http://html.rincondelvago.com/transistor.html
• http://www.solomantenimiento.com/m_transistores.htm
• http://electronica.ugr.es/~amroldan/asignaturas/curso0304/cce/practicas/encapsulados/encapsulados.htm
TRANSISTORES
•http://images.google.co.ve/imgres?imgurl=http://es.geocities.com/kikop_2005/wpe10.gif&imgrefu
rl=http://es.geocities.com/kikop_2005/Pagina3.htm&h=246&w=264&sz=2&hl=es&start=157&tbnid
=7o_GgKWmOiy2hM:&tbnh=104&tbnw=112&prev
• http://es.wikipedia.org/wiki/Multivibrador
• http://es.wikipedia.org/wiki/Biestable
•http://images.google.co.ve/imgres?imgurl=http://www.geocities.com/onildo5/capit3/imag_cap3/co
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l=es&start=7&tbnid=97GaA_cq1OZPfM:&tbnh=113&tbnw=120&prev=/images%3Fq%3Dv%25C
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• http://www.tecnologiahechapalabra.com/tecnologia/genesis/articulo.asp?i=1793
• http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_efecto_campo
• http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor
TRANSISTORES
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•http://translate.google.com/translate?hl=es&sl=en&u=http://ecewww.colorado.edu/~bart/book/m
esfet.htm&sa=X&oi=translate&resnum=6&ct=result&prev=/search%3Fq%3DTransistores%2BMes
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• http://www.personal.us.es/rboloix/pub_mic/mic3.pdf
•http://images.google.co.ve/imgres?imgurl=http://www.upv.es/satelite/trabajos/Grupo2_99.00/hem
t.jpg&imgrefurl=http://www.upv.es/satelite/trabajos/Grupo2_99.00/lnamp.html&h=254&w=264&sz
=28&hl=es&start=8&tbnid=OMcgoEA2BC9dfM:&tbnh=108&tbnw=112&prev=/images%3Fq%3D
HEMT%26gbv%3D2%26svnum%3D10%26hl%3Des
• http://es.wikipedia.org/wiki/Transistores_HEMT
•http://64.233.169.104/search?q=cache:JwWCmWt6asYJ:camara123.com/%3Fu%3D/wiki/HEM
T+Transistores+HEMT&hl=es&ct=clnk&cd=43&gl=ve
Autor (as):
• García Rosales, Johana.
• Sánchez Contreras, Darcy.
• Uzcátegui Sayago, Florángel.
Tutor:
Ing. Pablo Labrador.