Метка-модуль - система управления разработками базовых

Download Report

Transcript Метка-модуль - система управления разработками базовых

Разработка базовой технологии монтажа кристаллов
акустоэлектронных меток в керамике LTCC.
Цели ОКР.
Разработка базовой технологии монтажа кристаллов акустоэлектронных меток
в керамике LTCC.
Разработка кристаллов акустоэлектронных меток различной разрядности на
ПАВ в керамике LTCC.
Задачи :
Разработка базовой технологии монтажа кристаллов акустоэлектронных меток в
керамике LTCC ;
Разработка кристаллов акустоэлектронных меток различной разрядности на ПАВ в
керамике LTCC.
Разработка технического проекта;
Разработка конструкторской (КД) и технологической (ТД) документации на
акустоэлектронные метки.
- Изготовление опытных образцов акустоэлектронных меток;
- Проведение предварительных и приёмочных испытаний опытных образцов
акустоэлектронных меток.
- Разработка конструкторской (КД) и технологической (ТД) документации с
литерой «О1» на акустоэлектронные метки.
Основные технические параметры разрабатываемой базовой технологии
монтажа кристаллов акустоэлектронных меток в керамике LTCC
Наименование параметра
Способ монтажа кристаллов
Значение параметра
клеевые композиции, легкоплавкие припои
Точность монтажа кристаллов, мкм
- для размера кристалла более 1х1 мм
- для размера кристалла менее 1х1 мм
Размер монтируемых кристаллов, мм
Метод герметизации корпуса
Показатель герметичности корпуса по скорости
утечки гелия для изделий со свободным
внутренним объёмом:
- не более 1 см3, Пам3/с
- более 1 см3, Пам3/с
± 100
± 50
от 0,2×0,2 до 10×20
- шовно-роликовая сварка в
контролируемой атмосфере с «точкой
росы» - 65 ºС;
- лазерная сварка в защитной атмосфере
аргона.
не более 510-9
не более 510-8
Основные технические параметры разрабатываемых
акустоэлектронных меток
Наименование параметра
Значение параметра
1.Номинальная частота, МГц
2. Разрядность метки
3. Полоса рабочих частот, МГц
4. Вносимое затухание, дБ. не более
5. Сопротивление нагрузки, Ом
6. Динамический диапазон, дБ
7. Конструктивное исполнение
875
16
32
64
128
30
30
30
30
33
36
38
50
50
50
50
50
40
35
30
20
Метка-модуль в специализированном корпусе SMD
из многослойной керамики LTCC
интегрированными с элементами приёмопередающего тракта и специальной экранирующей
структурой обеспечивающей множественный
доступ, максимальную зону покрытия,
помехозащищенность модулей, смонтированных с
использованием Flip-chip технологии монтажа
Принцип действия акустоэлектронной метки на ПАВ
в системе радиочастотной идентификации
Радиоволны
Пьезоэлектрический
кристалл
Антенна
метки
Считыватель
ВШП
Импульсы ПАВ
Отражательные
однонаправленные ВШП
Акустоэлектронная метка
Табл.1. Выбор оптимальных конструктивных элементов акустоэлектронных меток
Рассмотрены особенности проектирования приемопередающего ВШП
Тип ВШП
1.Однонаправленный ВШП
(2λ).
Число
однонапра
-вленных
секций
m=14
Конструкция
Плавающий
электрод
9

8
2λ
Достоинства
Верхняя
гребенка
7

8
Простота
расчета
Нижняя
гребенка
2.Однонаправленный ВШП
(3λ)
m=1
Зазоры равны
λ/4
Уменьшенные
требования к
технологическому оборудованию.
Возможность
построения
узкополосных
ВШП.
3.Однонаправленный ВШП
(nλ)
m=5-10
Возможность
построения
узкополосных
ВШП с
полосой 1% и
менее.
Зазор= λ/4
n
λ
n
λ
Недостатки
ВП, дБ
Направленность
R, Ом
, дБ
Межэлектродные
зазоры
менее λ/4.
Повышенные требования к
технологическому
оборудованию.
1-3
10-12
50
При
апертуре
80λ
2-4
9-11
50
При
апертуре
70λ
Повышенные требования к
технологическому
оборудованию.
50
3-5
6-9
При
апертуре
60λ
Выбор оптимального метода анализа встречно-штыревых
преобразователей и акустоэлектронных меток различной
разрядности на их основе, включающий:
• Метод оптимизационного синтеза трансверсальных структур на
ПАВ
• Вопросы согласования акустоэлектронных меток с внешними
цепями
• Эквивалентные схемы преобразователя ПАВ
• Выбор оптимальной согласующей схемы
• Зависимость ширины полосы пропускания и вносимых потерь
устройства от условий электрического согласования
• Коэффициент стоячей волны
• Влияние паразитных элементов на характеристики
преобразователя
• Сопротивление электродов
• Паразитная емкость между преобразователем и корпусом
• Влияние внешних цепей на характеристики преобразователя
ПАВ
• Анализ встречно-штыревых преобразователей с ненулевым
уровнем отражений методом связанных мод
Табл.2. Выбор оптимальных конструктивных элементов акустоэлектронных меток
Рассмотрены особенности проектирования отражающих структур (ОС)
Тип ОС
Конструкция
Достоинства
Недостатки
Отражающие
ВШП
Простота расчета.
Возможность
кодирования через
кодирующий
фотошаблон
Возможность замыкания
электродов ВШПуменьшается
коэффициент отражения
и растут вносимые потери
Отражающие
электроды
Простота расчета.
Возможность
кодирования через
кодирующий
фотошаблон.
Невозможность
замыкания
электродов. Более
равномерный
импульсный отклик
Уменьшенный
коэффициент отражения Большое вносимое
затухание
Отражающие
канавки.
Более сложное
изготовление метки
(кроме напыления
металла требуется
травление подложки
для изготовления
канавок)
Большая вероятность
дефектов изготовления
Невозможность
кодирования через
кодирующий фотошаблон
a
i
ВП,
дБ
3040
4050
3040
Выбор оптимального метода анализа отражающих структур и
акустоэлектронных меток различной разрядности на их основе,
включающий:
• Метод оптимизационного синтеза отражающих структур на ПАВ
• Вопросы согласования акустоэлектронных меток с внешними
цепями
• Эквивалентные схемы отражающих структур
• Выбор оптимальной согласующей схемы
• Зависимость ширины полосы пропускания и вносимых потерь
устройства от условий электрического согласования
• Коэффициент стоячей волны
• Влияние паразитных элементов на характеристики отражающих
структур
• Сопротивление элементов отражающих структур
• Паразитная емкость между элементами отражающих структур и
корпусом
• Влияние внешних цепей на характеристики отражающих структур
• Анализ отражающих структур методом связанных мод
Зависимость основных параметров пьезоэлектрика от геометрии электродной структуры
hm
Зависимость коэффициента электромеханической
связи в УХl/64°-LiNbO3
от коэффициента металлизации km и толщины
алюминиевой пленки hm
dVV
km
Выбор оптимальных конструктивных элементов акустоэлектронных меток
Рассмотрены особенности проектирования согласующей индуктивности
Тип
индуктивности
Конструкция
Достоинства
Недостатки
Динамическ
ий диапазон
ВП
L,
нГ
Увеличивается на
5-6 дБ
Уменьшаются
на 2-3 дБ
12
Увеличивается
динамический
диапазон на
5-6 дБ
Уменьшаются
на 2-3 дБ
12
Увеличивается
динамический
диапазон на
5-6 дБ
Уменьшаются
на 2-3 дБ
12
1.
Индуктивность
, как моточное
изделие
Простота
изготовления
Защищает ВШП от
статического
электричества.
Согласует ВШП с
антенной
Не
стыкуется с
планарной
структурой
метки
2.
Индуктивность
в планарном
исполнении.
Защищает ВШП от
статического электричества .. Стыкуется
с планарной
структурой метки.
Согласует ВШП с
антенной
Для
изготовления
требуется
фотолитография
3.
Индуктивность
в корпусе
LTCC.
Защищает ВШП от
статического электричества. Стыкуется
с планарной
структурой метки.
Изготавливается в
едином
технологическом
цикле. Согласует
ВШП с антенной.
Выбор оптимального метода анализа отражающих структур и
акустоэлектронных меток различной разрядности на их основе,
включающий:
• Метод оптимизационного синтеза отражающих структур на ПАВ
• Вопросы согласования акустоэлектронных меток с внешними
цепями
• Эквивалентные схемы отражающих структур
• Выбор оптимальной согласующей схемы
• Зависимость ширины полосы пропускания и вносимых потерь
устройства от условий электрического согласования
• Коэффициент стоячей волны
• Влияние паразитных элементов на характеристики отражающих
структур
• Сопротивление элементов отражающих структур
• Паразитная емкость между элементами отражающих структур и
корпусом
• Влияние внешних цепей на характеристики отражающих структур
• Анализ отражающих структур методом связанных мод
Технологический процесс создания корпуса LTCC
акустоэлектронной метки
Файлы графический многослойной платы
Корпус LTCC акустоэлектронной метки с согласующей
индуктивностью
Забитые отверстия
Печать проводящего
внешнего слоя
Пробитие пазов слой 5
Пробитие пазов слой 6
Печать проводящего
слоя
Пробитие пазов слой 4
Многослойная плата
основания корпуса
Сборка пакета
обжиг
…...
Пробитие отверстия
обжиг
Разделение пакета
обжиг
Плата многослойная
Плата многослойная
Плата многослойная
Технологический процесс создания корпуса LTCC
акустоэлектронной метки
файлы графические многослойной платы
Керамика
Du Pont Green
Tape™ 951PX
Вырезка
заготовок
Пробивка и
металлизация
отверстий
Печать проводящего
внешнего слоя
Сборка и опрессовка
пакета
Изостатический пресс ILS-6 с
устройством вакууммирования пакета
при давлении 200 бар в течение 10 мин.
Изготовление
внутренних
проводящих слоев
Разделение пакета на
модули
Пробитие пазов
слой 4
Пробитие пазов
слой 5
Пробитие пазов
слой 6
Совместный обжиг
Инфракрасная конвейерная
печь AG – 1210
Технологический процесс монтажа кристалла метки
полуавтоматическая установка
EC/GV (Россия)
Установка
кристалла
метки в корпус
LTCC
Монтаж
кристалла
метки в корпус
LTCC (точность
± 50 мкм)
1)
кремнийорганический клей-герметик
«Эластосил 137-83» ТУ6-02-1237-83
2)
Монтаж
электрических
соединений
Герметизация
Технология герметизации корпусов с кристаллами
1) Шовно-роликовая сварка в контролируемой атмосфере на лазерной машине МЛ4-2
(Россия). В качестве контролируемой атмосферы использован инертный газ аргон
высшего сорта ГОСТ 10157-79.
2) Герметизация лазерной сварки в защитной атмосфере на установке шовной
роликовой сварки SM8500 с защитной камерой MX-2000 (США). В качестве
контролируемой атмосферы использован очищенный воздух с «точкой росы»
минус 65o C.
Лазерная машина МЛ4-2
Установка шовной роликовой
сварки SM8500
Монтаж кристаллов акустоэлектронных меток в керамике LTCC
Монтаж кристаллов акустоэлектронных меток в керамике LTCC
Разработка базовой топологии акустоэлектронных меток в керамике LTCC.
50
40
hi 30
h1i
20
. Топология разработанной интегральной схемы
10
16-битной акустоэлектронной метки
0
0
5
10
ti
H  1 if h
i
m  40
i
m
0 o th erw ise
u   m1
i
m1   1 0
H1  1 if h
i
i
 m1
0 o th erw ise
2
1.5
Hi H1i 1
0.5
Последовательность отраженных импульсов от
16-битной акустоэлектронной метки 81 код
0
0
5
10
ti
1 .29 55 2 .77 27 1 .47 72
Разработка базовой топологии акустоэлектронных меток в керамике LTCC.
50
40
hi 30
h1i
. Топология разработанной интегральной схемы
32-битной акустоэлектронной метки
20
10
0
q 
q
0
5
1023
m  30
2
 hi
H  1 if h
i  140
 30
10
ti
i
i
m1   1 0
m
H1  1 if h
0 o th erw ise
i
 35
i
 m1
0 o th erw ise

 hi  
 20 log
  40
( ) 

 m axh
2
1.5
 45
Hi H1i 1
 50
0
5
10
ti
i m  2
j   0  1 02 4 i m
k   1  i m
Последовательность
отраженных
импульсов
от 32-битной акустоэлектронной метки код 99
0.5
0
0
5
10
ti
Разработка базовой топологии акустоэлектронных меток в керамике LTCC.
50
. Топология разработанной интегральной схемы
64-битной акустоэлектронной метки
q 
q
1023
40
hi 30
h1i
20
10
 hi
2
0
0
5
i  140
 30
10
ti
m  30
 35
H  1 if h
i

 hi  
 20 log
  40
( ) 

 m axh
i
m1   7
m
H1  1 if h
0 o th erw ise
i
i
 m1
0 o th erw ise
 45
 50
2
0
5
10
ti
i m  2
j   0  1 02 4 i m
k   1  i m
1.5
Hi H1i 1
0.5
Последовательность отраженных импульсов
от 64-битной акустоэлектронной метки код 99
0
0
5
10
ti
Разработка базовой топологии акустоэлектронных меток в керамике LTCC.
q 
q
2
. Топология разработанной
интегральной схемы 128-битной акустоэлектронной метки
 hi
1023
i  140
 30
20
15
 40
hi

 hi  
 20 log

( ) 

 m axh
h1i
 50
10
5
0
 60
0
5
10
0
5
10
ti
2
ti
Последовательность отраженных импульсов
от 128-битной акустоэлектронной метки код 21
1.5
Hi H1i 1
0.5
0
0
5
10
ti
Методика измерений
Схема измерения меток
P2 - Персональный компьютер
P1 - ИКПП «Обзор-103
E1 - Устройство измерительное
ЯНКИ.433335.001
Измерительный столик, и метка в
корпусе.
Частотная зависимость параллельного параметра S11
Схема измерения комплексного коэффициента
отражения S11 четырехполюсника в тракте 50 Ом.
Усредненная частотная зависимость параметра S11
Методика измерений
Импульсный отклик 16 бит акустоэлектронной метки в заданном временном
интервале для определения динамического диапазона
Импульсный отклик и конфигурация метки определения кода
Измерение частотной
зависимости параметра
S11
Получение
импульсного отклика
путем Фурье преобразования
Последовательность измерения метки
Определение кода
метки
Сравнительные технические показатели разрабатываемых изделий для системы
радиочастотной идентификации и лучших изделий аналогичного типа
Наименование параметра
Значение параметра
Акустоэлектронная метка в
керамике LTCC
Зарубежный аналог
метка «Slot-TID» фирмы CTR
875
2437,5
16, 32, 64, 128
до 20 бит
30
не более 3 МГц
33-36-38-50
50
5. Сопротивление нагрузки, Ом
50
50
6. Динамический диапазон, дБ
До 40
До 30
1.Номинальная частота, МГц
2. Разрядность метки
3. Полоса рабочих частот, МГц
4. Вносимое затухание, дБ. не более
7. Конструктивное исполнение
Метка-модуль в
специализированном
корпусе SMD из
многослойной керамики
LTCC интегрированными с
элементами приёмопередающего тракта и
специальной экранирующей
структурой,
смонтированных с
использованием Flip-chip
технологии монтажа
DIP без интегрированных
элементов приёмопередающего тракта
Стоимость и продолжительность подготовки и освоения
серийного производства акустоэлектронных меток
различной разрядности с учетом контрактного
производства пьезоэлементов для:
• Систем радиочастотной идентификации ~ 3,0 млн. руб.
(модернизация СТО и ИС),
6 мес. после окончания ОКР
• Систем управления доступом ~ 4,5 млн. руб.
(модернизация СТО и ИС),
6 мес. после окончания ОКР
• Навигации ~ 5,5 млн. руб.
(модернизация СТО и ИС),
6 мес. после окончания ОКР
.
Технико-экономических показатели
акустоэлектронных меток для систем радиочастотной
идентификации, управления доступом и навигации
Величина показателей
При изготовлении
опытных образцов
Наименование
показателей
Технологический
выход годных
изделий, %
Себестоимость,
руб.
Прибыль, руб.
Итого цена, руб.
Оптовая цена, руб.
(НДС не
облагается)
На первый год
серийного освоения
КМ-16,
КМ-32
КМ-64
КМ-128
КМ-16,
КМ-32
КМ-64
КМ-128
30
25
20
35
30
30
2580,00
2900,00
3350,00
500,02400,0
600,002775,00
600,003275,00
420,00
600,00
650,00
200,00450,00
150,00475,00
150,00475,00
3000,00
3500,00
4000,00
700,002850,00
750,00 3250,00
750,00 3750,00
3000,00
3500,00
4000,00
700,002850,00
750,00 3250,00
750,00 3750,00
Потенциал коммерческой реализуемости разработанной
технологии (технологический аудит)
по следующим основным критериям: патентный поиск аналогичных
технологий, определение рыночных преимуществ технологии, оценка
рыночных перспектив.
Системы радиочастотной идентификации на железнодорожном
транспорте:
радиочастотные метки для идентификации грузовых вагонов в
реальном режиме времени;
Системы радиочастотной идентификации в Минатом:
радиочастотные метки для идентификации составных элементов при
строительстве атомных электростанций;
Системы управления доступом к критически важным объектам для
разграничения прав доступа в категорированные помещения;
Системы навигации GPS/ГЛОНАСС, в том числе перспективные
образцы навигационной аппаратуры потребителей (НАП);
- и др.
Требования ТЗ к базовой технологии выполнены в полном объеме:
№
Наименование параметра
1
Способ монтажа кристаллов
2
Точность монтажа кристаллов, мкм
- для размера кристалла
более 1х1 мм
- для размера кристалла менее
1х1 мм
3
Размер монтируемых кристаллов,
мм
4
Метод герметизации корпуса
5
Показатель герметичности корпуса
по скорости утечки гелия для
изделий со свободным внутренним
объёмом:
- не более 1 см3, Па м3/с
- более 1 см3, Па м3/с
Значения, предусмотренные
ТЗ
клеевые композиции,
легкоплавкие припои
± 100
± 50
от 0,2×0,2 до 10×20
-шовно-роликовая сварка в
контролируемой атмосфере с
«точкой росы» - 65 ºС;
- лазерная сварка в защитной
атмосфере аргона.
не более 5х10-9
не более 5х10-8
Достигнутые значения
клеевые композиции,
легкоплавкие припои:
токопроводящий клей, LTCC,
медь, золото, серебро,палладий
± 50
1,42х6,3х0,5 мм3
1,42х8,5х0,5 мм3
1,42х13,5х0,5 мм3
1,42х20х0,5 мм3
-шовно-роликовая сварка
в контролируемой атмосфере с
«точкой росы» - 65 ºС; лазерная
сварка в защитной атмосфере
аргона
не более 5х10-9
Параметры и характеристики опытных образцов
акустоэлектронных меток в керамике LTCC соответствуют ТЗ:
№
Наименование параметра
Значения, предусмотренные ТЗ
Достигнутые значения
875
875
1
Номинальная частота, МГц
2
Разрядность метки
16
32
64
128
16
32
64
128
3
Полоса рабочих частот, МГц
30
30
30
30
30
30
30
30
4
Вносимое затухание, дБ. не более
33
36
38
50
31-33
35-36
37-38
48-50
5
Сопротивление нагрузки, Ом
50
50
50
50
50
50
50
50
6
Динамический диапазон, дБ
40
35
30
20
40
35
30
20
7
Конструктивное исполнение
Метка-модуль в
специализированном корпусе SMD
из многослойной керамики LTCC
интегрированными с элементами
приёмо-передающего тракта и
специальной экранирующей
структурой обеспечивающей
множественный доступ,
максимальную зону покрытия,
помехозащищенность модулей,
смонтированных с использованием
Flip-chip технологии монтажа
Метка-модуль в
специализированном корпусе
SMD из многослойной керамики
LTCC интегрированными с
элементами приёмо-передающего
тракта и специальной
экранирующей структурой
обеспечивающей множественный
доступ, максимальную зону
покрытия, помехозащищенность
модулей, смонтированных с
использованием Flip-chip
технологии монтажа
Требования к надёжности
1.
-
В соответствии с ГОСТ 15150-69
В соответствии с ГОСТ 15150-69
Требования по живучести и стойкости к внешним воздействиям
1
-
В соответствии с требованиями,
предъявляемыми к изделиям в
климатическом исполнении УХЛ,
категория 3.1 по ГОСТ 15150-69
В соответствии с требованиями,
предъявляемыми к изделиям в
климатическом исполнении УХЛ,
категория 3.1 по ГОСТ 15150-69
ВЫВОДЫ :
1. ОКР «Метка-Модуль» выполнена в
полном соответствии с требованиями ТЗ
в сроки, указанные в Ведомости
исполнения.
2. Задачи, поставленные в ОКР,
выполнены. Цель ОКР достигнута.
Разработанный технологический процесс изготовления корпусов LTCC акустоэлектронных меток состоит
из следующих операций.
1) Вырезка заготовок: Так как керамика поставляется в основном в рулонах, то предварительно
раскатывается на : Керамики DuPont Green Tape должны быть предварительно подготовлена перед
обработкой. Это достигалось сушкой в сушильном шкафу в течение получаса при температуре 120
С. Сушка керамики осуществлялась на несущей майларовой пленке (на которой поставляется
керамика и на которой производится ее подсушка в процессе изготовления). Эта пленка должна быть
удалена перед прессованием (ламинированием). Эту пленка до удаления используется в качестве
трафарета при заполнении (металлизации) отверстий. Если керамика поставляется в листах
стандартного размера, то необходимости в операциях вырезки и предварительной подготовки нет.
После сушки производится окончательная вырубка заготовки в размер
2) Предварительная подготовка: Керамики DuPont Green Tape должны быть предварительно
подготовлена перед обработкой. Это достигалось сушкой в сушильном шкафу в течение получаса
при температуре 120 С. Сушка керамики осуществлялась на несущей майларовой пленке (на
которой поставляется керамика и на которой производится ее подсушка в процессе изготовления).
Эта пленка должна быть удалена перед прессованием (ламинированием). Эту пленка до удаления
используется в качестве трафарета при заполнении (металлизации) отверстий. Если керамика
поставляется в листах стандартного размера, то необходимости в операциях вырезки и
предварительной подготовки нет. После сушки производится окончательная вырубка заготовки в
размер
3) Штамповка: Штамповка применяется, чтобы создать базовые отверстия для сборки пакета и отверстия
для ориентации заготовок.
4) Формирование отверстий: Пробиваются отверстия на программируемом перфораторе, в подложке
формируются необходимые полости, окна и пазы соответствующего размера или диаметра.
5) Заполнение отверстий: Заполнение отверстий проводится на обычной установке трафаретной печати.
Для этого заготовка кладется на вакуумный стол установки трафаретной печати. Вакуумный насос
удерживает заготовку на столе и оказывает помощь при заполнении отверстий. Диаметр переходного
отверстия в этом способе должен быть больше толщины керамики. Наименьший диаметр
заполняемого отверстия зависит также от вязкости пасты.
При заполнении используются трафареты, которые изготовливаются из 150 – 200 мкм. стальной или
бронзовой фольги с использованием программируемого перфоратора. В качестве альтернативы
может быть использована майларовая пленка, на которой обычно поставляется керамика.Пасты для
6) Печать: Совместно вжигаемые проводниковые и др. элементы наносятся на стандартной
установке трафаретной печати с использованием вакуумного стола для фиксации
заготовки. Трафареты изготавливаются на сетках 250 – 325 мкм с толщиной слоя
эмульсии 10 – 15 мкм. Пасты для совместно вжигаемых слоев разработаны с учетом
усадки керамики в процессе обжига.
После печати пасты должны быть высушены в вентилируемом сушильном шкафу или
конвейерной сушке при температуре 80 – 120 С в течение 5 – 30 мин. Некоторые пасты
должны растечься при комнатной температуре в течение 5 – 10 мин. перед сушкой. В
стандартной технологии трафаретной печати достигаются разрешение 100±20 мкм
(ширина линий и промежутков).
После обработки каждого отдельного слоя следует оптическая инспекция. Таким образом,
можно выявить дефектные слои на ранних этапах и отсортировать технологический
брак.
Для выполнения операций 3)-6) в автоматическом режиме были сформированы данные о
топологии каждого слоя корпуса, которые представлены в файлах графического
редактора формирования слоев LTCC-корпуса акустоэлектронной метки km16.a, km32.a,
km64.a, km128.a (см. Приложение 2).
7) Сборка пакета: Сборка пакета производится в прессформе послойно с использованием
вакуумного захвата (Vacuum hand) для позиционирования заготовок на базовых
штифтах.
8) Прессование: Прессование производится на изостатическом прессе ILS-6 с устройством
вакууммирования пакета при давлении 200 бар в течение 10 мин. (типичное значение).
При прессовании глубокие полости и окна заполнялись вставки.
9) Обжиг: Обжиг пакета производится на плоской и гладкой керамической поверхности в
конвейерной печи в воздушной атмосфере при максимальной температуре 850 – 875 С.
Режим вжигания двухуровневый с промежуточной выдержкой при температуре 450 С
для удаления органики.
10) Процессы после обжига: После обжига пакета на наружных слоях формируются и