Transcript PTH鍍通孔流程

PTH Process
鍍通孔製程
恆利肯有限公司
Hurricane chemical co.,ltd.
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目的 : 將基材板孔內非導體,利
用化學無電鍍方式沉積
金屬銅形成導電層,並利
用電鍍方式加厚孔銅及
面銅厚度.
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PTH鍍通孔流程
清潔整孔
水洗
水洗
微蝕
水洗
水洗
預浸
活化
水洗
水洗
加速
水洗
水洗
化學銅
水洗
水洗
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清潔/平整劑
目的 : 清潔板面油脂, 除去孔內雜質,利用界面
活性劑使孔壁內環氧樹脂及玻璃纖維
上附一層帶正電的薄膜使後續的活化
劑容易吸附上孔壁.
品名 : P-840
控制條件 : 1. 溫度
:
50 – 60 °C
2. 時間
:
4 – 8 分鐘
3. 濃度
:
8 – 12 %
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HOLE WALL AFTER DRILL
樹脂
玻璃纖維
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AFTER CLEANER / CONDITIONER
+ +
+ +
+ +
+
+
+
+
樹脂
+
+
+
+
+
+
+
+
+
玻璃纖維
+
+ +
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微蝕劑
目的 : 除去氧化並咬蝕銅面使之粗糙使鍍銅時接
合力更好.
品名 : SPS
控制條件 : 1. 溫度
:
21 – 32 °C
2. 時間
:
1 – 2 分鐘
3. 濃度
: SPS : 90-120g/L
H2SO4:10-20Ml/L
Cu:<25g/L
4. 微蝕厚度 : 40-60u”
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預活化劑
目的 : 防止酸性物質帶入活化槽, 延長昂貴的活化劑
壽命.
品名 : P-850
控制條件 : 1. 溫度
:
20 – 30 °C
2. 時間
:
1 – 3 分鐘
3. 濃度
: P-850 200-240g/L
P-850(Sp.gr) 1.14-1.18
HCL 2.5%
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活化劑
目的 : 使錫鈀膠體附著於孔壁, 利用錫鈀膠體(Pd/Sn2+/Sn4+)
外有氯離子團負電和孔壁介面活性劑
正電, 形成凡德瓦爾鍵结.
品名 : P-860
控制條件 : 1. 溫度
: 42 – 46 °C
4 – 6 分鐘
2. 時間
:
3. 濃度
: P-860 3%
HCL 2.5%
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HOLE WALL AFTER ACTIVATOR
+ +
+ +
+ +
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+ +
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加速劑
目的 : 剝掉板面及孔內之錫膠體層使金屬鈀
裸露出來,作為後序化學銅反應之觸媒.
品名 : P-870
控制條件 : 1. 溫度
: 20 – 30 °C
2. 時間
: 5~6 分鐘
3. 濃度
: 0.8 – 1.2 N
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CHEMICAL STRUCTURE OF
PALLADIUM-TIN CATALYST
SnCl3
SnCl3
nSnCl3
Pd/Sn
SnCl3
SnCl3
SnCl3
SnCl3
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HOLE WALL AFTER ACCELERATOR
Pd
Pd
Pd
Pd
Pd
Pd
Pd
Pd
Pd
Pd
Pd
Pd
Pd
Pd
Pd
Pd
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化學銅
利用甲荃當還原劑, 鈀為催化劑,
在鹼性藥液中把銅離子還原為
銅金屬.
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化學銅之反應式
Cu²⁺ + SO4²⁻
CuSO4
2HCHO + 2NaOH
Cu²⁺ + 2e⁻
Pd
Pd
Cu°
Cu²⁺+SO4²⁻+2CHO+2Na⁺+2OH⁻
HCOOH + NaOH
2CHO⁻ + 2Na⁺ +2H2O
Cu°+Na2SO4+H2+HCOOH
HCOONa + H2O
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化學銅槽液控制條件
品名 :
P-880A
P-880B
P-880M 800Y 800Z
控制條件 : 1. 溫度
: 25 – 30 °C
2. 時間
:
15~18 分鐘
3. 濃度
: 螯合劑:15-20g/L
Cu : 1.5-3.2g
NaOH : 10-18g/L
HCHO : 5~10g/L
4.沉積速率 : 15– 20 u”
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HOLE WALL AFTER
ELECTROLESS COPPER
HOLE WALL
AFTER DRILL
15-20u” Cu
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鍍層檢視 ( 1 )
覆蓋良好的沉積鍍層之SEM照片,表面
全都被均勻細緻的導電銅層所覆蓋.
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鍍層檢視 ( 2 )
覆蓋不良的沉積鍍層之SEM照片,表面仍
有圓柱狀的玻璃纖維裸露出來.
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