Transcript 東芝電子（上海）有限公司TOSHIBA ELECTRONICS

东芝功率器件
Toshiba Discrete Devices
for Power Supply
31 Aug. 2013
Copyright 2013， Toshiba Corporation.
東芝電子（上海）有限公司
目录
 东芝集团业务简介
 东芝分立器件简介
 功率器件的发展趋势（高压MOS，低压MOS）
 新材料功率器件（SiC，GaN）
 电源的拓扑结构及东芝功率器件的产品线
• AC-DC：Flyback，Forward，Half Bridge，Full Bridge
• DC-DC：Forward，Push Pull，Half Bridge，Full Bridge（Isolation type）
 东芝官网分立器件参数模拟快速入门
 销售渠道
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TOSHIBA ELECTRONICS （SHANGHAI） CO.， LTD.
2
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3
通过能源技术和存储技术的创新以及信息技术提供解决方案
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4
东芝集团业务分布
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5
各种业务领域的状态和目标
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6
半导体&存储产品公司
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7
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8
分立器件简介
标准的逻辑器件
C-MOS Logic / 1 Gate Logic
Bus Switch
Level Shifter
MOS FET/BRT
小信号分立器件
Diode（SW/SBD / ESD etc）
OP-AMP/Comparator
RF Tr / Di
Load Sw IC / Regulator
SOI Switch
分立器件
Power MOS FET（
FET（HV-MOS
HV-MOS/LV-MOS）
/ LV-MOS）
功率器件
BJT
IGBT / IEGT
Power Di（SBD / ZD）
Intelligent Power Device（HV-IPD / LV-IPD）
Compound Material（SiC / GaN power）
PhotoCoupler
光耦
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Fiber Coupler（TOSLINK）
White LED
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大功率器件
工业变频器1700-4500V
PMI
PPI
牵引、电力转换器、工业变频器
电力机车
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变频器
电力转换器
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主要的产品
SiC
针对于大功率
1
HV-MOS
GaN
重点推出第四代
DTMOSⅣ.
LV-MOS
高速开关的应用
0.1
U-MOSⅧ
致力于提高效率
1
10
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100
1000
10000
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东芝功率MOSFET的发展蓝图
VDSS
U-MOSⅦ-H（30V）
100V
U-MOSⅣ
200V
p-MOSⅤ
300V
Ⅸ-H
U-MOSⅧ-H（30V）
U-MOSⅨ-H
U-MOSⅧ-H（60V-120V）
（40V-120V）
U-MOSⅧ-H
（150V / 200V / 250V）
p-MOSⅦ
（200V / 250V / 300V）
p-MOS
p-MOSⅦ
（400V / 500V / 600V / 650V）
400V
500V
600V
700V
DTMOS
p-MOSⅥ
DTMOSⅢ（600V） DTMOSⅣ（600V / 650V）
DTMOSⅤ
DTMOSⅣ
DTMOSⅡ
（500V
600V / 650V ）
High
Speed/ Switching
Fast Diode added
（600V / 650V）
DTMOSⅢ（700V / 4A）
p-MOSⅣ
（800V / 900V）
800V
p-MOS
HV-DTMOS
p-MOSⅧ
（800V / 900V） （800V / 900V ）
900V
CY：2010
2011
東芝電子（上海）有限公司
2012
2013
2014
15
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东芝功率MOSFET封装发展蓝图
3x3mm for LVMOS（U-MOS series）
Both-Side Cooling
5x6mm for LVMOS（U-MOS series）
8x8mm DFN for DTMOS
（Since DTMOSⅣ）
Standard D-pak
since p-MOSⅦ
& DT3
Standard
I-pak
for HVMOS（Since
DTMOSⅢ）
Standard D2-pak，I2-pak for HVMOS（Since DTMOSⅢ）
Standard TO-220 for HVMOS and LVMOS（SR-MOS）
TO-220SIS（FP）for HVMOS and LVMOS（SR-MOS）
TO-3P（N）for HVMOS（p-MOS / DTMOS）
TO-247 for DTMOS
TO-3P（L）for HVMOS（High Current）
CY：2010
2011
東芝電子（上海）有限公司
2012
2013
2014
15
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Super Junction MOSFET（DTMOS）研发趋势
1. Single-EPI（SE）Process
Multi EPI
DTMOS拥有超低内阻和丰富的封装，可以支持
更高效率，更紧凑的电源设计方案
50
RonA（mWcm2）
40
Single-EPI
A
B
C
【Ron*A Improvement】
In the same die size
DTMOSⅠ
30
RDSon can be reduced“30%”
In the same RDSon
DTMOSⅡ
DTMOSⅢ
B
C
20
Die size can reduce 30%
C
Size： Chip Size
RDSon： On resistance
New Generations
10
C
DTMOSⅣ
Target for future Gen.
DT3
Size=100
RDSon=100
DTMOSⅤ
0
‘01
‘03
‘05
‘07
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‘09
‘11
‘13
‘15
DT4
Size=100
RDSon=70
DT4
Size=70
RDSon=100
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DTMOS Ⅳ最新工艺Single-EPI的优势
Single-EPI工艺的优势在于提高了器件的性能
Ron・A Improvement（Normalized）
100
Si limit（88）
p-MOSⅦ（100%）
DTMOSⅢ（ME）（25%）
DTMOSⅣ（SE）（16%）
ME limit（20）
10
Super
Junction
Type
SE limit（8.8）
Single-EPI工艺可使得制程时间减少33%
Multi EPI：
ME
▲33%
Single-EPI：
SE
0
0.2
0.4
0.6
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0.8
1
1.2
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DTMOSⅣ性能的优化
New
Series
DTMOSⅠ
2007
DTMOSⅡ
2008
DTMOS Ⅲ
2011
DTMOSⅣ
2012
Part
Number
TK20A60T
TK20A60U
TK18A60V
TK16A60 “W”
Spec
600V / 20A
0.19Ωmax
600V / 20A
0.19Ωmax
600V / 18A
0.19Ωmax
600V / 15.8A
0.19Ωmax
Line up with Lower RDS
（ON）
25mΩ･cm2
22.5mΩ･cm2
20mΩ･cm2
14mΩ･cm2
DT3 improved 12%，
DT4 target as 30%
improved more compared
with current gen
Ron x A
Improvement by Fine patterning and Optimized Vertical profile
30nC
Qg
（typ）
27nC
39nC
5.0Ω･nC
（=0.165 x
30）
4.5Ω･nC
（=0.165 x
27）
6.4Ω･nC
（=0.165 x
39）
“V”=DTMOSⅢ series
“W”= DTMOSⅣseries
38nC
Optimization Gate layout and structure
Ron x Qg
（typ）
DTMOS Ⅲ，Ⅳ
development concept
6.3Ω･nC
（=0.165 x
38）
Optimized Qg characteristics
for lower EMI noise
（improvement controllability）
We will consider the additional line up（other voltage，with HSD etc... ）due to the market inquiry
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DTMOSⅣ的优势
DTMOSⅣ优化了内阻的温度系数
A1
A2
B1
SE工艺使得在MOS管在较高的结温状态下也能保持较低
的内阻，从而可以提高电源模块的效率。
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B2
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DTMOSⅣ：Eoss
7
Conditions：VDS=0 to 400V，VGS=0，Ta=25℃
DTMOSII：TK20A60U
Competitor B
6
Competitor A
DTMOSIII：TK18A60V
5
Eoss（mJ）
Eoff (uJ)
DTMOSIV：TK16A60W
4
20%
reduction
12%
reduction
3
2
1
0
0
100
200
300
400
500
VDS (V)
超级结的独特结构造成了较高的输出电容，从而导致电源模块在轻载时效率不好。相比于
DTMOSⅢ，DTMOSⅣ的输出电容减少了12%，从而提高了在轻载时的效率。
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DTMOSⅣ：效率的评估（120W SMPS）
相比于其他同规格的竞争者，DTMOSⅣ在所有的功率段都能保持较高的效率
・Efficiency vs. Output
Conditions：120W SPS board PFC stage，Rg=10Ω
88
TK 20A60U ：DTMOSII 0.19Ωmax
TK20A60U：0.19Ω
DTII
TK 18A60V ：DTMOSIII 0.19Ωmax
TK18A60V：0.19Ω
DTIII
TK 16A60W ：DTMOSIV 0.19Ωmax
TK16A60W：0.19Ω
DTIV
：IPA60R199CP 0.199Ω
Co o lA1
CP
: 0.199Ω
：IPA60R190C6 0.19Ω
: 0.19Ω
Co o lA2
C6
：SPA20N60C3 0.19Ω
: 0.19Ω
Co o lA3
C3
Efficiency (%)
86
84
82
80
20
40
60
80
1 00
1 20
1 40
Ou tput power (W)
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LVMOS发展蓝图（Silicon）
Main
Market
NBPC
Li ion
battery
DC-DC
30V
Game
Server
2011
2012
U-MOSⅦ
TPCA8055-H
Ron=1.9mOhm（max）@10V
2013
2014
U-MOSⅧ
Nch
60-120V
150-250V
AC-DC
DC-DC
Automotive
Motor
2015
U-MOSⅨ
TPHR9003NH
Ron=0.9mOhm（max）@10V
U-MOSⅣ / Ⅵ
40V
（CY）
U-MOSⅨ
Ron=0.7m（typ.）@10V in SOP Advance
U-MOSⅧ
U-MOSⅨ
TK100E10N1： Ron=3.4mOhm（max）@10V in TO-220
TPH4R50ANH：Ron=4.5mOhm（max）@10V in SOP Advance
DC-DC
Pi-MOSⅤ/ Ⅶ
U-MOSⅧ
Best-in-class RonCiss
Pch
20-100V
PMS
Automotive
U-MOSⅣ
RonA=16mΩ*mm2（30V）
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U-MOSⅧ
RonA = 10.8mΩ*mm2 （30V）
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U-MOSⅧ-H产品线
U-MOSⅧ-H扩大了产品线，可以满足不同市场的需求
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U-MOSⅧ-H效率的对比（LVMOS）
TK72E12N1
效率的对比
TK65E10N1
效率的对比
Test condition：120W NBPC ADP，Vin=100VAC，
Vout=19.5V
Test condition：120W NBPC ADP，Vin= 100VAC，
Vout=19.5V
VDS=100V
VDS=120V
TK72E12N1（U-MOSⅧ / 120V / 4.4mΩ）
Competitor A（120V / 4.1mΩ）
优势!!
TK65E10N1（U-MOSⅧ/100V / 4.0mΩtyp）
Competitor A（100V / 3.9mΩtyp）
优势!!
TK72E12N1一直保持
了较高的效率 ！
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轻载时
TK65E10N1更好！
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新材料功率器件
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复合型原材料的应用领域
1. SiC器件：相比于Si，可以实现低损耗&大容量
2. GaN器件：相比于Si，可以实现低损耗&更快的开关速度
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原材料物理性能的对比
Si
SiC（4H）
GaN
1.12eV
3.26eV
3.39eV
1400cm2 / Vs
1000cm2 / Vs
1000~2000cm2 / Vs
11.8
9.7
9.0
Breakdown electric field
0.3MV / cm
2.2 - 2.5MV / cm
3.3MV / cm
Thermal Conductivity
1.5W / cm·K
4.9W / cm·K
1.3W / cm·K
Band gap
Electron mobility
Relative permittivity
• It is easy to purchase
and process it
• Low cost
Feature
Ron·A limit at 600V
（theoretical value）
70mΩ·cm2
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• Low resistance
• Low leakage current at
high temperature
• Available for high
temperature operation
0.14mΩ·cm2
• Low resistance
• Low leakage current at
high temperature
• Available for high
temperature operation
0.02mΩ·cm2
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Ron・A Limit of Si，SiC，GaN（Theoretical value）
Si
SiC
GaN
[V]
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SiC-SBD产品线
VRRM
（V）
650
TO-220
（2Leads）
D2PAK
（1 pin N.C）
TO-220FP
（2Leads）
6
TRS6E65C
MP: OK
TRS6G65C*
ES: Oct.13
MP: Jan.14
TRS6A65C*
ES: 3Q.13
MP: 4Q.13
8
TRS8E65C
MP: OK
TRS8G65C*
ES: Oct.13
MP: Jan.14
TRS8A65C*
ES: 3Q.13
MP: 4Q.13
10
TRS10E65C
ES: OK
MP: Aug.13
TRS10G65C*
ES: Oct.13
MP: Jan.14
TRS10A65C*
ES: 3Q.13
MP: 4Q.13
12
TRS12E65C
MP: OK
TRS12G65C*
ES: Oct.13
MP: Jan.14
TRS12A65C*
ES: 3Q.13
MP: 4Q.13
Current
rating
（A）
*Under development
TO-247
（Center Tap）
TRS12N65D*
ES: Oct.13
MP: Dec.13
16
TRS16N65D*
ES: Oct.13
MP: Dec.13
20
TRS20N65D*
ES: Oct.13
MP: Dec.13
24
TRS24N65D*
ES: Oct.13
MP: Dec.13
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电源的拓扑结构及
东芝功率器件的产品线
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各种应用的开关电源及其电路结构
 功率MOS管是开关电源的主要的器件
开关电源
AC-DC Resonant
Half / Ful-Bridge
Power Supplies
Up to around 800W
（Constant operating
frequency）
Power supplies for
FPD TVs
Desktop PCs
Servers
AC-DC Forward
Power Supplies
Up to around 200W
（Constant operating
frequency）
Desktop PCs
Power supplies for
game consoles
Multifunction
printers
Industrial power
supplies
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AC-DC Flyback
Power Supplies
Separately Excited
Up to around 70W
Self-Excited
Up to around 40W
（Constant operating
frequency）
（Variable operating
frequency）
 Notebook PC adaptors
 Chargers for portable products
 LCD adaptors
 PC peripherals
 Power supplies
 Standby power supplies and small adapters
DC-DC Converters
Isolated
Non-isolated
Output：Around 50W
On-board
DC-DC Converters
Notebook PCs
Power supplies for CPUs
Regulator circuits
Communications equipment
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主要的电源拓扑结构
Non-Isolated DC-DC
AC-DC（PFC）
Secondary side
Primary side
Electrical
Outlet
Rectifier
AC-DC
Flyback Type
Forward Type
Half-Bridge Type
Full-Bridge Type
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PFC
DC-DC
Converter
DC-DC
non-Isolated
DC-DC
Converter
DC-DC
Converter
DC-DC
Converter
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反击式AC-DC
 反击式AC-DC
反击式的拓扑结构是最简单，且元器件应用最少的一种拓扑，适用于低功率的电源。
AC-DC
Flyback
PFC
Output
VIN=
220VAC
+
+
-
-
PFC Control Switch
High-voltage
MOSFET
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Control Circuit
Main Switch
High-voltage
MOSFET
Detect & Compare
Secondary Switch
Low-voltage
MOSFET
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正激式AC-DC
 正激式AC-DC
Secondary Switch
Low-voltage
MOSFET
Main Switch
High-voltage
MOSFET
AC-DC
Forward
PFC
Output
VIN=
220VAC
+
+
-
-
PFC Control Switch
High-voltage
MOSFET
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Control Circuit
Detect & Compare
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半桥式AC-DC
 半桥谐振AC-DC
半桥谐振电源适用于从150W至1kW相对较高的大功率电源应用。两个晶体管与输入供电电压串联连
接，降低输入电压适于变压器初级端的半桥结构。这部分也可能应用低压的晶体管。
Secondary Switch
Low-voltage MOSFET
（Synchronous rectification）
Main Switch
High-voltage
MOSFET
PFC
+
AC-DC
VIN=
220VAC
-
-
+
-
PFC Control Switch
High-voltage
MOSFET
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-
+
+
Output
Half-Bridge
Control Circuit
Detect & Compare
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全桥AC-DC
 AC-DC转换器（隔离 / 全桥）
隔离的DC-DC转换器广泛用于初级端和次级端电压变化较大的变压器。隔离正激式转换器和隔离全桥
式转换器可以达到800W。大部分PC 电源使用隔离式DC-DC转换器。
AC-DC
Full Bridge
PFC
VIN=
220VAC
Output
+
-
Drive
Circuit
Control Circuit
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Secondary
Switch
Low-voltage
MOSFET
Main Switch
High-voltage
MOSFET
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DC-DC转换器
 DC-DC 转换器（非隔离）
DC-DC转换器将一个直流电从一个电压级别到另一个电压级别。然而非隔离DC-DC转换器被初级端用
于1W-30W的转换，高于100W需要增加一个MOSFET。许多DC-DC转换器被应用于变得更小更轻，
功能丰富的移动电话和移动设备。
DC-DC Conversion
Low-voltage
MOSFET
Output
+
-
DC-DC
Controller
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隔离的DC-DC转换器的拓扑结构
正激
推挽
+Vin
+Vout
+Vin
+Vout
Control Circuit
Drive
Circuit
Control Circuit
Drive
Circuit
半桥
全桥
+Vin
+Vin
+Vout
+Vout
Control Circuit
Control Circuit
Drive
Circuit
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MOSFET VDSS
Primary：100-250V
Secondary：20-150V
Drive
Circuit
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DTMOSⅣ（VDS=600V）产品线（Schedule as CY）
ID （A）
Ron Max
D-PAK
（TO-252）
I-PAK
（TO-253）
5.4A
0.9Ω
TK5P60W
ES: OK
MP: OK
TK5Q60W
ES: OK
MP: OK
6.2A
0.75Ω
TK6P60W
TK6Q60W
ES: OK
ES: OK
MP: OK 0.82Ω MP: OK 0.82Ω
TK6A60W
ES: OK
MP: OK
7A
0.6Ω
TK7P60W
ES: OK
MP: OK
TK7Q60W
ES: OK
MP: OK
TK7A60W
ES: OK
MP: OK
8A
0.5Ω
TK8P60W
ES: OK
MP: OK
TK8Q60W
ES: OK
MP: OK
TK8A60W
ES: OK
MP: OK
9.8A
0.38Ω
TK10P60W
TK10Q60W
ES: OK
ES: OK
0.43Ω
MP: OK
MP: OK
11.5A
0.3Ω
TK12P60W
TK12Q60W
ES: OK
ES: OK
MP: OK 0.34Ω MP: OK
I2-PAK
（TO-262）
D2-PAK
（TO-263）
8x8mm DFN
TO-220
TO-220SIS
TO-3P（N）
TK5A60W
ES: OK
MP: OK
0.43Ω
0.34Ω
TO-247
Schedule as CY
Already on MP
TK10V60W
ES: OK
MP: Aug.13
TK10E60W
ES: OK
MP: OK
TK10A60W
ES: OK
MP: OK
TK12V60W
ES: OK
MP: Aug.13
TK12E60W
ES: OK
MP: OK
TK12A60W
ES: OK
MP: OK
TK12J60W
ES: OK
MP: OK
15.8A
0.19Ω
TK16C60W
ES: OK
MP: Aug.13
TK16G60W
ES: OK
MP: OK
TK16V60W
ES: OK
MP: OK
TK16E60W
ES: OK
MP: OK
TK16A60W
ES: OK
MP: OK
TK16J60W
ES: OK
MP: OK
TK16N60W
ES: OK
MP: Aug.13
（20）A
0.16Ω
TK20C60W
ES: OK
MP: Aug.13
TK20G60W
ES: OK
MP: Aug.13
TK20V60W
ES: OK
MP: OK
TK20E60W
ES: OK
MP: OK
TK20A60W
ES： OK
MP: OK
TK20J60W
ES： Feb.12
MP: OK
TK20N60W
ES: OK
MP: OK
TK31V60W
ES: OK
MP: OK
TK31E60W
ES: OK
MP: OK
TK31A60W
ES: OK
MP: OK
TK31J60W
ES: OK
MP: OK
TK31N60W
ES: OK
MP: OK
TK39A60W
ES：OK
MP: OK
TK39J60W
ES: OK
MP: OK
TK39N60W
ES: OK
MP: Aug.13
TK62J60W
ES: OK
MP: OK
TK62N60W
ES: OK
MP: Aug.13
30.8A
0.088Ω
38.8A
0.065Ω
61.8A
0.038Ω
100A
0.018Ω
Low Rdson only available
by DTMOS4
Under
investigation
Variety of package lineups!
（8x8 and TO-247 are newly added）
東芝電子（上海）有限公司
TO-3P（L）
TK100L60W
ES: OK
MP: OK
TOSHIBA ELECTRONICS （SHANGHAI） CO.， LTD. 38
DTMOSⅣ（VDS=600V，快恢复二极管）产品线（Scheduled as
CY）
Already on MP
RDS（ON）
max.
D-PAK
（TO-252）
（0.65-0.67）
TK7P60W5
ES: OK
MP: Sep.13
TK7A60W5
ES: OK
MP: Sep.13
（0.54-0.56）
TK8P60W5（0.56Ω）
ES: OK
MP: Sep.13
TK8A60W5（0.54Ω）
ES: OK
MP: Sep.13
D2-PAK
（TO-263）
TO-220
TO-3P（N）
TO-247
TK16A60W5
ES: OK
MP: OK
TK16J60W5
ES: OK
MP: Oct.13
TK16N60W5
ES: OK
MP: Oct.13
TK20A60W5
ES: OK
MP: Aug.13
TK20J60W5
ES: OK
MP: Oct.13
TK10A60W5
ES: OK
MP: Sep.13
0.45
0.23
TO-220SIS
TK16G60W5
ES: OK
MP: Oct.13
0.175
TK16E60W5
ES: OK
MP: Oct.13
0.099
TK31J60W5
ES: OK
MP: OK
TK31N60W5
ES: OK
MP: Oct.13
0.074
TK39J60W5
ES: OK
MP: OK
TK39N60W5
ES: OK
MP: Oct.13
（0.045）
TK62J60W5
ES: OK
MP: Oct.13
東芝電子（上海）有限公司
TOSHIBA ELECTRONICS （SHANGHAI） CO.， LTD. 39
DTMOSⅣ（VDS=650V）产品线（Scheduled as CY）
RDS（ON）
max.
D2-PAK
（TO-263）
I2-PAK
（TO-262）
TO-220
TO-247
TK11A65W
ES: OK
MP: Aug.13
0.39
0.25
TO-220SIS
TK14G65W
ES: OK
MP: Sep.13
TK14C65W
ES: OK
MP: Sep.13
（0.2）
TK14E65W
ES: OK
MP: Sep.13
TK14A65W
ES: OK
MP: Aug.13
TK14N65W
ES: OK
MP: Sep.13
TK17E65W
ES: OK
MP: Sep.13
TK17A65W
ES: OK
MP: Sep.13
TK17N65W
ES: OK
MP: Sep.13
TO-220SIS
TK28N65W
ES： OK
MP：Oct.13
（0.11）
TK35A60W
ES: OK
MP: Aug.13
（0.080）
TK35N65W
ES: OK
MP: Aug.13
TK49N65W
ES: OK
MP: Aug.13
（0.055）Ω
東芝電子（上海）有限公司
TO-247
TOSHIBA ELECTRONICS （SHANGHAI） CO.， LTD. 40
DTMOSⅣ（VDS=650V，快恢复二极管）产品线（Schedule
as CY）
R DS（ON）
max.
D2-PAK
（TO-263）
I2-PAK
（TO-262）
TO-220
TO-220SIS
TO-247
0.3
TK14G65W5
ES: Aug.13
MP: Oct.13
TK14C65W5
ES: Aug.13
MP: Oct.13
TK14E65W5
ES: Aug.13
MP: Oct.13
TK14A65W5
ES: OK
MP: Oct.13
TK14N65W5
ES: OK
MP: Oct.13
TK17A65W5
ES: OK
MP: Oct.13
（0.23）
TK28N65W5
ES: Aug.13
MP: Oct.13
（0.13）
TK35A60W5
ES: OK
MP: Oct.13
（0.095）
TK35N65W5
ES: Aug.13
MP: Oct.13
TK49N65W5
ES: Aug.13
MP: Oct.13
（0.057）
東芝電子（上海）有限公司
TO-220SIS
TO-247
TOSHIBA ELECTRONICS （SHANGHAI） CO.， LTD. 41
UMOSⅧ-H应用于全桥中间母线电源转换器（1）
Ron(10V)
max
>200mΩ
100mΩ
50mΩ
30mΩ
20mΩ
15mΩ
12mΩ
10mΩ
8mΩ
6mΩ
4mΩ
2mΩ
1mΩ
<1mΩ
PKG
5x6
3x3
5x6
3x3
VDSS
30V
60V
80V
100V
150V
200V
Full-Bridge Bus Converter
（Vin=36-75V，Vout=12V）
126
64 TPH6400ENH
S1CL7
59
3x3
TPN30008NH
30 TPN3300ANH
TPH3300CNH
33 TPH2900ENH
64 TPH5200FNH
112
52
29
33
5x6
TPH1500CNH 15.4
3x3
TPN22006NH
22
5x6
TPH14006NH
14 TPN14008NH 13.9 TPH1400ANH 13.6
3x3
TPN14006NH
5x6
TPH11003NL 10.6
3x3
TPN11003NL 10.6
5x6
TPH8R903NL
8.9
3x3
TPN8R903NL
8.9
13.9 TPN13008NH 13.3 TPN1600ANH
TPH12008NH
16
12.3
250-750W Primary & Secondary
5x6
TPH7R506NH
7.5 TPH8R008NH
3x3
TPN7R506NH
7.5
5.9
5x6
TPH6R003NL
6 TPH5R906NH
3x3
TPN6R003NL
6
5x6
TPH4R003NL
4 TPH4R606NH
3x3
TPN4R303NL
8 TPH8R80ANH
8.8
4 TPH4R50ANH
4.5
+Vin
4.6 TPH4R008NH
4.3
+Vout
5x6
TPH3R203NL
3.2 TPH2R306NH
3x3
TPN2R703NL
2.7
5x6
TPH1R403NL
1.4
2.3
Control Circuit
Drive
Circuit
3x3
3x3
200
S1CL8
S1DT2
150-250W Primary & Secondary
205
S1CL9
131 TPH1110FNH
3x3
5x6
S1DT7
S1DT4
5x6
5x6
250V
TPHR9003NL
0.9
ORing
東芝電子（上海）有限公司
TOSHIBA ELECTRONICS （SHANGHAI） CO.， LTD. 42
UMOSⅧ-H应用于隔离的DC-DC转换器（2）
Ron(10V)
max
>200mΩ
100mΩ
50mΩ
30mΩ
20mΩ
15mΩ
12mΩ
10mΩ
8mΩ
6mΩ
4mΩ
2mΩ
1mΩ
<1mΩ
PKG
5x6
3x3
5x6
3x3
VDSS
30V
60V
80V
100V
150V
200V
Primary
Isolated Forward Converter（<100W）
（Vin=36-75V，Vout=3.3-12V）
126
64 TPH6400ENH
S1CL7
59
3x3
TPN30008NH
30 TPN3300ANH
200
S1CL8
S1DT2
TPH3300CNH
205
S1CL9
131 TPH1110FNH
3x3
Secondary （Vout=12V）
S1DT7
S1DT4
5x6
5x6
250V
33 TPH2900ENH
112
64 TPH5200FNH
52
29
33
5x6
TPH1500CNH 15.4
3x3
TPN22006NH
22
5x6
TPH14006NH
14 TPN14008NH 13.9 TPH1400ANH 13.6
3x3
TPN14006NH
5x6
TPH11003NL 10.6
3x3
TPN11003NL 10.6
5x6
TPH8R903NL
8.9
3x3
TPN8R903NL
8.9
13.9 TPN13008NH 13.3 TPN1600ANH
TPH12008NH
5x6
TPH7R506NH
7.5 TPH8R008NH
3x3
TPN7R506NH
7.5
5.9
5x6
TPH6R003NL
6 TPH5R906NH
3x3
TPN6R003NL
6
5x6
TPH4R003NL
4 TPH4R606NH
3x3
TPN4R303NL
4.3
5x6
TPH3R203NL
3.2 TPH2R306NH
3x3
TPN2R703NL
2.7
5x6
TPH1R403NL
1.4
TPHR9003NL
0.9
4.6 TPH4R008NH
16
12.3
8 TPH8R80ANH
8.8
4 TPH4R50ANH
4.5
+Vin
+Vout
2.3
Secondary （Vout=3.3-5V）
Control Circuit
Drive
Circuit
3x3
5x6
3x3
東芝電子（上海）有限公司
TOSHIBA ELECTRONICS （SHANGHAI） CO.， LTD. 43
UMOSⅧ-H应用于隔离的DC-DC转换器（3）
Ron(10V)
max
>200mΩ
100mΩ
50mΩ
30mΩ
20mΩ
15mΩ
12mΩ
10mΩ
8mΩ
6mΩ
4mΩ
2mΩ
1mΩ
<1mΩ
VDSS
PKG
30V
5x6
3x3
5x6
3x3
60V
80V
100V
150V
200V
Half-Bridge Converter（100-200W）
（Vin=36-75V，Vout=3.3-5V）
5x6
200
126
S1CL7
59
5x6
TPH3300CNH
30 TPN3300ANH
S1CL9
S1CL8
3x3
TPN30008NH
205
131 TPH1110FNH
64 TPH6400ENH
3x3
S1DT7
S1DT4
S1DT2
33 TPH2900ENH
112
64 TPH5200FNH
52
29
33
5x6
TPH1500CNH 15.4
3x3
TPN22006NH
22
5x6
TPH14006NH
14 TPN14008NH 13.9 TPH1400ANH 13.6
3x3
TPN14006NH
5x6
TPH11003NL
10.6
3x3
TPN11003NL
10.6
5x6
TPH8R903NL
8.9
3x3
TPN8R903NL
8.9
13.9 TPN13008NH 13.3 TPN1600ANH
TPH12008NH
TPH7R506NH
7.5 TPH8R008NH
3x3
TPN7R506NH
7.5
5.9
5x6
TPH6R003NL
6 TPH5R906NH
3x3
TPN6R003NL
6
5x6
TPH4R003NL
4 TPH4R606NH
3x3
TPN4R303NL
4.3
5x6
TPH3R203NL
3.2 TPH2R306NH
3x3
TPN2R703NL
2.7
5x6
TPH1R403NL
1.4
3x3
12.3
8 TPH8R80ANH
8.8
+Vin
4.6 TPH4R008NH
4 TPH4R50ANH
4.5
+Vout
Control Circuit
2.3
Secondary
TPHR9003NL
16
Primary
5x6
5x6
250V
Drive
Circuit
0.9
3x3
東芝電子（上海）有限公司
TOSHIBA ELECTRONICS （SHANGHAI） CO.， LTD. 44
UMOSⅧ-H应用于负载点（非隔离DC-DC转换器）
Ron(10V)
max
>200mΩ
100mΩ
50mΩ
30mΩ
20mΩ
15mΩ
12mΩ
10mΩ
8mΩ
6mΩ
4mΩ
2mΩ
1mΩ
<1mΩ
VDSS
PKG
5x6
3x3
5x6
3x3
30V
60V
80V
100V
150V
200V
250V
POL（Non-Isolated DC-DC）
（Vin=12V）
5x6
200
S1CL8
126
3x3
S1CL7
59
5x6
TPH3300CNH
30 TPN3300ANH
S1CL9
131 TPH1110FNH
64 TPH6400ENH
TPN30008NH
205
S1DT4
S1DT2
3x3
S1DT7
33 TPH2900ENH
64 TPH5200FNH
112
52
29
33
5x6
TPH1500CNH 15.4
3x3
TPN22006NH
22
5x6
TPH14006NH
14 TPN14008NH 13.9 TPH1400ANH 13.6
3x3
TPN14006NH
5x6
TPH11003NL
10.6
3x3
TPN11003NL
10.6
5x6
TPH8R903NL
8.9
3x3
TPN8R903NL
8.9
5x6
13.9 TPN13008NH 13.3 TPN1600ANH
TPH12008NH
TPH7R506NH
7.5 TPH8R008NH
TPN7R506NH
7.5
5.9
3x3
POL
5x6
TPH6R003NL
6 TPH5R906NH
3x3
TPN6R003NL
6
5x6
TPH4R003NL
4 TPH4R606NH
3x3
TPN4R303NL
4.3
5x6
TPH3R203NL
3.2 TPH2R306NH
3x3
TPN2R703NL
2.7
5x6
TPH1R403NL
1.4
TPHR9003NL
0.9
4.6 TPH4R008NH
16
12.3
8 TPH8R80ANH
8.8
4 TPH4R50ANH
4.5
2.3
3x3
5x6
3x3
東芝電子（上海）有限公司
TOSHIBA ELECTRONICS （SHANGHAI） CO.， LTD. 45
東芝電子（上海）有限公司
TOSHIBA ELECTRONICS （SHANGHAI） CO.， LTD. 46
网页模拟器入口（To be high-lighted more）
网页模拟器入口
设计/支持-网页模拟器
東芝電子（上海）有限公司
TOSHIBA ELECTRONICS （SHANGHAI） CO.， LTD. 47
什么是网页模拟器？ （1）
For MOSFET
交互式规格书
应用设计器
For LDO/Load SW
设计记录（即将启用）
東芝電子（上海）有限公司
TOSHIBA ELECTRONICS （SHANGHAI） CO.， LTD. 48
什么是网页模拟器？（2）
ID-VDS
交互式产品说明（电气的特性模拟）
Qg
Buck Conv.
应用设计（电源电路的模拟）
Switching Simulation
東芝電子（上海）有限公司
TOSHIBA ELECTRONICS （SHANGHAI） CO.， LTD. 49
什么是网页模拟器？（3）
第二步 生成
注册&登录
東芝電子（上海）有限公司
TOSHIBA ELECTRONICS （SHANGHAI） CO.， LTD. 50
目前网页模拟器上的产品
HVMOS
DT4
Planer
TK5P60W
TK10A60E
TK10A60W
TK12A50E
TK10P60W
TK5A50D
TK16A60W
TK8A50D
TK31A60W
TK10A50D
TK39J60W
TK12A50D
TK62J60W
TK15A50D
TK5A60W
TK18A50D
TK6A60W
TK2Q60D
TK7A60W
TK4A60DA
TK8A60W
TK4A60D
TK12A60W
TK6A60D
TK20A60W
TK8A60DA
TK39A60W
TK10A60D
TK100L60W
TK12A60D
TK6P60W
TK13A60D
TK7P60W
TK15A60D
TK8P60W
17
TK12P60W
TK16A60W519
TK31J60W5
TK39J60W5
22
LVMOS
UMOS8
UMOS7(X35)
TK30E06N1
TPH14006NH TPCA8055-H
TK40E06N1
TPH7R506NH TPCA8056-H
TK58E06N1
TPH5R906NH TPCA8057-H
TK100E06N1 TPH4R606NH TPCA8058-H
TK35E08N1
TPH2R306NH TPCA8059-H
TK46E08N1
TPH12008NH TPCA8064-H
TK72E08N1
TPH8R008NH TPCA8065-H
TK100E08N1 TPH4R008NH
7
TK22E10N1
TPH1400ANH
TK34E10N1
TPH8R80ANH
TK40E10N1
TPH4R50ANH
TK65E10N1
TPN22006NH
TK100E10N1 TPN14006NH
TK32E12N1
TPN7R506NH
TK42E12N1
TPN30008NH
TK56E12N1
TPN13008NH
TK72E12N1
TPN3300ANH
17 TPN1600ANH
TPHR9003NL
TPH11003NL
TPH8R903NL
TPH6R003NL
TPN11006NL
17
東芝電子（上海）有限公司
UMOS6/7 (X34)
SSM3J328R
SSM6J503NU
SSM6N57NU
SSM6J501NU
SSM6K504NU
SSM6P49NU
SSM6N55NU
SSM6J502NU
SSM6J505NU
SSM6N58NU
SSM3J334R
SSM3K324R
SSM3J332R
SSM3K333R
14
ICs
LDO
Load Switch
TCR2ENxx series TCK101G
TCR2EExx series TCK102G
TCR2EFxx series TCK104G
TCR2DGxx series TCK105G
TCR3DMxx series TCK106G
5 series TCK107G
TCK108G
TCK111G
8
TOSHIBA ELECTRONICS （SHANGHAI） CO.， LTD. 51
网页模拟器的首页（外部服务器）
#1
#2
東芝電子（上海）有限公司
#3
TOSHIBA ELECTRONICS （SHANGHAI） CO.， LTD. 52
#1：MOSFET的交互式产品说明书（部分选择）
搜索和寻找FET
東芝電子（上海）有限公司
TOSHIBA ELECTRONICS （SHANGHAI） CO.， LTD. 53
#1：MOSFET交互式产品规格书（分析）
选择模拟测试条件
选择测试条件
或者点击这个按钮开始默认值进行全部的测试
東芝電子（上海）有限公司
TOSHIBA ELECTRONICS （SHANGHAI） CO.， LTD. 54
#1：MOSFET交互式产品规格书（摘要）
下载PDF版本的总结报告
東芝電子（上海）有限公司
TOSHIBA ELECTRONICS （SHANGHAI） CO.， LTD. 55
#1：通用电路分析程序 列表
東芝電子（上海）有限公司
TOSHIBA ELECTRONICS （SHANGHAI） CO.， LTD. 56
#2：交互式应用设计（设计要求）
设置测试条件
选择电路拓扑
(1)非隔离降压DC-DC
(2)全桥DC-DC
(3)反激DC-DC
(4)PFC+全桥AC-DC
(5)PFC+反激AC-DC
東芝電子（上海）有限公司
TOSHIBA ELECTRONICS （SHANGHAI） CO.， LTD. 57
#2：交互式应用设计器（产品选择）
为了匹配测试条件
按照VDSS分类推荐FET
高边和初级端的FET的选择
低边和次级端FET的选择
自定义的FET选择
東芝電子（上海）有限公司
TOSHIBA ELECTRONICS （SHANGHAI） CO.， LTD. 58
#2：交互式应用设计（分析）
可变的电路/驱动条件
（如果想改变某个元件，可以直接点击此元件）
可选择的驱动条件
可变的驱动电压
東芝電子（上海）有限公司
TOSHIBA ELECTRONICS （SHANGHAI） CO.， LTD. 59
#2：交互式应用设计（波形）
测量标记
可选择的波形
東芝電子（上海）有限公司
TOSHIBA ELECTRONICS （SHANGHAI） CO.， LTD. 60
#2：交互式应用设计器（摘要）
下载PDF格式的报告
東芝電子（上海）有限公司
TOSHIBA ELECTRONICS （SHANGHAI） CO.， LTD. 61
#3：交互式设计注释（部分选择）
東芝電子（上海）有限公司
TOSHIBA ELECTRONICS （SHANGHAI） CO.， LTD. 62
#3：交互设计注释（设计要求）
東芝電子（上海）有限公司
TOSHIBA ELECTRONICS （SHANGHAI） CO.， LTD. 63
#3：交互式设计注释（分析）
可调整测试条件（点击想改变的器件）
東芝電子（上海）有限公司
TOSHIBA ELECTRONICS （SHANGHAI） CO.， LTD. 64
東芝電子（上海）有限公司
TOSHIBA ELECTRONICS （SHANGHAI） CO.， LTD. 65
东芝半导体&存储产品公司的销售渠道
大连（TEDL）
沈阳（TESY）
北京（TEBJ）
武汉（TEWH）
青岛（TEQD）
南京（TENJ）
上海（TELS）
上海黄浦（TEHP）
重庆（TECQ）
杭州（TEHZ）
成都（TECD）
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